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11. 发明专利

TW200608817A 浮動閘極式駐極體電容麥克風及其製造方法失效
简体标题：浮动闸极式驻极体电容麦克风及其制造方法
公开(公告)号：TW200608817A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW093124797
申请日：2004-08-18
申请人：國立中興大學 NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：林泓均 LIN, HONG CHIN , 洪瑞華 , 張昭智
IPC分类号： H04R
摘要：本發明提供一種浮動閘極式駐極體電容麥克風及其製造方法。該浮動閘極式駐極體電容麥克風包含一可電性連結於一電路板上的基座，及一封裝於該基座中的電容式麥克風晶片，該電容式麥克風晶片是利用二相間隔的導體層及一形成在此二導體層間的浮動閘極式駐極體形成電容，使當聲能作用時電容對應變化，而可轉換成電子訊號傳輸。該製造方法是利用半導體製程與微機電製程在矽基材上形成浮動閘極式駐極體電容的電容式麥克風晶片，再將此電容式麥克風晶片封裝入一可電性連結於電子產品之電路板的基座中，完成浮動閘極式駐極體電容麥克風的製備。
简体摘要：本发明提供一种浮动闸极式驻极体电容麦克风及其制造方法。该浮动闸极式驻极体电容麦克风包含一可电性链接于一电路板上的基座，及一封装于该基座中的电容式麦克风芯片，该电容式麦克风芯片是利用二相间隔的导体层及一形成在此二导体层间的浮动闸极式驻极体形成电容，使当声能作用时电容对应变化，而可转换成电子信号传输。该制造方法是利用半导体制程与微机电制程在硅基材上形成浮动闸极式驻极体电容的电容式麦克风芯片，再将此电容式麦克风芯片封装入一可电性链接于电子产品之电路板的基座中，完成浮动闸极式驻极体电容麦克风的制备。

12. 发明专利

TWI590487B 薄膜型發光二極體的製作方法及薄膜型發光二極體有权
简体标题：薄膜型发光二极管的制作方法及薄膜型发光二极管
公开(公告)号：TWI590487B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104110910
申请日：2015-04-02
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/62

13. 发明专利

TW201719933A 發光二極體及其製作方法审中-公开
简体标题：发光二极管及其制作方法
公开(公告)号：TW201719933A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104138554
申请日：2015-11-20
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/00
摘要：本發明提供一種發光二極體，包含一基板與依序形成的一發光單元、一視窗層、一增亮單元，及一與該發光單元形成電連接的電極單元；該視窗層具有一粗糙表面，且該增亮單元包括多個形成於該粗糙表面上的凸部。此外，本發明還提供一種發光二極體的製作方法，包含以下步驟：準備一包括一基板、一發光單元、一視窗層，及一電極單元的發光元件；於該視窗層的表面形成多數個奈米球，並以該等奈米球為遮罩對該視窗層的表面進行蝕刻，使該視窗層形成一粗糙表面；改變該等奈米球的形態，使其轉變為具有弧狀表面的凸部而形成一位於該視窗層上的增亮單元。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管，包含一基板与依序形成的一发光单元、一窗口层、一增亮单元，及一与该发光单元形成电连接的电极单元；该窗口层具有一粗糙表面，且该增亮单元包括多个形成于该粗糙表面上的凸部。此外，本发明还提供一种发光二极管的制作方法，包含以下步骤：准备一包括一基板、一发光单元、一窗口层，及一电极单元的发光组件；于该窗口层的表面形成多数个奈米球，并以该等奈米球为遮罩对该窗口层的表面进行蚀刻，使该窗口层形成一粗糙表面；改变该等奈米球的形态，使其转变为具有弧状表面的凸部而形成一位于该窗口层上的增亮单元。

14. 发明专利

TWI397114B 磊晶基板的製造方法有权
简体标题：磊晶基板的制造方法
公开(公告)号：TWI397114B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW099122967
申请日：2010-07-13
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：武東星 , 洪瑞華
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/306

15. 发明专利

TWI384564B 形成於晶圓的黏膠自體成型結構的製造方法有权
简体标题：形成于晶圆的黏胶自体成型结构的制造方法
公开(公告)号：TWI384564B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW097122540
申请日：2008-06-17
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華 , 蔣承忠 , 林敬倍
IPC分类号： H01L21/56

16. 发明专利

TWI381538B 具有集光結構的太陽能電池有权
简体标题：具有集光结构的太阳能电池
公开(公告)号：TWI381538B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097130954
申请日：2008-08-14
申请人：國立中興大學 , NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華 , 武東星 , 蔡雨利 , 曾明俊
IPC分类号： H01L31/052
CPC分类号： Y02E10/50

17. 发明专利

TW200935619A 具雙面粗化垂直導通式發光二極體之製造方法及其產品审中-公开
简体标题：具双面粗化垂直导通式发光二极管之制造方法及其产品
公开(公告)号：TW200935619A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097104206
申请日：2008-02-04
申请人：國立中興大學 NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華 , 武東星
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供具雙面粗化垂直導通式發光二極體之製造方法及其產品,用在晶圓貼合製程溫度下呈液態的接著劑及晶圓貼合技術,將可作為電極的第二基板與雙面粗化的氮化鎵系列材料磊晶成的磊晶膜單元相連接,並在移除原本用於磊晶或連接磊晶膜單元的第一基板、設置電極後,製作得到具雙面粗化垂直導通式發光二極體,本發明除了同時藉由接著劑與晶圓貼合技術,而使第二基板與磊晶膜單元更穩固的連接之外,由於整個製程都是在不大於晶圓貼合製程溫度範圍下進行,所以可以克服高溫製程導致反射鏡發生質變的問題,使元件具有更高的發光效率。
简体摘要：本发明提供具双面粗化垂直导通式发光二极管之制造方法及其产品,用在晶圆贴合制程温度下呈液态的接着剂及晶圆贴合技术,将可作为电极的第二基板与双面粗化的氮化镓系列材料磊晶成的磊晶膜单元相连接,并在移除原本用于磊晶或连接磊晶膜单元的第一基板、设置电极后,制作得到具双面粗化垂直导通式发光二极管,本发明除了同时借由接着剂与晶圆贴合技术,而使第二基板与磊晶膜单元更稳固的连接之外,由于整个制程都是在不大于晶圆贴合制程温度范围下进行,所以可以克服高温制程导致反射镜发生质变的问题,使组件具有更高的发光效率。

18. 发明专利

TWI297959B 磊晶結構及其製造方法失效
简体标题：磊晶结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI297959B
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：TW095118829
申请日：2006-05-26
申请人：國立中興大學 NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華 , 武東星
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提出一種磊晶結構及其製造方法,藉由感應式耦合電漿(ICP)等乾式蝕刻技術,
對基板上的磊晶層作垂直而精確的蝕刻,得到奈米尺寸及間距的奈米柱。在此奈米柱上進行
同質磊晶程序,藉由控制橫向及縱向生長速率,可獲得無缺陷的二次磊晶層,並有效提高後
續元件製作的良率。
简体摘要：本发明提出一种磊晶结构及其制造方法,借由感应式耦合等离子(ICP)等干式蚀刻技术, 对基板上的磊晶层作垂直而精确的蚀刻,得到奈米尺寸及间距的奈米柱。在此奈米柱上进行同质磊晶进程,借由控制横向及纵向生长速率,可获得无缺陷的二次磊晶层,并有效提高后续组件制作的良率。

19. 发明专利

TW200744279A 具有金屬散熱柱之雷射二極體及其製造方法失效
简体标题：具有金属散热柱之激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW200744279A
公开(公告)日：2007-12-01
申请号：TW095118156
申请日：2006-05-22
申请人：國立中興大學 NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華 , 武東星
IPC分类号： H01S , H01L
摘要：本發明提出一種具有金屬散熱柱之雷射二極體,其磊晶層由下而上依序包括第一型批覆層、發光層及第二型批覆層,二布拉格反射鏡分別形成於二批覆層之上下表面中央或其他適當位置。保留下批覆層底部的部份磊晶用基板,而將其餘部份去除以鍍設一布拉格反射鏡,使金屬散熱柱電鍍於該布拉格反射鏡的底部。藉由保留磊晶用基板及電鍍金屬散熱柱,可使雷射二極體結構更加穩定並提升散熱效果。此外,本發明製程中,高溫退火程序係於鏡面及電鍍程序前完成,因此不會對結構造成破壞,可有效提高鏡面反射率及增加雷射二極體的製程良率。
简体摘要：本发明提出一种具有金属散热柱之激光二极管,其磊晶层由下而上依序包括第一型批复层、发光层及第二型批复层,二布拉格反射镜分别形成于二批复层之上下表面中央或其他适当位置。保留下批复层底部的部份磊晶用基板,而将其余部份去除以镀设一布拉格反射镜,使金属散热柱电镀于该布拉格反射镜的底部。借由保留磊晶用基板及电镀金属散热柱,可使激光二极管结构更加稳定并提升散热效果。此外,本发明制程中,高温退火进程系于镜面及电镀进程前完成,因此不会对结构造成破坏,可有效提高镜面反射率及增加激光二极管的制程良率。

20. 发明专利

TWI272733B 混光LED裝置及其製造方法失效
简体标题：混光LED设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI272733B
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW094139154
申请日：2005-11-08
申请人：國立中興大學 NATIONAL CHUNGHSING UNIVERSITY
发明人：洪瑞華 , 武東星
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種混光LED裝置及其製造方法。本發明之混光LED裝置係於一完成金屬接線之LED封裝結構表面，藉由透明黏著層將不同顏色的光致發光薄膜貼附其上。LED封裝結構與光致發光薄膜形成之混光具有預設之波長。本發明提供製造各種波長之混光LED，特別是白光LED的方法，不僅製程簡單，且較傳統方法成本低而良率高。
简体摘要：本发明系关于一种混光LED设备及其制造方法。本发明之混光LED设备系于一完成金属接线之LED封装结构表面，借由透明黏着层将不同颜色的光致发光薄膜贴附其上。LED封装结构与光致发光薄膜形成之混光具有默认之波长。本发明提供制造各种波长之混光LED，特别是白光LED的方法，不仅制程简单，且较传统方法成本低而良率高。

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