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11. 发明专利

TWI591128B 矽氧化物奈米粒子及倍半矽氧烷聚合物之複合物及其製造方法、以及使用其複合物製造之複合材料有权
简体标题：硅氧化物奈米粒子及倍半硅氧烷聚合物之复合物及其制造方法、以及使用其复合物制造之复合材料
公开(公告)号：TWI591128B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102147175
申请日：2013-12-19
申请人： AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：吉田尙史 , YOSHIDA, NAOFUMI , 田代裕治 , TASHIRO, YUJI , 橫山大志 , YOKOYAMA, DAISHI , 野中敏章 , NONAKA, TOSHIAKI
IPC分类号： C08L83/06 , C08K3/34 , C08K9/04 , H01L21/31 , H01L33/44 , G02B5/30
CPC分类号： C08G77/04 , C08G77/045 , C08G77/08 , C08G77/16 , C08K3/36 , C08K2201/011 , C09D183/04 , C08L83/04

12. 发明专利

TW201434986A 矽氧化物奈米粒子及倍半矽氧烷聚合物之複合物及其製造方法、以及使用其複合物製造之複合材料审中-公开
简体标题：硅氧化物奈米粒子及倍半硅氧烷聚合物之复合物及其制造方法、以及使用其复合物制造之复合材料
公开(公告)号：TW201434986A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102147175
申请日：2013-12-19
申请人： AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：吉田尙史 , YOSHIDA, NAOFUMI , 田代裕治 , TASHIRO, YUJI , 橫山大志 , YOKOYAMA, DAISHI , 野中敏章 , NONAKA, TOSHIAKI
IPC分类号： C08L83/06 , C08K3/34 , C08K9/04 , H01L21/31 , H01L33/44 , G02B5/30
CPC分类号： C08G77/04 , C08G77/045 , C08G77/08 , C08G77/16 , C08K3/36 , C08K2201/011 , C09D183/04 , C08L83/04
摘要：本發明之課題在於提供一種矽氧化物奈米粒子及倍半矽氧烷聚合物之複合物，其能夠以低價形成低折射率的硬化膜。本發明之解決手段為一種矽氧化物奈米粒子及倍半矽氧烷聚合物之複合物的製造方法及一種藉此方法而製造的複合物，該複合物的製造方法係在水性溶媒與有機性溶媒的混合溶媒中，於相間轉移觸媒的存在下使末端具有矽烷醇基之倍半矽氧烷聚合物或矽烷單體與表面具有羥基或烷氧基之矽氧化物奈米粒子反應。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种硅氧化物奈米粒子及倍半硅氧烷聚合物之复合物，其能够以低价形成低折射率的硬化膜。本发明之解决手段为一种硅氧化物奈米粒子及倍半硅氧烷聚合物之复合物的制造方法及一种借此方法而制造的复合物，该复合物的制造方法系在水性溶媒与有机性溶媒的混合溶媒中，于相间转移触媒的存在下使末端具有硅烷醇基之倍半硅氧烷聚合物或硅烷单体与表面具有羟基或烷氧基之硅氧化物奈米粒子反应。

13. 发明专利

TW201426193A 正型感光性矽氧烷組成物审中-公开
简体标题：正型感光性硅氧烷组成物
公开(公告)号：TW201426193A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102142242
申请日：2013-11-20
申请人： AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：野中敏章 , NONAKA, TOSHIAKI , 橫山大志 , YOKOYAMA, DAISHI , 福家崇司 , FUKE, TAKASHI , 田代裕治 , TASHIRO, YUJI
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/039
CPC分类号： C08J5/18 , C08G77/14 , C08G77/80 , C08J2383/06 , C08L83/04 , C09D183/04 , G03F7/0233 , G03F7/0757 , C08L83/00 , C08K5/235
摘要：本發明之課題係提供一種正型感光性矽氧烷組成物，其可形成高解析度、高耐熱性、高透明性之圖案，又能減低圖案形成時之顯像殘渣或未溶解殘餘物等難溶物之再附著所造成的圖案缺陷。本發明之解決手段為提供一種正型感光性矽氧烷組成物，其係含有(I)對於氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液之溶解速度不同的至少2種以上的聚矽氧烷、(II)具有矽烷醇以外之TMAH水溶液可溶性基的聚矽氧烷、(III)重氮萘醌衍生物、及(IV)溶劑的正型感光性矽氧烷組成物，其特徵為：該聚矽氧烷(I)係下述(A)與(B)之混合物：(A)係將通式(1)：R1nSi(OR2)4-n (式中，R1表示任意亞甲基可經氧取代之碳數1~20之直鏈狀、分枝狀或環狀烷基，或任意氫可經氟取代之碳數6~20之芳基；R2表示碳數1~5之烷基；n表示0或1)所示之矽烷化合物於鹼性觸媒存在下水解‧縮合所得到的聚矽氧烷(Ia)，該聚矽氧烷(Ia)預烘烤後之膜可溶於5重量%TMAH水溶液，且其溶解速度為1,000Å/秒以下，(B)係將該通式(1)所示之矽烷化合物於酸性或鹼性觸媒存在下水解‧縮合所得到之聚矽氧烷(Ib)，該聚矽氧烷(Ib)預烘烤後之膜，對於2.38重量%TMAH水溶液之溶解速度為4000Å/秒以上；該混合物對於2.38重量%TMAH水溶液之溶解速度為50~1,000Å/秒，又，該具有矽烷醇以外之氫氧化四甲銨水溶液可溶性基的聚矽氧烷(II)，其預烘烤後之膜對於2.38%重量TMAH水溶液之溶解速度為50~1,000Å/秒。
简体摘要：本发明之课题系提供一种正型感光性硅氧烷组成物，其可形成高分辨率、高耐热性、高透明性之图案，又能减低图案形成时之显像残渣或未溶解残余物等难溶物之再附着所造成的图案缺陷。本发明之解决手段为提供一种正型感光性硅氧烷组成物，其系含有(I)对于氢氧化四甲铵(TMAH)水溶液之溶解速度不同的至少2种以上的聚硅氧烷、(II)具有硅烷醇以外之TMAH水溶液可溶性基的聚硅氧烷、(III)重氮萘醌衍生物、及(IV)溶剂的正型感光性硅氧烷组成物，其特征为：该聚硅氧烷(I)系下述(A)与(B)之混合物：(A)系将通式(1)：R1nSi(OR2)4-n (式中，R1表示任意亚甲基可经氧取代之碳数1~20之直链状、分枝状或环状烷基，或任意氢可经氟取代之碳数6~20之芳基；R2表示碳数1~5之烷基；n表示0或1)所示之硅烷化合物于碱性触媒存在下水解‧缩合所得到的聚硅氧烷(Ia)，该聚硅氧烷(Ia)预烘烤后之膜可溶于5重量%TMAH水溶液，且其溶解速度为1,000Å/秒以下，(B)系将该通式(1)所示之硅烷化合物于酸性或碱性触媒存在下水解‧缩合所得到之聚硅氧烷(Ib)，该聚硅氧烷(Ib)预烘烤后之膜，对于2.38重量%TMAH水溶液之溶解速度为4000Å/秒以上；该混合物对于2.38重量%TMAH水溶液之溶解速度为50~1,000Å/秒，又，该具有硅烷醇以外之氢氧化四甲铵水溶液可溶性基的聚硅氧烷(II)，其预烘烤后之膜对于2.38%重量TMAH水溶液之溶解速度为50~1,000Å/秒。

14. 发明专利

TWI591129B 金屬氧化物奈米粒子及倍半矽氧烷聚合物之複合物及其製造方法、以及使用其複合物製造之複合材料有权
简体标题：金属氧化物奈米粒子及倍半硅氧烷聚合物之复合物及其制造方法、以及使用其复合物制造之复合材料
公开(公告)号：TWI591129B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102147176
申请日：2013-12-19
申请人： AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：吉田尙史 , YOSHIDA, NAOFUMI , 田代裕治 , TASHIRO, YUJI , 橫山大志 , YOKOYAMA, DAISHI , 田中泰明 , TANAKA, YASUAKI , 福家崇司 , FUKE, TAKASHI , 高橋惠 , TAKAHASHI, MEGUMI , 野中敏章 , NONAKA, TOSHIAKI
IPC分类号： C08L83/06 , C08K3/22 , C08K9/04 , H01L21/31 , H01L33/44
CPC分类号： C08G77/398 , B82Y30/00 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/08 , C08G77/16 , C08G77/58 , C08G79/00 , C08K3/22 , C08K2201/005 , C08K2201/011 , C08L83/04 , C08L83/06 , C09D183/04

15. 发明专利

TWI567498B 負型感光性矽氧烷組成物有权
简体标题：负型感光性硅氧烷组成物
公开(公告)号：TWI567498B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW102112116
申请日：2013-04-03
申请人： AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：橫山大志 , YOKOYAMA, DAISHI , 能谷敦子 , NOYA, ATSUKO , 田代裕治 , TASHIRO, YUJI , 吉田尙史 , YOSHIDA, NAOFUMI , 田中泰明 , TANAKA, YASUAKI , 福家崇司 , FUKE, TAKASHI , 高橋惠 , TAKAHASHI, MEGUMI , 谷口克人 , TANIGUCHI, KATSUTO , 野中敏章 , NONAKA, TOSHIAKI
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/038 , G03F7/0755 , G03F7/40

16. 发明专利

TW201629631A 正型感光性矽氧烷組成物、有源矩陣基板、顯示裝置、以及有源矩陣基板之製造方法。审中-公开
简体标题：正型感光性硅氧烷组成物、有源矩阵基板、显示设备、以及有源矩阵基板之制造方法。
公开(公告)号：TW201629631A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105103763
申请日：2016-02-04
申请人：堺顯示器製品股份有限公司 , SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION , AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：野寺伸武 , NODERA, NOBUTAKE , 篠塚章宏 , SHINOZUKA, AKIHIRO , 小岩真司 , KOIWA, SHINJI , 加藤真裕 , KATO, MASAHIRO , 松本隆夫 , MATSUMOTO, TAKAO , 福家崇司 , FUKE, TAKASHI , 橫山大志 , YOKOYAMA, DAISHI , 谷口克人 , TANIGUCHI, KATSUTO
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/039 , G03F7/022 , H01L21/336 , H01L21/312 , H01L21/32 , H01L21/8232 , G09F9/00
CPC分类号： G03F7/075 , C08G73/08 , C08G77/04 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G03F7/023
摘要：本發明提供一種正型感光性矽氧烷組成物，其所形成之膜具有高耐熱性、高強度、及高裂痕耐性，不產省副產物，能抑制不良之發生，容易且低價地形成層間絕緣膜，及透過率良好之正源矩陣基板、具有該正源矩陣基板之顯示裝置，以及該正源矩陣基板之製造方法。正源矩陣基板30，係絕緣基板10上，具有互相平行延伸設置之複數的柵極線11與，各柵極線11交叉方向互相平行延伸設置之複數的源極線12。源極線12之下側，含有柵極線11與源極線12之交叉部分，介在層間絕緣膜14及柵極絕緣膜15。層間絕緣膜14係使用正型感光性矽氧烷組成物，不使用光阻而形成。
简体摘要：本发明提供一种正型感光性硅氧烷组成物，其所形成之膜具有高耐热性、高强度、及高裂痕耐性，不产省副产物，能抑制不良之发生，容易且低价地形成层间绝缘膜，及透过率良好之正源矩阵基板、具有该正源矩阵基板之显示设备，以及该正源矩阵基板之制造方法。正源矩阵基板30，系绝缘基板10上，具有互相平行延伸设置之复数的栅极线11与，各栅极线11交叉方向互相平行延伸设置之复数的源极线12。源极线12之下侧，含有栅极线11与源极线12之交叉部分，介在层间绝缘膜14及栅极绝缘膜15。层间绝缘膜14系使用正型感光性硅氧烷组成物，不使用光阻而形成。

17. 发明专利

TW201437765A 負型感光性矽氧烷組成物审中-公开
简体标题：负型感光性硅氧烷组成物
公开(公告)号：TW201437765A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103105399
申请日：2014-02-19
申请人： AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：橫山大志 , YOKOYAMA, DAISHI , 田代裕治 , TASHIRO, YUJI , 野中敏章 , NONAKA, TOSHIAKI , 平原衣梨 , HIRAHARA, ERI , 帕洛斯基喬治 , PAWLOWSKI, GEORGE
IPC分类号： G03F7/075 , C08G77/04 , C08K5/3437 , H01L21/027
摘要：本發明之課題係提供一種具有高感度與高殘膜率特性的感光性矽氧烷組成物，其係高解析度、高抗熱性、高透明性，不致提高交聯劑或矽氧烷化合物之分子量，而可抑制熱硬化中易於發生的熱下垂。本發明之解決方法係一種負型感光性聚矽氧烷組成物，其特徵為包含(I)聚矽氧烷、(II)藉由照射放射線而釋出酸的芳香族醯亞胺化合物、以及(III)溶劑。
简体摘要：本发明之课题系提供一种具有高感度与高残膜率特性的感光性硅氧烷组成物，其系高分辨率、高抗热性、高透明性，不致提高交联剂或硅氧烷化合物之分子量，而可抑制热硬化中易于发生的热下垂。本发明之解决方法系一种负型感光性聚硅氧烷组成物，其特征为包含(I)聚硅氧烷、(II)借由照射放射线而发佈酸的芳香族酰亚胺化合物、以及(III)溶剂。

18. 发明专利

TW201434987A 金屬氧化物奈米粒子及倍半矽氧烷聚合物之複合物及其製造方法、以及使用其複合物製造之複合材料审中-公开
简体标题：金属氧化物奈米粒子及倍半硅氧烷聚合物之复合物及其制造方法、以及使用其复合物制造之复合材料
公开(公告)号：TW201434987A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102147176
申请日：2013-12-19
申请人： AZ電子材料盧森堡有限公司 , AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.
发明人：吉田尙史 , YOSHIDA, NAOFUMI , 田代裕治 , TASHIRO, YUJI , 橫山大志 , YOKOYAMA, DAISHI , 田中泰明 , TANAKA, YASUAKI , 福家崇司 , FUKE, TAKASHI , 高橋惠 , TAKAHASHI, MEGUMI , 野中敏章 , NONAKA, TOSHIAKI
IPC分类号： C08L83/06 , C08K3/22 , C08K9/04 , H01L21/31 , H01L33/44
CPC分类号： C08G77/398 , B82Y30/00 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/08 , C08G77/16 , C08G77/58 , C08G79/00 , C08K3/22 , C08K2201/005 , C08K2201/011 , C08L83/04 , C08L83/06 , C09D183/04
摘要：本發明之課題在於提供一種金屬氧化物奈米粒子及倍半矽氧烷聚合物之複合物，其在硬化過程中不會發生金屬氧化物的凝集等，而能夠形成金屬氧化物均勻地分散之高品質的硬化膜。本發明之解決手段為金屬氧化物奈米粒子及倍半矽氧烷聚合物之複合物的製造方法及一種藉此方法而製造的複合物，該複合物的製造方法係在水性溶媒中，於相間轉移觸媒的存在下使末端具有矽烷醇基之倍半矽氧烷聚合物或矽烷單體與表面具有羥基或烷氧基之金屬氧化物奈米粒子反應。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种金属氧化物奈米粒子及倍半硅氧烷聚合物之复合物，其在硬化过程中不会发生金属氧化物的凝集等，而能够形成金属氧化物均匀地分散之高品质的硬化膜。本发明之解决手段为金属氧化物奈米粒子及倍半硅氧烷聚合物之复合物的制造方法及一种借此方法而制造的复合物，该复合物的制造方法系在水性溶媒中，于相间转移触媒的存在下使末端具有硅烷醇基之倍半硅氧烷聚合物或硅烷单体与表面具有羟基或烷氧基之金属氧化物奈米粒子反应。

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