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1. 发明专利

TW202022681A 半導體裝置及電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备及电子设备
公开(公告)号：TW202022681A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108136531
申请日：2019-10-09
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA, HAJIME , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： G06G7/60 , G06N3/063 , G11C7/18 , H01L45/00
摘要：提供一種能夠以低功耗進行積和運算的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種包括第一、第二電路的半導體裝置，第一電路包括第一保持節點，第二電路包括第二保持節點。第一電路與第一、第二輸入佈線及第一、第二佈線電連接，第二電路與第一、第二輸入佈線及第一、第二佈線電連接，第一、第二電路的每一個具有將對應於第一資料的第一、第二電位保持在第一、第二保持節點的功能。藉由對第一、第二輸入佈線輸入對應於第二資料的電位，第一電路向第一佈線和第二佈線的一方輸出電流，第二電路向第一佈線和第二佈線的另一方輸出電流。第一、第二電路向第一佈線或第二佈線輸出的電流根據第一、第二保持節點所保持的第一、第二電位決定。
简体摘要：提供一种能够以低功耗进行积和运算的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种包括第一、第二电路的半导体设备，第一电路包括第一保持节点，第二电路包括第二保持节点。第一电路与第一、第二输入布线及第一、第二布线电连接，第二电路与第一、第二输入布线及第一、第二布线电连接，第一、第二电路的每一个具有将对应于第一数据的第一、第二电位保持在第一、第二保持节点的功能。借由对第一、第二输入布线输入对应于第二数据的电位，第一电路向第一布线和第二布线的一方输出电流，第二电路向第一布线和第二布线的另一方输出电流。第一、第二电路向第一布线或第二布线输出的电流根据第一、第二保持节点所保持的第一、第二电位决定。

2. 发明专利

TWI696027B 液晶顯示裝置有权
简体标题：液晶显示设备
公开(公告)号：TWI696027B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW109100483
申请日：2008-07-02
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 鈴木幸惠 , SUZUKI, YUKIE , 桑原秀明 , KUWABARA, HIDEAKI , 木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC分类号： G02F1/1368

3. 发明专利

TWI693721B 半導體裝置、顯示裝置、及電子裝置有权
简体标题：半导体设备、显示设备、及电子设备
公开(公告)号：TWI693721B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107114295
申请日：2006-11-24
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/50 , G09G3/30

4. 发明专利

TW202005097A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202005097A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108123615
申请日：2012-04-19
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要：半導體裝置包括像素電極和電晶體，該電晶體包括第一閘極電極，該第一閘極電極之上的第一絕緣層，該第一絕緣層之上的半導體層，該半導體層之上的第二絕緣層，及第二閘極電極。該像素電極和該第二閘極電極係設置在該第二絕緣層之上。該第一閘極電極具有與該半導體層重疊之區域，具有該第一絕緣層設置在其間。該第二閘極電極具有與該半導體層重疊之區域，具有該第二絕緣層設置在其間。第一區為該第二閘極電極與該半導體層重疊之區域的至少一部分。第二區為設置該像素電極之區域的至少一部分。該第二絕緣層在該第一區薄於在該第二區。
简体摘要：半导体设备包括像素电极和晶体管，该晶体管包括第一闸极电极，该第一闸极电极之上的第一绝缘层，该第一绝缘层之上的半导体层，该半导体层之上的第二绝缘层，及第二闸极电极。该像素电极和该第二闸极电极系设置在该第二绝缘层之上。该第一闸极电极具有与该半导体层重叠之区域，具有该第一绝缘层设置在其间。该第二闸极电极具有与该半导体层重叠之区域，具有该第二绝缘层设置在其间。第一区为该第二闸极电极与该半导体层重叠之区域的至少一部分。第二区为设置该像素电极之区域的至少一部分。该第二绝缘层在该第一区薄于在该第二区。

5. 发明专利

TWI675243B 液晶顯示裝置有权
简体标题：液晶显示设备
公开(公告)号：TWI675243B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107130485
申请日：2007-04-26
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA,HAJIME
IPC分类号： G02F1/1343

6. 发明专利

TWI667521B 液晶顯示裝置及包括多個像素的液晶顯示裝置有权
简体标题：液晶显示设备及包括多个像素的液晶显示设备
公开(公告)号：TWI667521B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW108106092
申请日：2006-11-27
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA, HAJIME , 魚地秀貴 , UOCHI, HIDEKI
IPC分类号： G02F1/1343

7. 发明专利

TWI666500B 液晶顯示裝置有权
简体标题：液晶显示设备
公开(公告)号：TWI666500B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW106146559
申请日：2008-07-02
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 鈴木幸惠 , SUZUKI, YUKIE , 桑原秀明 , KUWABARA, HIDEAKI , 木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC分类号： G02F1/1368

8. 发明专利

TWI665738B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI665738B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107111963
申请日：2009-12-03
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/1368

9. 发明专利

TWI663590B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI663590B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106143221
申请日：2011-09-06
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA, HAJIME , 梅崎敦司 , UMEZAKI, ATSUSHI
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/20

10. 发明专利

TW201921065A 液晶顯示裝置审中-公开
简体标题：液晶显示设备
公开(公告)号：TW201921065A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130485
申请日：2007-04-26
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：木村肇 , KIMURA,HAJIME
IPC分类号： G02F1/1343
摘要：藉由擴大驅動液晶的電極之間的間隔，可以控制施加到電極之間的電場的梯度，因此可以將最合適的電場施加到電極之間。本發明的技術要點如下：其包括形成在基板上的第一電極、形成在基板及第一電極上的絕緣膜、形成在絕緣膜上並具有形成有源極、通道區域、以及汲極的半導體膜的薄膜電晶體、位於半導體膜的上層並位於第一電極上且具有第一開口圖案的第二電極、以及配置在第二電極上的液晶。
简体摘要：借由扩大驱动液晶的电极之间的间隔，可以控制施加到电极之间的电场的梯度，因此可以将最合适的电场施加到电极之间。本发明的技术要点如下：其包括形成在基板上的第一电极、形成在基板及第一电极上的绝缘膜、形成在绝缘膜上并具有形成有源极、信道区域、以及汲极的半导体膜的薄膜晶体管、位于半导体膜的上层并位于第一电极上且具有第一开口图案的第二电极、以及配置在第二电极上的液晶。

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