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21. 发明专利

TW201323662A 濕蝕刻用方法、設備及組成物审中-公开
简体标题：湿蚀刻用方法、设备及组成物
公开(公告)号：TW201323662A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101138745
申请日：2012-10-19
申请人：蘭姆研究股份公司 , LAM RESEARCH AG
发明人：迪克白史蒂芬 , DETTERBECK, STEFAN
IPC分类号： C23F1/24 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/32134 , H01L27/1021 , H01L27/1052
摘要：一種濕蝕刻用液體組成物具有改善的多晶矽對矽氧化物之選擇性，即使在多晶矽為重度摻雜且/或矽氧化物為低溫氧化物時亦然。該組成物包含0.05-0.4重量百分比之氫氟酸、15-40重量百分比之硝酸、55-85重量百分比之硫酸、及2-20重量百分比之水。本發明亦揭露使用該組成物之濕蝕刻用方法及設備。
简体摘要：一种湿蚀刻用液体组成物具有改善的多晶硅对硅氧化物之选择性，即使在多晶硅为重度掺杂且/或硅氧化物为低温氧化物时亦然。该组成物包含0.05-0.4重量百分比之氢氟酸、15-40重量百分比之硝酸、55-85重量百分比之硫酸、及2-20重量百分比之水。本发明亦揭露使用该组成物之湿蚀刻用方法及设备。

22. 发明专利

TW201316446A 晶圓狀物件之表面處理用裝置审中-公开
简体标题：晶圆状对象之表面处理用设备
公开(公告)号：TW201316446A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101132729
申请日：2012-09-07
申请人：蘭姆研究股份公司 , LAM RESEARCH AG
发明人：欽德爾歐利取 , TSCHINDERLE, ULRICH , 格萊斯勒安得羅斯 , GLEISSNER, ANDREAS , 渥恩斯伯格湯瑪士 , WIRNSBERGER, THOMAS , 歐伯威格瑞尼 , OBWEGER, RAINER
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/67023 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6719 , Y10T279/3493
摘要：一種晶圓狀物件之處理用裝置包含封閉處理腔室。該封閉處理腔室包含：提供氣密包圍區域的外殼；位於封閉處理腔室內且用以固持其上之晶圓狀物件的旋轉夾盤；及設置於該封閉處理腔室內的內部蓋件。該內部蓋件可於其中旋轉夾盤與封閉處理腔室之外壁相連的第一位置、與其中內部蓋件對鄰近旋轉夾盤的封閉處理腔室之內表面加以密封來定義氣密之內處理腔室的第二位置之間移動。
简体摘要：一种晶圆状对象之处理用设备包含封闭处理腔室。该封闭处理腔室包含：提供气密包围区域的外壳；位于封闭处理腔室内且用以固持其上之晶圆状对象的旋转夹盘；及设置于该封闭处理腔室内的内部盖件。该内部盖件可于其中旋转夹盘与封闭处理腔室之外壁相连的第一位置、与其中内部盖件对邻近旋转夹盘的封闭处理腔室之内表面加以密封来定义气密之内处理腔室的第二位置之间移动。

23. 发明专利

TW201250890A 半導體晶圓之乾燥方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR DRYING A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
简体标题：半导体晶圆之干燥方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR DRYING A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW201250890A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100138710
申请日：2011-10-25
申请人：蘭姆研究股份公司
发明人：尹石敏 , 權漢喆 , 沃茲傑賀 , 寇瓦克斯費德瑞
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： H01L21/67034
摘要：半導體晶圓之乾燥方法與設備使用溫度高於60℃且低於82℃的呈液態形式的熱異丙醇(isopropyl alcohol,IPA)。使用熱IPA較佳地避免圖型崩塌且允許減少IPA消耗。晶圓溫度可藉由將熱去離子水施加至晶圓對側且藉由使用加熱氮氣自晶圓表面蒸發熱IPA而維持。
简体摘要：半导体晶圆之干燥方法与设备使用温度高于60℃且低于82℃的呈液态形式的热异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)。使用热IPA较佳地避免图型崩塌且允许减少IPA消耗。晶圆温度可借由将热去离子水施加至晶圆对侧且借由使用加热氮气自晶圆表面蒸发热IPA而维持。

24. 发明专利

TW201228739A 晶圓濕式處理方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR WAFER WET PROCESSING 审中-公开
简体标题：晶圆湿式处理方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR WAFER WET PROCESSING
公开(公告)号：TW201228739A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100143308
申请日：2011-11-25
申请人：蘭姆研究股份公司
发明人：克勞斯哈洛德 , 納東尼馬可 , 布魯格麥可
IPC分类号： B05C
CPC分类号： H01L21/67051
摘要：一種在處理模組中用於晶圓形狀物件之濕式處理的氣體分配器，該氣體分配器實質上小於待處理物件，且在分配惰性氣體至該物件之上時對於物件側向可移動。
简体摘要：一种在处理模块中用于晶圆形状对象之湿式处理的气体分配器，该气体分配器实质上小于待处理对象，且在分配惰性气体至该对象之上时对于对象侧向可移动。

25. 发明专利

TW201205715A 晶圓形物件之固持裝置 DEVICE FOR HOLDING WAFER SHAPED ARTICLES 审中-公开
简体标题：晶圆形对象之固持设备 DEVICE FOR HOLDING WAFER SHAPED ARTICLES
公开(公告)号：TW201205715A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100115510
申请日：2011-05-03
申请人：蘭姆研究股份公司
发明人：法蘭克戴爾特 , 蒲格麥可 , 佛斯羅曼 , 蘭區奧圖
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/68728 , H01L21/68792
摘要：一種用以固持半導體晶圓的旋轉夾盤包含一或多個緩衝機構,以限制夾盤銷在晶圓偏移之後碰撞晶圓邊緣的力。此緩衝機構可為直線式或旋轉式緩衝筒。此緩衝筒係安裝在夾盤主體的表面上,並且包含與共用齒輪環接觸的控制臂,此共用齒輪環接下來會在此夾盤銷徑向朝內與朝外移動期間驅動此夾盤銷。
简体摘要：一种用以固持半导体晶圆的旋转夹盘包含一或多个缓冲机构,以限制夹盘销在晶圆偏移之后碰撞晶圆边缘的力。此缓冲机构可为直线式或旋转式缓冲筒。此缓冲筒系安装在夹盘主体的表面上,并且包含与共享齿轮环接触的控制臂,此共享齿轮环接下来会在此夹盘销径向朝内与朝外移动期间驱动此夹盘销。

26. 发明专利

TW201110225A 半導體晶圓之處理方法 METHOD FOR TREATING A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
简体标题：半导体晶圆之处理方法 METHOD FOR TREATING A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW201110225A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099120839
申请日：2010-06-25
申请人：蘭姆研究股份公司
发明人：許開東
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02071 , H01L21/31111 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：本發明揭示一種半導體晶圓之處理方法,包括:提供一堆疊,該堆疊包括:包括第一氧化物材料之high-k層,其中該第一氧化物材料包含鉿及/或鋯;及包括第二氧化物材料之覆蓋層,其中該覆蓋層已經被沉積在該high-k層之頂部上,其中該第二氧化物材料包含鑭、鑭系元素、及/或鋁;實施SA步驟,其中A液體被供應至該半導體晶圓之表面,其中該A液體係包含氧化劑之水溶液;實施SB步驟,其中B液體被供應至該半導體晶圓之該表面,其中該SB步驟係在該SA步驟之後實施,其中該B液體係pH値小於6之液體;及實施SC步驟,其中C液體被供應至該半導體晶圓之該表面,其中該SC步驟係在該SB步驟之後實施,其中該C液體係具有至少10ppm之氟濃度之酸性水溶液。
简体摘要：本发明揭示一种半导体晶圆之处理方法,包括:提供一堆栈,该堆栈包括:包括第一氧化物材料之high-k层,其中该第一氧化物材料包含铪及/或锆;及包括第二氧化物材料之覆盖层,其中该覆盖层已经被沉积在该high-k层之顶部上,其中该第二氧化物材料包含镧、镧系元素、及/或铝;实施SA步骤,其中A液体被供应至该半导体晶圆之表面,其中该A液体系包含氧化剂之水溶液;实施SB步骤,其中B液体被供应至该半导体晶圆之该表面,其中该SB步骤系在该SA步骤之后实施,其中该B液体系pH値小于6之液体;及实施SC步骤,其中C液体被供应至该半导体晶圆之该表面,其中该SC步骤系在该SB步骤之后实施,其中该C液体系具有至少10ppm之氟浓度之酸性水溶液。

27. 发明专利

TWI690008B 自碟形物品的表面移除液體之裝置與方法有权
简体标题：自碟形物品的表面移除液体之设备与方法
公开(公告)号：TWI690008B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW104106162
申请日：2015-02-26
申请人：奧地利商蘭姆研究股份公司 , LAM RESEARCH AG
发明人：塞莫洛克克李斯多弗 , SEMMELROCK, CHRISTOPH , 哈默戴俄特瑪 , HAMMER, DIETMAR
IPC分类号： H01L21/67 , B08B3/00

29. 发明专利

TW201832822A 用以控制於一基板配發的液體之溫度的使用點混合系統及方法审中-公开
简体标题：用以控制于一基板配发的液体之温度的使用点混合系统及方法
公开(公告)号：TW201832822A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143444
申请日：2017-12-12
申请人：奧地利商蘭姆研究股份公司 , LAM RESEARCH AG
发明人：薩勾茲菲利浦 , ZAGORZ, PHILIPP
IPC分类号： B01F15/00 , B01F3/08 , B05C11/08 , B08B11/02 , B08B3/04 , B08B3/08 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要：提供用以處理基板的一種液體配發系統，該液體配發系統包含流量控制器、壓力調節器、混合節點、液體混合器、溫度感測器、N個配發器、及系統控制器。該流量控制器接收並控制第一液體之流率。該壓力調節器接收並控制第二液體之壓力。該混合節點將該流量控制器及該壓力調節器所輸出的該第一與該第二液體混合以提供一第一混合物。該液體混合器將該第一混合物與第三液體混合以提供第二混合物。該溫度感測器測量該第二混合物之溫度。該N個配發器將該第二混合物配發於基板。該系統控制器藉由基於該測量溫度且獨立於該第二液體之流率的測量結果調整流率而將該測量溫度控制為在第一與第二溫度之間。
简体摘要：提供用以处理基板的一种液体配发系统，该液体配发系统包含流量控制器、压力调节器、混合节点、液体混合器、温度传感器、N个配发器、及系统控制器。该流量控制器接收并控制第一液体之流率。该压力调节器接收并控制第二液体之压力。该混合节点将该流量控制器及该压力调节器所输出的该第一与该第二液体混合以提供一第一混合物。该液体混合器将该第一混合物与第三液体混合以提供第二混合物。该温度传感器测量该第二混合物之温度。该N个配发器将该第二混合物配发于基板。该系统控制器借由基于该测量温度且独立于该第二液体之流率的测量结果调整流率而将该测量温度控制为在第一与第二温度之间。

30. 发明专利

TWI602253B 圓盤狀物件之液體處理用設備及用於該設備中之加熱系統有权
简体标题：圆盘状对象之液体处理用设备及用于该设备中之加热系统
公开(公告)号：TWI602253B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW102136810
申请日：2013-10-11
申请人：蘭姆研究股份公司 , LAM RESEARCH AG
发明人：克拉伯凱文馬修 , CRABB, KEVIN MATTHEW , 英傑瑟菲力浦 , ENGESSER, PHILIPP , 貝丹維傑庫瑪 , BADAM, VIJAY KUMAR
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/306

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