专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

TWI394711B 獨立式靜電摻雜碳奈米管裝置和其製造方法失效
简体标题：独立式静电掺杂碳奈米管设备和其制造方法
公开(公告)号：TWI394711B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW095104244
申请日：2006-02-08
申请人：通用電機股份有限公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：李吉雍 , LEE, JI-UNG
IPC分类号： C01B31/00 , H01J1/00
CPC分类号： B81C1/00142 , B82B3/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G11C13/025 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/861 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/34 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/0554 , H01L51/0558 , H01L51/5012 , H01L51/5262 , Y02E10/549 , Y10S977/742 , Y10S977/938

12. 发明专利

TW201245265A 多環縮環化合物、多環縮環聚合物及含有該等之有機薄膜审中-公开
简体标题：多环缩环化合物、多环缩环聚合物及含有该等之有机薄膜
公开(公告)号：TW201245265A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101103099
申请日：2012-01-31
申请人：住友化學股份有限公司 , 國立大學法人大阪大學
发明人：三浦雅博 , 太田槙彌 , 平野康次 , 佐藤哲也 , 上田將人
IPC分类号： C08G , C07D , H01L
CPC分类号： H01L51/105 , C07D495/04 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/3243 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0545 , H01L51/0554
摘要：本發明之目的為提供一種具有可發揮高電荷輸送性之構造，同時對溶劑之溶解性亦優異的多環縮環聚合物。本發明係提供一種具有以式(1)表示的構造單位之多環縮環聚合物。
[式中，X 1 及X 2 係表示氧原子、硫原子或硒原子；R 1 及R 2 係表示鹵素原子、不飽和烷基、直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基、含直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基之非烷基、芳基、或1價雜環基；R 1 及R 2 中至少一方係表示烷氧基或烷硫基。R 3 及R 4 係表示1價基。R 0 係表示氫原子或1價基。m、n、s、t及r係各獨立地為0~2之整數]。
简体摘要：本发明之目的为提供一种具有可发挥高电荷输送性之构造，同时对溶剂之溶解性亦优异的多环缩环聚合物。本发明系提供一种具有以式(1)表示的构造单位之多环缩环聚合物。 [式中，X 1 及X 2 系表示氧原子、硫原子或硒原子；R 1 及R 2 系表示卤素原子、不饱和烷基、直链状、支链状或环状烷基、含直链状、支链状或环状烷基之非烷基、芳基、或1价杂环基；R 1 及R 2 中至少一方系表示烷氧基或烷硫基。R 3 及R 4 系表示1价基。R 0 系表示氢原子或1价基。m、n、s、t及r系各独立地为0~2之整数]。

13. 发明专利

TW201025692A 雙閘極場效電晶體及製造雙閘極場效電晶體的方法 DUAL GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF PRODUCING A DUAL GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：双闸极场效应管及制造双闸极场效应管的方法 DUAL GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF PRODUCING A DUAL GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201025692A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098136322
申请日：2009-10-27
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司
发明人：迪李由道格伯特邁可 , 凡哈爾鮑路斯艾伯圖斯 , T 赫夫特葛特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0554 , H01L51/0068 , H01L51/0562
摘要：本發明係關於一種雙閘極場效電晶體(1),其包括一第一介電質層與一第二介電質層(6、7)、一第一閘極電極與一第二閘極電極(9、11),及由至少一源極電極(3)、至少一汲極電極(4)及至少一有機半導體(5)組成之一總成(2),其中:-該源極電極(3)及該汲極電極(4)係與該半導體(5)相接觸;-該總成(2)係位於該第一介電質層(6)與該第二介電質層(7)之間;-該第一介電質層(6)係位於該第一閘極電極(9)與該總成(2)之一第一側(8)之間;及-該第二介電質層(7)係位於該第二閘極電極(11)與該總成(2)之一第二側(10)之間;其中該有機半導體(5)係一有機雙極傳導半導體(12),其實現在該總成(2)之該第一側(8)之至少一電子注入區域(18)及在該總成(2)之該第二側(19)之至少一電洞注入區域(18)。本發明進一步包括:包括至少一場效電晶體之一相應的發光裝置、一相應的感測器系統及一相應的記憶體裝置,以及製造一相應的雙閘極場效電晶體之一方法。
简体摘要：本发明系关于一种双闸极场效应管(1),其包括一第一介电质层与一第二介电质层(6、7)、一第一闸极电极与一第二闸极电极(9、11),及由至少一源极电极(3)、至少一汲极电极(4)及至少一有机半导体(5)组成之一总成(2),其中:-该源极电极(3)及该汲极电极(4)系与该半导体(5)相接触;-该总成(2)系位于该第一介电质层(6)与该第二介电质层(7)之间;-该第一介电质层(6)系位于该第一闸极电极(9)与该总成(2)之一第一侧(8)之间;及-该第二介电质层(7)系位于该第二闸极电极(11)与该总成(2)之一第二侧(10)之间;其中该有机半导体(5)系一有机双极传导半导体(12),其实现在该总成(2)之该第一侧(8)之至少一电子注入区域(18)及在该总成(2)之该第二侧(19)之至少一电洞注入区域(18)。本发明进一步包括:包括至少一场效应管之一相应的发光设备、一相应的传感器系统及一相应的内存设备,以及制造一相应的双闸极场效应管之一方法。

14. 发明专利

TWI292954B 三重閘裝置及其製造方法 TRI-GATE DEVICES AND METHODS OF FABRICATION 有权
简体标题：三重闸设备及其制造方法 TRI-GATE DEVICES AND METHODS OF FABRICATION
公开(公告)号：TWI292954B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW092123173
申请日：2003-08-22
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：羅博特S. 曹 ROBERT S. CHAU , 布萊恩S. 桃利 BRIAN S. DOYLE , 傑克卡瓦利羅司 JACK KAVALIEROS , 道格拉斯巴勒吉 DOUGLAS BARLAGE , 蘇曼達塔 SUMAN DATTA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/785 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/41791 , H01L29/42384 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/66795 , H01L29/772 , H01L29/7854 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/0048 , H01L51/0554 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/938
摘要：本發明為一種半導體裝置，包括具有一上表面及形成於一基板上之側向對立側壁之一半導體本體。一閘極電介質層被形成於該半導體本體之上表面以及該半導體本體之該等側向對立側壁上。一閘電極被形成於該半導體本體之上表面上之閘極電介質上以及鄰近該半導體本體之該等側向對立側壁上之閘極電介質。
简体摘要：本发明为一种半导体设备，包括具有一上表面及形成于一基板上之侧向对立侧壁之一半导体本体。一闸极电介质层被形成于该半导体本体之上表面以及该半导体本体之该等侧向对立侧壁上。一闸电极被形成于该半导体本体之上表面上之闸极电介质上以及邻近该半导体本体之该等侧向对立侧壁上之闸极电介质。

15. 发明专利

TW200733377A 藉場遮蔽之像素效能改善 PIXEL PERFORMANCE IMPROVEMENT BY USE OF A FIELD-SHIELD 审中-公开
简体标题：藉场屏蔽之像素性能改善 PIXEL PERFORMANCE IMPROVEMENT BY USE OF A FIELD-SHIELD
公开(公告)号：TW200733377A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095123598
申请日：2006-06-29
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：艾傑修特瑪 HUITEMA, EDZER , 傑溫吉林克 GELINCK, GERWIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G02F1/136213 , G02F1/167 , G02F2001/136218 , H01L27/12 , H01L27/3272 , H01L51/0512 , H01L51/0554
摘要：本發明揭示一種用於一主動型矩陣顯示器之像素單元(100)及製作該像素單元之方法,其包括一像素墊(110)及一耦合一信號以可有選擇地活化/鈍化該像素墊之薄膜場效應電晶體。一場遮蔽(112)形成於一絕緣層(102)上且經由該絕緣層連接至該像素墊以使該場遮蔽在該像素墊之至少一部分上延伸。該場遮蔽可在該薄膜電晶體上延伸且形成一用於增强該薄膜電晶體及該像素單元效能之第二閘極(215)。
简体摘要：本发明揭示一种用于一主动型矩阵显示器之像素单元(100)及制作该像素单元之方法,其包括一像素垫(110)及一耦合一信号以可有选择地活化/钝化该像素垫之薄膜场效应晶体管。一场屏蔽(112)形成于一绝缘层(102)上且经由该绝缘层连接至该像素垫以使该场屏蔽在该像素垫之至少一部分上延伸。该场屏蔽可在该薄膜晶体管上延伸且形成一用于增强该薄膜晶体管及该像素单元性能之第二闸极(215)。

16. 发明专利

TW201727902A 互補式穿隧ＦＥＴ裝置及其形成方法审中-公开
简体标题：互补式穿隧ＦＥＴ设备及其形成方法
公开(公告)号：TW201727902A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106109794
申请日：2014-11-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：艾利克索夫艾列克珊德 , ALEKSOV, ALEKSANDAR
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66977 , H01L21/8258 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/42392 , H01L29/7391 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7869 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0078 , H01L51/0533 , H01L51/0554 , H01L51/0562
摘要：揭示使用氧化物及/或有機半導體材料之形成互補式穿隧場效電晶體(TFET)的設備。一種型式的TFET包括：基底；摻雜的第一區，形成在基底上方，具有選自週期表的III-V、IV-IV、及IV族組成的群組之p型材料；摻雜的第二區，形成在基底上方，具有透明氧化物n型半導體材料；及，閘極堆疊，耦合至摻雜的第一及第二區。另一型式的TFET包括：基底；摻雜的第一區，形成在基底上方，具有p型有機半導體材料；摻雜的第二區，形成在基底上方，具有n型氧化物半導體材料；及，閘極堆疊，耦合至摻雜的源極和汲極區。在另一實例中，以有機唯半導體材料用於主動區而製造TFET。
简体摘要：揭示使用氧化物及/或有机半导体材料之形成互补式穿隧场效应管(TFET)的设备。一种型式的TFET包括：基底；掺杂的第一区，形成在基底上方，具有选自周期表的III-V、IV-IV、及IV族组成的群组之p型材料；掺杂的第二区，形成在基底上方，具有透明氧化物n型半导体材料；及，闸极堆栈，耦合至掺杂的第一及第二区。另一型式的TFET包括：基底；掺杂的第一区，形成在基底上方，具有p型有机半导体材料；掺杂的第二区，形成在基底上方，具有n型氧化物半导体材料；及，闸极堆栈，耦合至掺杂的源极和汲极区。在另一实例中，以有机唯半导体材料用于主动区而制造TFET。

17. 发明专利

TWI574402B 場效電晶體結構有权
简体标题：场效应管结构
公开(公告)号：TWI574402B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW105113196
申请日：2016-04-28
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：張俊彥 , CHANG, CHUN-YEN
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L27/105
CPC分类号： H01L51/0554 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L27/283 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0562 , H01L51/102 , H01L51/107

18. 发明专利

TWI492207B 液晶顯示裝置有权
简体标题：液晶显示设备
公开(公告)号：TWI492207B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW098138437
申请日：2009-11-12
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC分类号： G09G3/36 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/133528 , G02F2001/133638 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0847 , G09G2310/0254 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G09G2310/08 , G09G2320/043 , G11C19/28 , H01L51/0554 , H01L51/0575

19. 发明专利

TW201330281A 含蛋白質介電材料之有機浮閘極記憶體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：含蛋白质介电材料之有机浮闸极内存组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201330281A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101101236
申请日：2012-01-12
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：黃振昌 , HWANG, JENN CHANG , 蔡立軒 , TSAI, LI SHIUAN , 甘炯耀 , GAN, JON YIEW
IPC分类号： H01L29/788 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L51/0529 , B82Y10/00 , H01L51/0093 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/0554
摘要：本發明係有關於一種含蛋白質介電材料之有機浮閘極記憶體元件，包括：一基板；一閘極，係設於該基板上；一閘極介電層，係覆於該閘極；一浮閘極，係設於該閘極介電層上；一蛋白質介電層，係覆於該浮閘極上；以及一有機半導體層、一源極、及一汲極，係設於該蛋白質介電層上。
简体摘要：本发明系有关于一种含蛋白质介电材料之有机浮闸极内存组件，包括：一基板；一闸极，系设于该基板上；一闸极介电层，系覆于该闸极；一浮闸极，系设于该闸极介电层上；一蛋白质介电层，系覆于该浮闸极上；以及一有机半导体层、一源极、及一汲极，系设于该蛋白质介电层上。

20. 发明专利

TW201033986A 液晶顯示裝置 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE 审中-公开
简体标题：液晶显示设备 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TW201033986A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098138437
申请日：2009-11-12
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：木村肇
IPC分类号： G09G , G02F
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/133528 , G02F2001/133638 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0847 , G09G2310/0254 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G09G2310/08 , G09G2320/043 , G11C19/28 , H01L51/0554 , H01L51/0575
摘要：為了要抑制由於電晶體中的劣化所導致之電路的故障，在像素或電路中之連續輸出具有某一位準之信號(例如，L位準信號)的電晶體中，改變(反向)流過該電晶體之電流的方向；也就是說，藉由在每給定之週期改變所施加至第一端子及第二端子(用作源極及汲極之端子)的電壓之位準。特定地，在包含電晶體的電路中之連續輸出具有某一位準之信號(例如，L位準信號)的部分中，係使用具有複數個不同電位之L位準信號(其之電位係在每給定週期改變的L位準信號)以做為具有某一位準之信號。
简体摘要：为了要抑制由于晶体管中的劣化所导致之电路的故障，在像素或电路中之连续输出具有某一位准之信号(例如，L位准信号)的晶体管中，改变(反向)流过该晶体管之电流的方向；也就是说，借由在每给定之周期改变所施加至第一端子及第二端子(用作源极及汲极之端子)的电压之位准。特定地，在包含晶体管的电路中之连续输出具有某一位准之信号(例如，L位准信号)的部分中，系使用具有复数个不同电位之L位准信号(其之电位系在每给定周期改变的L位准信号)以做为具有某一位准之信号。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式