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21. 发明专利

TWI239677B 一種寬頻金屬片短路單極天線 A WIDEBAND METAL-PLATE SHORTED MONOPOLE ANTENNA 有权
简体标题：一种宽带金属片短路单极天线 A WIDEBAND METAL-PLATE SHORTED MONOPOLE ANTENNA
公开(公告)号：TWI239677B
公开(公告)日：2005-09-11
申请号：TW093136414
申请日：2004-11-26
申请人：國巨股份有限公司 YAGEO CORPORATION , 翁金輅 WONG, KIN LU
发明人：周良哲 CHOU, LIANG CHE , 翁金輅 WONG, KIN LU , 王啓岳 WANG, CHI YUEH , 蔡文忠 CHUA, BOON-TIONG , 李政翰 LEE, CHENG HAN
IPC分类号： H01Q
摘要：本發明係關於一種寬頻金屬片短路單極天線，包含：一接地面，其形狀大致為一矩形；一輻射金屬片，大致位於該接地面之上方邊緣處；及一饋入同軸傳輸線。而該輻射金屬片包含：一第一子金屬片，其具有一饋入點，並與該接地面具有一小於3mm之間隙；一第二子金屬片，電氣連接至該第一子金屬片；及一短路金屬臂，連接該第一子金屬片及該接地面。本發明天線之一實施例，可產生一約4GHz之寬頻操作頻寬，可輕易地涵蓋目前無線區域網路所需之2.4GHz及5GHz頻帶之操作需求。
简体摘要：本发明系关于一种宽带金属片短路单极天线，包含：一接地面，其形状大致为一矩形；一辐射金属片，大致位于该接地面之上方边缘处；及一馈入同轴传输线。而该辐射金属片包含：一第一子金属片，其具有一馈入点，并与该接地面具有一小于3mm之间隙；一第二子金属片，电气连接至该第一子金属片；及一短路金属臂，连接该第一子金属片及该接地面。本发明天线之一实施例，可产生一约4GHz之宽带操作带宽，可轻易地涵盖目前无线局域网所需之2.4GHz及5GHz频带之操作需求。

22. 发明专利

TWI237923B 一種寬頻短路單極天線 A WIDEBAND SHORTED MONOPOLE ANTENNA 有权
简体标题：一种宽带短路单极天线 A WIDEBAND SHORTED MONOPOLE ANTENNA
公开(公告)号：TWI237923B
公开(公告)日：2005-08-11
申请号：TW093126433
申请日：2004-09-01
申请人：國巨股份有限公司 YAGEO CORPORATION , 翁金輅 WONG, KIN LU
发明人：周良哲 CHOU, LIANG CHE , 蘇志銘 SU, CHIH MING , 翁金輅 WONG, KIN LU , 王啓岳 WANG, CHI YUEH , 李政翰 LEE, CHENG HAN , 蔡文忠 CHUA, BOON-TIONG
IPC分类号： H01Q
摘要：本發明係關於一種寬頻短路單極天線，包含：一接地面，其形狀大致為一凹字形；一輻射金屬片，大致位於該凹字形接地面之缺口處，並具有一饋入點及一短路點；及一饋入同軸傳輸線。本發明天線之一實施例，可產生一約4 GHz之寬頻操作頻寬，可輕易地涵蓋目前無線區域網路所需之2.4 GHz頻帶(2.4~2.484 GHz)、及5 GHz頻帶〔包含5.2 GHz頻帶(5.15~5.35 GHz)及5.8 GHz頻帶(5.725~5.875 GHz)〕之操作需求。
简体摘要：本发明系关于一种宽带短路单极天线，包含：一接地面，其形状大致为一凹字形；一辐射金属片，大致位于该凹字形接地面之缺口处，并具有一馈入点及一短路点；及一馈入同轴传输线。本发明天线之一实施例，可产生一约4 GHz之宽带操作带宽，可轻易地涵盖目前无线局域网所需之2.4 GHz频带(2.4~2.484 GHz)、及5 GHz频带〔包含5.2 GHz频带(5.15~5.35 GHz)及5.8 GHz频带(5.725~5.875 GHz)〕之操作需求。

23. 发明专利

TW200417141A 高拒斥比帶通濾波器 HIGH-REJECTION RATE BAND-PASS FILTER 审中-公开
简体标题：高拒斥比带通滤波器 HIGH-REJECTION RATE BAND-PASS FILTER
公开(公告)号：TW200417141A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092103515
申请日：2003-02-20
申请人：國巨股份有限公司 YAGEO CORPORATION
发明人：曾建臺 CHIEN-TAI TSENG
IPC分类号： H03H
摘要：本發明係關於一種高拒斥比帶通濾波器，其具有複數層結構，該高拒斥比帶通濾波器包括：複數個接地層、複數個電容層及複數個耦合傳輸線層。每一個接地層均具有一基底及一接地金屬片。每一電容層均具有一基底及至少一耦合金屬片，該耦合金屬片與接地金屬片間、以及該等耦合金屬片間形成電容效應。每一個耦合傳輸線層具有一基底及至少一傳輸金屬線。藉由適當之配置，可實現一高拒斥比帶通濾波器。本發明之高拒斥比帶通濾波器可增加低頻率部分之衰減量，並可維持低頻率部分之衰減量。本發明之高拒斥比帶通濾波器可應用於雙工器。
简体摘要：本发明系关于一种高拒斥比带通滤波器，其具有复数层结构，该高拒斥比带通滤波器包括：复数个接地层、复数个电容层及复数个耦合传输线层。每一个接地层均具有一基底及一接地金属片。每一电容层均具有一基底及至少一耦合金属片，该耦合金属片与接地金属片间、以及该等耦合金属片间形成电容效应。每一个耦合传输线层具有一基底及至少一传输金属线。借由适当之配置，可实现一高拒斥比带通滤波器。本发明之高拒斥比带通滤波器可增加低频率部分之衰减量，并可维持低频率部分之衰减量。本发明之高拒斥比带通滤波器可应用于双工器。

24. 发明专利

TW587067B 抑制低溫陶瓷燒結收縮之方法及抑制層失效
简体标题：抑制低温陶瓷烧结收缩之方法及抑制层
公开(公告)号：TW587067B
公开(公告)日：2004-05-11
申请号：TW091104260
申请日：2002-03-07
申请人：國巨股份有限公司 YAGEO CORPORATION
发明人：李文熙 LEE, WEN HSI , 蘇哲儀 WU, CHE YI , 李俊德 LEE, CHUN TE , 饒瑞珠 JUI-CHU JAO
IPC分类号： C04B
CPC分类号： B32B18/00 , B32B38/145 , B32B2038/042 , B32B2315/02 , C04B2235/3239 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/9615 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/50 , C04B2237/56 , C04B2237/562 , C04B2237/62 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , H01L21/4857 , H05K1/0306 , H05K1/16 , H05K3/4611 , H05K3/4629
摘要：本發明主要係關於一種抑制低溫陶瓷燒結收縮之方法，其包含堆疊一抑制層於一介電層上而形成一陶瓷生胚，以抑制該介電層之收縮，其中該介電層上印刷有異質材料及/或放置有導體、電阻、電容及其類似物，其特徵在於該抑制層係具有與該介電層上之異質材料及/或放置導體、電阻、電容及其類似物位置相對應之鑿孔，使該等異質材料及/或導體、電阻、電容及其類似物於介電層與抑制層堆疊時不會被抑制層覆蓋，其中，抑制層之最小邊長為 L，各鑿孔之外接圓半徑為c，相鄰外接圓之間距為a，最外圍鑿孔與抑制層之邊緣距離為b，c 0.1c， b>0.1c。
简体摘要：本发明主要系关于一种抑制低温陶瓷烧结收缩之方法，其包含堆栈一抑制层于一介电层上而形成一陶瓷生胚，以抑制该介电层之收缩，其中该介电层上印刷有异质材料及/或放置有导体、电阻、电容及其类似物，其特征在于该抑制层系具有与该介电层上之异质材料及/或放置导体、电阻、电容及其类似物位置相对应之凿孔，使该等异质材料及/或导体、电阻、电容及其类似物于介电层与抑制层堆栈时不会被抑制层覆盖，其中，抑制层之最小边长为 L，各凿孔之外置圆半径为c，相邻外置圆之间距为a，最外围凿孔与抑制层之边缘距离为b，c<0.5L，a>0.1c， b>0.1c。

25. 发明专利

TW584867B 超低溫高可靠度新微波介電材料及製造方法有权
简体标题：超低温高可靠度新微波介电材料及制造方法
公开(公告)号：TW584867B
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：TW092103763
申请日：2003-02-24
申请人：國巨股份有限公司 YAGEO CORPORATION
发明人：李文熙 LEE, WEN HSI , 李英杰 YING-CHIEH LEE , 王淑惠 SHU WUI WANG
IPC分类号： H01B
摘要：本發明關於一種可作為微波介電材料之新穎鈦酸鋅( ZnTiO3)材料系統，其包含z%以重量計之氧化鉍(Bi2O3)及w%以重量計之[(ZnO)4‧B2Os]，其中0.1≦2≦15，且0.5≦w≦10，其具超低溫、高可靠度、及耐壓特性，並可用於製造具有高絕緣電阻值之低電容之積層陶瓷電容器。本發明另關於該新穎鈦酸鋅材料系統之製造方法。
简体摘要：本发明关于一种可作为微波介电材料之新颖钛酸锌( ZnTiO3)材料系统，其包含z%以重量计之氧化铋(Bi2O3)及w%以重量计之[(ZnO)4‧B2Os]，其中0.1≦2≦15，且0.5≦w≦10，其具超低温、高可靠度、及耐压特性，并可用于制造具有高绝缘电阻值之低电容之积层陶瓷电容器。本发明另关于该新颖钛酸锌材料系统之制造方法。

26. 发明专利

TWI690115B 具偵測物體接近功能之可調式天線裝置有权
简体标题：具侦测物体接近功能之可调式天线设备
公开(公告)号：TWI690115B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107129160
申请日：2018-08-21
申请人：國巨股份有限公司 , YAGEO CORPORATION
发明人：蔡文忠 , CHUA, BOON-TIONG , 陳良愷 , CHEN, LIANG KAI , 羅智陽 , LOU, CHIH YANG , 邱重仁 , CHIU, CHUNG JEN
IPC分类号： H01Q1/00 , H01Q1/36

27. 发明专利

TW202008640A 具偵測物體接近功能之可調式天線裝置审中-公开
简体标题：具侦测物体接近功能之可调式天线设备
公开(公告)号：TW202008640A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107129160
申请日：2018-08-21
申请人：國巨股份有限公司 , YAGEO CORPORATION
发明人：蔡文忠 , CHUA, BOON-TIONG , 陳良愷 , CHEN, LIANG KAI , 羅智陽 , LOU, CHIH YANG , 邱重仁 , CHIU, CHUNG JEN
IPC分类号： H01Q1/00 , H01Q1/36
摘要：一種具偵測物體接近功能之可調式天線裝置。此具偵測物體接近功能之可調式天線裝置包含第一輻射體、接地部、第二輻射體、接近感測晶片以及可變電容。第一輻射體具有訊號饋入點，以供天線訊號饋入至第一輻射體。可變電容與接近感測晶片設置於第一輻射體、接地部、第二輻射體範圍內，用以調整天線之頻率。另外，亦可使用複數個開關以及電容調整區塊來取代可變電容。電容調整區塊與接地部係設置於電路板上的不同表面。電容調整區塊的面積彼此不同。利用開關來選擇性地將電容調整區塊之一者電性連接至第二輻射體，可調整天線裝置之頻率。
简体摘要：一种具侦测物体接近功能之可调式天线设备。此具侦测物体接近功能之可调式天线设备包含第一辐射体、接地部、第二辐射体、接近传感芯片以及可变电容。第一辐射体具有信号馈入点，以供天线信号馈入至第一辐射体。可变电容与接近传感芯片设置于第一辐射体、接地部、第二辐射体范围内，用以调整天线之频率。另外，亦可使用复数个开关以及电容调整区块来取代可变电容。电容调整区块与接地部系设置于电路板上的不同表面。电容调整区块的面积彼此不同。利用开关来选择性地将电容调整区块之一者电性连接至第二辐射体，可调整天线设备之频率。

28. 发明专利

TWI538304B 雙頻雙極化天線及其陣列有权
简体标题：双频双极化天线及其数组
公开(公告)号：TWI538304B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103143023
申请日：2014-12-10
申请人：國巨股份有限公司 , YAGEO CORPORATION
发明人：陳彥佑 , CHEN, YEN IU , 胡維龍 , HU, WEI LUNG , 陳慕斯 , CHEN, MU SZU
IPC分类号： H01Q21/24 , H01Q5/00

29. 发明专利

TWI508109B 晶片電阻器有权
简体标题：芯片电阻器
公开(公告)号：TWI508109B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102148245
申请日：2013-12-25
申请人：國巨股份有限公司 , YAGEO CORPORATION
发明人：蔡東謀 , 陳財虎 , 蕭勝利 , 劉永漢 , 何仁富
IPC分类号： H01C1/032

30. 发明专利

TW201526035A 晶片電阻器审中-公开
简体标题：芯片电阻器
公开(公告)号：TW201526035A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW102148245
申请日：2013-12-25
申请人：國巨股份有限公司 , YAGEO CORPORATION
发明人：蔡東謀 , 陳財虎 , 蕭勝利 , 劉永漢 , 何仁富
IPC分类号： H01C1/032
摘要：本發明係關於一種晶片電阻器，其包括：一基材、二第一電極、二第二電極、一電阻層、至少一保護層及至少一鍍層。該至少一保護層設置於該電阻層上，且覆蓋部分二第一電極，該至少一保護層包括至少二覆蓋側面及至少一覆蓋平面。該至少一鍍層覆蓋該至少二覆蓋側面、至少一覆蓋平面、部分二第一電極及二第二電極。本發明之晶片電阻器利用二覆蓋側面及該覆蓋平面，以延長二第一電極與外界之距離，使得空氣中傳播的硫、硫化物及含硫化合物難以進入與二第一電極反應。故本發明之晶片電阻器可抵抗硫、硫化物及含硫化合物或鹵素等有害物質對於電極的腐蝕。
简体摘要：本发明系关于一种芯片电阻器，其包括：一基材、二第一电极、二第二电极、一电阻层、至少一保护层及至少一镀层。该至少一保护层设置于该电阻层上，且覆盖部分二第一电极，该至少一保护层包括至少二覆盖侧面及至少一覆盖平面。该至少一镀层覆盖该至少二覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分二第一电极及二第二电极。本发明之芯片电阻器利用二覆盖侧面及该覆盖平面，以延长二第一电极与外界之距离，使得空气中传播的硫、硫化物及含硫化合物难以进入与二第一电极反应。故本发明之芯片电阻器可抵抗硫、硫化物及含硫化合物或卤素等有害物质对于电极的腐蚀。

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