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    • 18. 发明专利
    • 電漿輔助薄膜沉積方法 PLASMA ENHANCED THIN FILM DEPOSITION METHOD
    • 等离子辅助薄膜沉积方法 PLASMA ENHANCED THIN FILM DEPOSITION METHOD
    • TWI350006B
    • 2011-10-01
    • TW096137384
    • 2007-10-05
    • 財團法人工業技術研究院
    • 杜陳忠黃振榮梁沐旺張志振李昇亮吳慶輝羅展興
    • H01LC23C
    • C23C16/52C23C16/24C23C16/50
    • 一種電漿輔助薄膜沉積方法,提供一電漿薄膜沉積裝置以供輸入脈衝電源與製程氣體,以及提供一電漿製程監控裝置,藉由脈衝電源與製程反應氣體作用產生電漿放電解離製程反應氣體成活性物種,以進行薄膜沉積製程;該電漿製程監控裝置包括一電漿成分光學放射光譜儀(Optical emission spectroscopy,OES)以及一脈衝電漿調變程序裝置,由該電漿成分光學放射光譜儀偵測電漿成分中活性物種之光譜強度值,再經由脈衝電漿調變程序裝置計算活性物種間之光譜強度比值,據以調變適當的脈衝電源電漿作用時間(Plasma duty time)及功率,可在微晶矽沉積的範圍內獲得高沉積速率,並即時掌控最佳薄膜沉積品質。
    • 一种等离子辅助薄膜沉积方法,提供一等离子薄膜沉积设备以供输入脉冲电源与制程气体,以及提供一等离子制程监控设备,借由脉冲电源与制程反应气体作用产生等离子放电解离制程反应气体成活性物种,以进行薄膜沉积制程;该等离子制程监控设备包括一等离子成分光学放射光谱仪(Optical emission spectroscopy,OES)以及一脉冲等离子调制进程设备,由该等离子成分光学放射光谱仪侦测等离子成分中活性物种之光谱强度值,再经由脉冲等离子调制进程设备计算活性物种间之光谱强度比值,据以调制适当的脉冲电源等离子作用时间(Plasma duty time)及功率,可在微晶硅沉积的范围内获得高沉积速率,并实时掌控最佳薄膜沉积品质。