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11. 发明专利

TW201806107A 利用光刻桶的嵌刻栓塞及突片圖案化以用於後段製程（ＢＥＯＬ）基於隔層的互連审中-公开
简体标题：利用光刻桶的嵌刻栓塞及突片图案化以用于后段制程（ＢＥＯＬ）基于隔层的互连
公开(公告)号：TW201806107A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106113319
申请日：2017-04-20
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林啟文 , LIN, KEVIN , 布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E.
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/768
摘要：說明了利用光刻桶的嵌刻栓塞及突片圖案化以用於後段製程(BEOL)基於隔層的互連。在範例中，用於半導體結構的後段製程(BEOL)金屬化層包括配置在基板上方的層間介電(ILD)層。複數條導線係沿著第一方向配置在ILD層中。導電突片配置在ILD層中。導電突片沿著正交於第一方向的第二方向將複數條導線中之兩條耦接。
简体摘要：说明了利用光刻桶的嵌刻栓塞及突片图案化以用于后段制程(BEOL)基于隔层的互连。在范例中，用于半导体结构的后段制程(BEOL)金属化层包括配置在基板上方的层间介电(ILD)层。复数条导线系沿着第一方向配置在ILD层中。导电突片配置在ILD层中。导电突片沿着正交于第一方向的第二方向将复数条导线中之两条耦接。

12. 发明专利

TW201804592A 用於後段製程(BEOL)間隔物為基內連之以光桶來圖案化的削減栓塞與突片审中-公开
简体标题：用于后段制程(BEOL)间隔物为基内连之以光桶来图案化的削减栓塞与突片
公开(公告)号：TW201804592A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106113320
申请日：2017-04-20
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林啟文 , LIN, KEVIN , 布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E.
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L21/768
摘要：用於後段製程(BEOL)間隔物為基內連之以光桶來圖案化的削減栓塞與突片係被說明。於一範例中，用於半導體結構之後段製程(BEOL)金屬化層包括被設置於基板上面之層間介電質(ILD)層。複數條導線係沿第一方向被設置於該ILD層中。導電突片係被設置於該ILD層中，該導電突片耦接沿正交該第一方向的第二方向之該等複數條導線的其中兩條。導電通孔係耦接該等複數條導線之其中一條，該導電通孔具有通孔硬遮罩於其上。該ILD層、該等複數條導線、該導電突片、及該通孔硬遮罩中之各者的最上面的表面係彼此在同一平面上。
简体摘要：用于后段制程(BEOL)间隔物为基内连之以光桶来图案化的削减栓塞与突片系被说明。于一范例中，用于半导体结构之后段制程(BEOL)金属化层包括被设置于基板上面之层间介电质(ILD)层。复数条导线系沿第一方向被设置于该ILD层中。导电突片系被设置于该ILD层中，该导电突片耦接沿正交该第一方向的第二方向之该等复数条导线的其中两条。导电通孔系耦接该等复数条导线之其中一条，该导电通孔具有通孔硬遮罩于其上。该ILD层、该等复数条导线、该导电突片、及该通孔硬遮罩中之各者的最上面的表面系彼此在同一平面上。

13. 发明专利

TW201721742A 用於具有取代層間介電質（ＩＬＤ）的積體電路結構的方法、設備及系統审中-公开
简体标题：用于具有取代层间介电质（ＩＬＤ）的集成电路结构的方法、设备及系统
公开(公告)号：TW201721742A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105125008
申请日：2016-08-05
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：辛格肯瓦爾吉 , SINGH, KANWALJIT , 林啟文 , LIN, KEVIN , 喬拉詹斯密特 , CHAWLA, JASMEET S. , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E.
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/76816 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76807 , H01L21/76834 , H01L21/76885 , H01L21/76897
摘要：本發明揭露之實施例說明了與具有被配置在一第一ILD層上的一取代層間介電質(ILD)層的一積體電路(IC)結構相關聯之技術及組態。可在該第一ILD層上形成一犧牲層。可在該犧牲層中產生溝槽的圖案，且形成該等溝槽，使該等溝槽被配置在該第一ILD層上。可在該等溝槽之下的該第一ILD層中產生通孔的圖案，且形成該等通孔。在形成了該等溝槽之後，可移除該犧牲層，且可在該等溝槽之間的該第一ILD層上形成該取代ILD層(例如，一第二ILD層)。可說明其他實施例且/或要求其他實施例的專利範圍。
简体摘要：本发明揭露之实施例说明了与具有被配置在一第一ILD层上的一取代层间介电质(ILD)层的一集成电路(IC)结构相关联之技术及组态。可在该第一ILD层上形成一牺牲层。可在该牺牲层中产生沟槽的图案，且形成该等沟槽，使该等沟槽被配置在该第一ILD层上。可在该等沟槽之下的该第一ILD层中产生通孔的图案，且形成该等通孔。在形成了该等沟槽之后，可移除该牺牲层，且可在该等沟槽之间的该第一ILD层上形成该取代ILD层(例如，一第二ILD层)。可说明其他实施例且/或要求其他实施例的专利范围。

14. 发明专利

TW201705421A 有未著陸的通孔溶液的用於電容利益的由多立克（ＤＯＲＩＣ）柱支撐的無遮罩的空氣隙审中-公开
简体标题：有未着陆的通孔溶液的用于电容利益的由多立克（ＤＯＲＩＣ）柱支撑的无遮罩的空气隙
公开(公告)号：TW201705421A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105115347
申请日：2016-05-18
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：辛格肯瓦爾 , SINGH, KANWAL JIT , 林啟文 , LIN, KEVIN , 布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT LINDSEY
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L21/764 , H01L21/76808 , H01L21/76816 , H01L21/7682 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L23/49827 , H01L23/5222 , H01L23/5226
摘要：本發明的實施方式包含有浮動互連線的互連層及形成此互連層的方法。於實施方式中，複數開口形成於第一犧牲材料層中。導電通孔及介電質柱可形成於開口中。第二犧牲材料層可之後形成於柱、通孔及第一犧牲材料層上。於實施方式中，可滲透蝕刻停止層形成於第二犧牲層的頂表面上。實施方式之後包含形成互連線於第二犧牲材料層中。於實施方式中，在已形成互連線後，第一及第二犧牲材料層穿過可滲透蝕刻停止層而移除。根據實施方式，可滲透蝕刻停止層可之後以填充材料填充以硬化可滲透蝕刻停止層。
简体摘要：本发明的实施方式包含有浮动互连接的互连层及形成此互连层的方法。于实施方式中，复数开口形成于第一牺牲材料层中。导电通孔及介电质柱可形成于开口中。第二牺牲材料层可之后形成于柱、通孔及第一牺牲材料层上。于实施方式中，可渗透蚀刻停止层形成于第二牺牲层的顶表面上。实施方式之后包含形成互连接于第二牺牲材料层中。于实施方式中，在已形成互连接后，第一及第二牺牲材料层穿过可渗透蚀刻停止层而移除。根据实施方式，可渗透蚀刻停止层可之后以填充材料填充以硬化可渗透蚀刻停止层。

15. 发明专利

TW201819283A 石墨烯奈米帶互連體和互連體襯墊审中-公开
简体标题：石墨烯奈米带互连体和互连体衬垫
公开(公告)号：TW201819283A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106128460
申请日：2017-08-22
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：梅斯特雷卡洛阿蘭薩蘇 , MAESTRE CARO, ARANZAZU , 喬拉詹斯密特 , CHAWLA, JASMEET , 林啟文 , LIN, KEVIN , 考迪洛羅曼 , CAUDILLO, ROMAN , 托羅斯潔西卡 , TORRES, JESSICA
IPC分类号： B82B1/00 , H01L21/60
摘要：敘述了石墨奈米帶互連體。石墨奈米帶互連體藉由在金屬部件成長催化劑上形成石墨層(例如石墨烯)來製造。金屬部件成長催化劑被選擇性地移除，留下石墨奈米帶剩餘作為互連體。石墨奈米帶互連體具有厚度0.3奈米(nm)至2奈米以及至少40奈米的高度。導電石墨奈米帶互連體克服包含習知組合的互連體襯墊的需要。再者，相比於習知的襯墊，減少的石墨奈米帶互連體之部件尺寸能夠有較大的互連體密度和半導體裝置密度。
简体摘要：叙述了石墨奈米带互连体。石墨奈米带互连体借由在金属部件成长催化剂上形成石墨层(例如石墨烯)来制造。金属部件成长催化剂被选择性地移除，留下石墨奈米带剩余作为互连体。石墨奈米带互连体具有厚度0.3奈米(nm)至2奈米以及至少40奈米的高度。导电石墨奈米带互连体克服包含习知组合的互连体衬垫的需要。再者，相比于习知的衬垫，减少的石墨奈米带互连体之部件尺寸能够有较大的互连体密度和半导体设备密度。

16. 发明专利

TW201814834A 石墨烯奈米帶互連及互連襯墊审中-公开
简体标题：石墨烯奈米带互连及互连衬垫
公开(公告)号：TW201814834A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106127810
申请日：2017-08-16
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：梅斯特雷卡洛阿蘭薩蘇 , MAESTRE CARO, ARANZAZU , 喬拉詹斯密特 , CHAWLA, JASMEET S. , 林啟文 , LIN, KEVIN , 考迪洛羅曼 , CAUDILLO, ROMAN , 托羅斯潔西卡 , TORRES, JESSICA M.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768
摘要：本發明敘述了石墨奈米帶互連。石墨奈米帶互連藉由在金屬特徵成長催化劑上形成石墨層(例如石墨烯)來製造。金屬特徵成長催化劑被選擇性地去除，留下石墨奈米帶剩餘作為互連。石墨奈米帶互連具有厚度0.3奈米(nm)至2奈米以及至少40奈米的高度。導電石墨奈米帶互連克服包括習知組合的互連襯墊的需要。再者，相比於習知的襯墊，減少的石墨奈米帶互連之特徵尺寸能夠有較大的互連密度和半導體裝置密度。
简体摘要：本发明叙述了石墨奈米带互连。石墨奈米带互连借由在金属特征成长催化剂上形成石墨层(例如石墨烯)来制造。金属特征成长催化剂被选择性地去除，留下石墨奈米带剩余作为互连。石墨奈米带互连具有厚度0.3奈米(nm)至2奈米以及至少40奈米的高度。导电石墨奈米带互连克服包括习知组合的互连衬垫的需要。再者，相比于习知的衬垫，减少的石墨奈米带互连之特征尺寸能够有较大的互连密度和半导体设备密度。

17. 发明专利

TW201814801A 半導體互連中的通孔及間隙审中-公开
简体标题：半导体互连中的通孔及间隙
公开(公告)号：TW201814801A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106127812
申请日：2017-08-16
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：林啟文 , LIN, KEVIN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/76
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/768 , H01L23/5222 , H01L23/53295
摘要：本揭示係用於在互連中的無遮罩間隙集成的系統和方法，互連具有在一或多條互連線(例如，金屬互連線)之上的一或多個通孔。在各種實施例中，本揭示所描述的系統和方法可用於減少在互連中相鄰通孔之間的電性短路。在一個實施例中，可提供間隔層來遮蔽互連中的層間介電質(ILD)的部分。於互連的製造順序中，ILD的這些被遮蔽的部分可保護相鄰互連線之間的區域在後續金屬層沉積期間免於電性短路。此外，在各種實施例中，通孔可包圍間隙(例如，氣隙)，而不需要額外的遮蔽步驟，舉例來說，不需要額外的微影步驟。
简体摘要：本揭示系用于在互连中的无遮罩间隙集成的系统和方法，互连具有在一或多条互连接(例如，金属互连接)之上的一或多个通孔。在各种实施例中，本揭示所描述的系统和方法可用于减少在互连中相邻通孔之间的电性短路。在一个实施例中，可提供间隔层来屏蔽互连中的层间介电质(ILD)的部分。于互连的制造顺序中，ILD的这些被屏蔽的部分可保护相邻互连接之间的区域在后续金属层沉积期间免于电性短路。此外，在各种实施例中，通孔可包围间隙(例如，气隙)，而不需要额外的屏蔽步骤，举例来说，不需要额外的微影步骤。

18. 发明专利

TWI564240B 用於靜摩擦力補償的磁性奈米機械裝置有权
简体标题：用于静摩擦力补偿的磁性奈米机械设备
公开(公告)号：TWI564240B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104116275
申请日：2015-05-21
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：穆諾斯豪爾赫 , MUNOZ, JORGE A. , 尼可諾夫狄米崔 , NIKONOV, DMITRI E. , 坎恩克萊恩 , KUHN, KELIN J. , 希爾凡尼斯派翠克 , THEOFANIS, PATRICK , 帕瓦席奇川 , PAWASHE, CHYTRA , 林啟文 , LIN, KEVIN , 金世淵 , KIM, SEIYON
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： B82B1/005 , B81B3/0016 , B81B7/02 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B82B1/002 , B82B3/0023 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01H1/0094 , H01H1/54 , H01H59/0009 , H01L29/66227 , H01L29/82 , H01L29/84 , Y10S977/732 , Y10S977/838 , Y10S977/888 , Y10S977/938

19. 发明专利

TW201635470A 產生具有增加重疊邊界的交替硬遮罩覆蓋互連結構之新穎方法审中-公开
简体标题：产生具有增加重叠边界的交替硬遮罩覆盖互链接构之新颖方法
公开(公告)号：TW201635470A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138811
申请日：2015-11-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 喬拉詹斯密特 , CHAWLA, JASMEET S. , 格斯坦弗羅瑞恩 , GSTREIN, FLORIAN , 韓應諾 , HAN, EUNGNAK , 胡拉尼拉米 , HOURANI, RAMI , 林啟文 , LIN, KEVIN , 史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 洋金陶德 , YOUNKIN, TODD R.
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/76808 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76897 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2221/1026
摘要：本發明的實施例包括互連結構與形成此等結構之方法。在實施例中，互連結構可包括層間介電質(ILD)，其中第一硬遮罩層位於ILD之頂表面上。某些實施例包括位於ILD中的一或多條第一互連線與定位於每一條第一互連線上的第一介電質頂蓋。例如，第一介電質頂蓋的表面可接觸第一硬遮罩層的頂表面。實施例也可包括ILD中的一或多條第二互連線，與第一互連線呈交替的式樣配置。在實施例中，第二介電質頂蓋係形成在每一條第二互連線的頂表面之上。例如，第二介電質頂蓋的表面接觸第一硬遮罩層的頂表面。
简体摘要：本发明的实施例包括互链接构与形成此等结构之方法。在实施例中，互链接构可包括层间介电质(ILD)，其中第一硬遮罩层位于ILD之顶表面上。某些实施例包括位于ILD中的一或多条第一互连接与定位于每一条第一互连接上的第一介电质顶盖。例如，第一介电质顶盖的表面可接触第一硬遮罩层的顶表面。实施例也可包括ILD中的一或多条第二互连接，与第一互连接呈交替的式样配置。在实施例中，第二介电质顶盖系形成在每一条第二互连接的顶表面之上。例如，第二介电质顶盖的表面接触第一硬遮罩层的顶表面。

20. 发明专利

TWI697993B 使通孔自對準至緊密間距金屬互連層的頂部及底部的結構及方法有权
简体标题：使通孔自对准至紧密间距金属互连层的顶部及底部的结构及方法
公开(公告)号：TWI697993B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW104138812
申请日：2015-11-23
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：史肯克理查 , SCHENKER, RICHARD E. , 曼尼許錢霍克 , CHANDHOK, MANISH , 布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 科布林斯基莫羅 , KOBRINSKY, MAURO J. , 林啟文 , LIN, KEVIN
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/60

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