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21. 发明专利

TW200500507A 單晶的製造方法审中-公开
简体标题：单晶的制造方法
公开(公告)号：TW200500507A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093109492
申请日：2004-04-06
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：星亮二 , 園川將
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
摘要：本發明係提供一種單晶之製造方法，其係將多結晶原料收容在坩堝內，利用圍住坩堝之周圍的方式而配置之加熱器將多結晶原料加熱熔融，將種晶熔融在原料熔液之中後提拉，而生長出單晶的克洛斯基拉晶法所形成之單晶之製造方法，其特徵為：在摻雜硼而調整電阻率之單晶被長成之情況下，係將上述坩堝之最高溫度控制在1600℃以下而長成單晶。依此方法，在製造具有高除氣能力、摻雜硼之單晶之時，可抑制有差排化之產生，並且可以高生產性及低成本進行製造。
简体摘要：本发明系提供一种单晶之制造方法，其系将多结晶原料收容在坩埚内，利用围住坩埚之周围的方式而配置之加热器将多结晶原料加热熔融，将种晶熔融在原料熔液之中后提拉，而生长出单晶的克洛斯基拉晶法所形成之单晶之制造方法，其特征为：在掺杂硼而调整电阻率之单晶被长成之情况下，系将上述坩埚之最高温度控制在1600℃以下而长成单晶。依此方法，在制造具有高除气能力、掺杂硼之单晶之时，可抑制有差排化之产生，并且可以高生产性及低成本进行制造。

22. 发明专利

TW200423378A SOI晶圓及其製造方法审中-公开
简体标题： SOI晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TW200423378A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW093107120
申请日：2004-03-17
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：櫻田昌弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203 , H01L21/76243 , H01L21/76254
摘要：一種SOI晶圓及其製造方法，係至少在支承基板上，介著絕緣膜形成矽活性層或直接形成矽活性層的SOI晶圓，其特徵為：至少上述矽活性層，是利用柴氏長晶法所育成之N區域及／或無缺陷I區域的P(磷)摻雜矽單晶，且Al(鋁)濃度之含量為2×10^12atoms／cc以上者。藉此構成，可簡單且廉價地提供一種SOI晶圓，該SOI晶圓即使形成極薄的矽活性層時，也不會因氫氟酸洗淨等產生微小凹坑，而具有優異的電性特性，或即使形成極薄的層間絕緣膜時，也可維持高絕緣性，且裝置製作步驟之電性可靠性高。
简体摘要：一种SOI晶圆及其制造方法，系至少在支承基板上，介着绝缘膜形成硅活性层或直接形成硅活性层的SOI晶圆，其特征为：至少上述硅活性层，是利用柴氏长晶法所育成之N区域及／或无缺陷I区域的P(磷)掺杂硅单晶，且Al(铝)浓度之含量为2×10^12atoms／cc以上者。借此构成，可简单且廉价地提供一种SOI晶圆，该SOI晶圆即使形成极薄的硅活性层时，也不会因氢氟酸洗净等产生微小凹坑，而具有优异的电性特性，或即使形成极薄的层间绝缘膜时，也可维持高绝缘性，且设备制作步骤之电性可靠性高。

23. 发明专利

TW200416814A SOI晶圓的製造方法及SOI晶圓审中-公开
简体标题： SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆
公开(公告)号：TW200416814A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW093103945
申请日：2004-02-18
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：橫川功 , 阿賀浩司 , 高野清隆 , 三谷清
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/26533
摘要：本發明提供一種SOI晶圓的製造方法，至少從矽晶圓一邊的主表面，植入氧離子以形成氧離子植入層後，於該矽晶圓進行將上述氧離子植入層變成埋入式氧化膜的氧化膜形成熱處理，以在埋入式氧化膜上製造具有SOI層之SOI晶圓的方法，其中，於上述矽晶圓形成埋入式氧化膜時，是將其膜厚形成比上述製成之SOI晶圓的埋入式氧化膜更厚，其後，在形成有該埋入式氧化膜的矽晶圓上，進行減少埋入式氧化膜厚度的熱處理。藉此方式，可提供一種SOI晶圓的製造方法，其可利用SIMOX法製造高品質的SOI晶圓，而該SOI晶圓具有膜厚較薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI層之結晶性及表面品質極良好。
简体摘要：本发明提供一种SOI晶圆的制造方法，至少从硅晶圆一边的主表面，植入氧离子以形成氧离子植入层后，于该硅晶圆进行将上述氧离子植入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层之SOI晶圆的方法，其中，于上述硅晶圆形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成之SOI晶圆的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶圆上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。借此方式，可提供一种SOI晶圆的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶圆，而该SOI晶圆具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层之结晶性及表面品质极良好。

24. 发明专利

TW200414570A Zn系半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题： Zn系半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200414570A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092129978
申请日：2003-10-29
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：石崎順也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/28 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02513 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/477 , H01L33/0087 , H01L33/0095
摘要：在基板1的主表面上，形成由該基板1所不含之In系化合物或Zn系化合物所構成之多結晶層或非晶質層之前段緩衝層2’，之後，在形成發光區域前，將該前段緩衝層2實施熱處理而形成緩衝層2。藉此，提供出製造簡便且可提昇發光區域品質之Zn系半導體發光元件及其製造方法。
简体摘要：在基板1的主表面上，形成由该基板1所不含之In系化合物或Zn系化合物所构成之多结晶层或非晶质层之前段缓冲层2’，之后，在形成发光区域前，将该前段缓冲层2实施热处理而形成缓冲层2。借此，提供出制造简便且可提升发光区域品质之Zn系半导体发光组件及其制造方法。

25. 发明专利

TW200403127A 晶圓之兩面研磨裝置及兩面研磨方法失效
简体标题：晶圆之两面研磨设备及两面研磨方法
公开(公告)号：TW200403127A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092107150
申请日：2003-03-28
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：富永廣良 , 林俊行
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/08 , H01L21/30625
摘要：本發明至少具備有晶圓保持孔的載體板；黏貼研磨布的上工作台及下工作台；及，粉漿供給手段，上述晶圓保持孔內保持著晶圓，一邊供給粉漿，使載體板在上述上下工作台間運動，可同時研磨晶圓表裏兩面的兩面研磨裝置中，其特徵為：具有使以圓連結上述上工作台的負載支點時構成圓直徑的上工作台負載支點的PCD，及以圓連結上述載體板各保持孔中心時構成圓直徑的載體板保持孔中心的PCD一致的晶圓之兩面研磨裝置。藉此提供以優異的反應度利用工作台的變形控制晶圓形狀，不會使晶圓形狀惡化，可以高精度穩定進行研磨的晶圓之兩面研磨裝置及兩面研磨方法。
简体摘要：本发明至少具备有晶圆保持孔的载体板；黏贴研磨布的上工作台及下工作台；及，粉浆供给手段，上述晶圆保持孔内保持着晶圆，一边供给粉浆，使载体板在上述上下工作台间运动，可同时研磨晶圆表里两面的两面研磨设备中，其特征为：具有使以圆链接上述上工作台的负载支点时构成圆直径的上工作台负载支点的PCD，及以圆链接上述载体板各保持孔中心时构成圆直径的载体板保持孔中心的PCD一致的晶圆之两面研磨设备。借此提供以优异的反应度利用工作台的变形控制晶圆形状，不会使晶圆形状恶化，可以高精度稳定进行研磨的晶圆之两面研磨设备及两面研磨方法。

26. 发明专利

TW569334B 蝕刻液,蝕刻方法及半導體矽晶圓失效
简体标题：蚀刻液,蚀刻方法及半导体硅晶圆
公开(公告)号：TW569334B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW089128166
申请日：2000-12-28
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：宮崎誠一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02019 , C01D1/28 , C11D7/06 , C11D11/0047 , H01L21/30604 , H01L21/30608
摘要：提供用以防止半導體矽晶圓之金屬污染的蝕刻液，及蝕刻方法以及大幅減低金屬污染之半導體矽晶圓。本發明之蝕刻液為於鹼性水溶液中，將不銹鋼浸漬10小時以上所調製，本發明之蝕刻方法為使用此蝕刻液將半導體矽晶圓予以蝕刻。藉此，可取得大帽減低金屬污染之本發明之半導體矽晶圓。
简体摘要：提供用以防止半导体硅晶圆之金属污染的蚀刻液，及蚀刻方法以及大幅减低金属污染之半导体硅晶圆。本发明之蚀刻液为于碱性水溶液中，将不锈钢浸渍10小时以上所调制，本发明之蚀刻方法为使用此蚀刻液将半导体硅晶圆予以蚀刻。借此，可取得大帽减低金属污染之本发明之半导体硅晶圆。

27. 发明专利

TWI313307B 單晶、單晶晶圓及磊晶晶圓、以及單晶培養方法有权
简体标题：单晶、单晶晶圆及磊晶晶圆、以及单晶培养方法
公开(公告)号：TWI313307B
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW092125219
申请日：2003-09-12
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：星亮二 , 園川將
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14
摘要：本發明的一種單晶,屬於藉由單晶拉起法所得到的單晶,其特徵為:控制起因於結晶成長時的結晶融液的溫度變動而被拉進於單晶中的不均勻條紋的間隔;及一種單晶培養方法,屬於藉由單晶拉起法培養單晶的單晶培養方法,其特徵為:將單晶培養時成長速度作為Y(mm/min),將結晶融液的濃度變動周期作為F(min),將結晶成長界面對於水平面的角度作為��時,V�F/Sin��成為一定範圍地,控制成長速度及/或溫度變動周期而培養單晶。由此,提供一種從與晶圓表面的加工條件不同觀點來改善毫微拓樸特性,可切出毫微拓樸特性,特別是測定2mm�2mm四方形的毫微拓樸特性優異的晶圓的單晶,及培養該單晶的單晶培養方法。
简体摘要：本发明的一种单晶,属于借由单晶拉起法所得到的单晶,其特征为:控制起因于结晶成长时的结晶融液的温度变动而被拉进於单晶中的不均匀条纹的间隔;及一种单晶培养方法,属于借由单晶拉起法培养单晶的单晶培养方法,其特征为:将单晶培养时成长速度作为Y(mm/min),将结晶融液的浓度变动周期作为F(min),将结晶成长界面对于水平面的角度作为��时,V�F/Sin��成为一定范围地,控制成长速度及/或温度变动周期而培养单晶。由此,提供一种从与晶圆表面的加工条件不同观点来改善毫微拓朴特性,可切出毫微拓朴特性,特别是测定2mm�2mm四方形的毫微拓朴特性优异的晶圆的单晶,及培养该单晶的单晶培养方法。

28. 发明专利

TW200930847A 單結晶直徑的檢測方法及單結晶提拉裝置审中-公开
简体标题：单结晶直径的检测方法及单结晶提拉设备
公开(公告)号：TW200930847A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097130085
申请日：2008-08-07
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：柳町隆弘 , 園川
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/28 , C30B15/26 , Y10T117/1004
摘要：本發明是提供一種單結晶直徑的檢測方法及一種具備用以檢測所提拉單結晶的直徑之攝影機及測力器兩者之單結晶提拉裝置;該單結晶直徑的檢測方法,是用以檢測藉由切克勞斯基法所培育的單結晶的直徑之方法,其特徵在於:使用攝影機與測力器兩者,各自檢測單結晶的直徑,並根據攝影機所檢出的直徑與藉由測力器所算出的直徑之差、及按照上述單結晶的成長速度所預先求得的修正係數��,來修正上述攝影機的檢出直徑,並且將藉由該修正所得到的値作為上述單結晶的直徑。藉此,能夠提升大口徑、高重量結晶的直徑之測定精確度,且能夠達成產率的提升及減少品質偏差。
简体摘要：本发明是提供一种单结晶直径的检测方法及一种具备用以检测所提拉单结晶的直径之摄影机及测力器两者之单结晶提拉设备;该单结晶直径的检测方法,是用以检测借由切克劳斯基法所培育的单结晶的直径之方法,其特征在于:使用摄影机与测力器两者,各自检测单结晶的直径,并根据摄影机所检出的直径与借由测力器所算出的直径之差、及按照上述单结晶的成长速度所预先求得的修正系数��,来修正上述摄影机的检出直径,并且将借由该修正所得到的値作为上述单结晶的直径。借此,能够提升大口径、高重量结晶的直径之测定精确度,且能够达成产率的提升及减少品质偏差。

29. 发明专利

TW200924065A 磊晶晶圓的製造方法及磊晶晶圓审中-公开
简体标题：磊晶晶圆的制造方法及磊晶晶圆
公开(公告)号：TW200924065A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097125613
申请日：2008-07-07
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：曲偉峰 , 小林裕之 , 佐山隆司 , 高見澤彰一 , 三谷清 , 戶田尚久 , 茂木均之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02658 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02634 , H01L21/26506
摘要：本發明是一種磊晶晶圓的製造方法,是在單晶矽基板上形成磊晶層之磊晶晶圓的製造方法,其特徵為:只有將碳離子植入N型單晶矽基板而形成碳離子植入層,隨後,在形成有該碳離子植入層之上述N型單晶矽基板的表面,形成上述磊晶層,並使從上述磊晶層至上述碳離子植入層之電阻率轉變區域的厚度為2微米以下。藉此,能夠提供一種磊晶晶圓的製造方法,可製造出具有低電阻率的離子植入層及高電阻率的磊晶層,且使兩層之間的電阻率轉變區域銳利化,同時不會因重金屬不純物而產生污染問題的磊晶晶圓。
简体摘要：本发明是一种磊晶晶圆的制造方法,是在单晶硅基板上形成磊晶层之磊晶晶圆的制造方法,其特征为:只有将碳离子植入N型单晶硅基板而形成碳离子植入层,随后,在形成有该碳离子植入层之上述N型单晶硅基板的表面,形成上述磊晶层,并使从上述磊晶层至上述碳离子植入层之电阻率转变区域的厚度为2微米以下。借此,能够提供一种磊晶晶圆的制造方法,可制造出具有低电阻率的离子植入层及高电阻率的磊晶层,且使两层之间的电阻率转变区域锐利化,同时不会因重金属不纯物而产生污染问题的磊晶晶圆。

30. 发明专利

TW200922745A 研磨頭及研磨裝置以及工件的剝離方法审中-公开
简体标题：研磨头及研磨设备以及工件的剥离方法
公开(公告)号：TW200922745A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW096144839
申请日：2007-11-26
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. , 不二越機械工業股份有限公司 FUJIKOSHI MACHINERY CORP.
发明人： 村壽 , 北川幸司 , 森田幸治 , 岸田敬實 , 荒川悟
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本發明提供一種研磨頭11,具有:圓盤狀托架13,在其周邊部形成有環狀突出部13a與托架閂鎖部13b;圓盤狀研磨頭本體12,在其外側形成有環狀研磨頭本體閂鎖部12a;隔膜14,其連結前述研磨頭本體及前述托架;及間隔物15,其是位於前述托架閂鎖部及/或研磨頭本體閂鎖部的一部分,且位於該托架閂鎖部與研磨頭本體閂鎖部之間;使前述研磨頭本體上升時,藉由前述托架閂鎖部及/或研磨頭本體閂鎖部與前述間隔物抵接,而使前述托架傾斜並舉起,來將工件W從研磨布剝離。藉此,能夠提供一種研磨頭,不必在研磨布形成溝槽、或使研磨頭從轉盤突出,亦能夠將保持有工件的研磨頭上升而容易且安全、確實地將工件從研磨布剝離。
简体摘要：本发明提供一种研磨头11,具有:圆盘状托架13,在其周边部形成有环状突出部13a与托架闩锁部13b;圆盘状研磨头本体12,在其外侧形成有环状研磨头本体闩锁部12a;隔膜14,其链接前述研磨头本体及前述托架;及间隔物15,其是位于前述托架闩锁部及/或研磨头本体闩锁部的一部分,且位于该托架闩锁部与研磨头本体闩锁部之间;使前述研磨头本体上升时,借由前述托架闩锁部及/或研磨头本体闩锁部与前述间隔物抵接,而使前述托架倾斜并举起,来将工件W从研磨布剥离。借此,能够提供一种研磨头,不必在研磨布形成沟槽、或使研磨头从转盘突出,亦能够将保持有工件的研磨头上升而容易且安全、确实地将工件从研磨布剥离。

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