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11. 发明专利

TWI470742B 記憶體單元及記憶體單元陣列有权
简体标题：内存单元及内存单元数组
公开(公告)号：TWI470742B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101137133
申请日：2012-10-08
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西利士史考特E , SILLS, SCOTT E. , 珊得胡高提傑S , SANDHU, GURTEJ S. , 唐珊D , TANG, SANH D. , 史密斯約翰 , SMYTHE, JOHN
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1226 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/124 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148

12. 发明专利

TWI462100B 關於具有浮體之記憶體單元之方法、裝置及系統有权
简体标题：关于具有浮体之内存单元之方法、设备及系统
公开(公告)号：TWI462100B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW099110797
申请日：2010-04-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：唐珊D , TANG, SANH D.
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802

13. 发明专利

TWI427776B 關於具有一浮動主體之記憶體單元的方法，裝置及系統有权
简体标题：关于具有一浮动主体之内存单元的方法，设备及系统
公开(公告)号：TWI427776B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099108718
申请日：2010-03-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：唐珊D , TANG, SANH D. , 恩古顏麥可N , NGUYEN, MIKE N.
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/84 , G11C7/00
CPC分类号： H01L27/10802 , H01L27/1203 , H01L29/66833 , H01L29/7841

14. 发明专利

TWI590378B 形成至少一導電元件之方法，形成半導體結構之方法，形成記憶體單元之方法以及相關之半導體結構有权
简体标题：形成至少一导电组件之方法，形成半导体结构之方法，形成内存单元之方法以及相关之半导体结构
公开(公告)号：TWI590378B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW103120618
申请日：2012-03-16
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：唐珊D , TANG, SANH D. , 西利士史考特E , SILLS, SCOTT E. , 威斯特惠特利L , WEST, WHITNEY L. , 古德溫羅伯B , GOODWIN, ROB B. , 辛哈尼許安特 , SINHA, NISHANT
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76858 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/53247 , H01L23/53252 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

15. 发明专利

TWI482278B 以閘流體為基礎之記憶體單元、包含其之裝置及系統及用於形成其之方法有权
简体标题：以晶闸管为基础之内存单元、包含其之设备及系统及用于形成其之方法
公开(公告)号：TWI482278B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW100106775
申请日：2011-03-01
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：唐珊D , TANG, SANH D.
IPC分类号： H01L29/749
CPC分类号： H01L27/1027 , H01L21/28088 , H01L21/32051 , H01L21/32055 , H01L21/32133 , H01L29/401 , H01L29/42308 , H01L29/66363 , H01L29/749

16. 发明专利

TWI480982B 垂直記憶體單元有权
简体标题：垂直内存单元
公开(公告)号：TWI480982B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101127322
申请日：2012-07-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：貝吉爾科特D , BEIGEL, KURT D. , 唐珊D , TANG, SANH D.
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/0638 , H01L27/1027 , H01L27/10802 , H01L29/0688 , H01L29/7841 , H01L29/78642 , H01L29/7889

17. 发明专利

TW201503132A 關於具有浮體之記憶體單元之方法、裝置及系統审中-公开
简体标题：关于具有浮体之内存单元之方法、设备及系统
公开(公告)号：TW201503132A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103134672
申请日：2010-04-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：唐珊D , TANG, SANH D.
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802
摘要：本發明揭示關於具有一浮體之一記憶體單元之方法、裝置及系統。一記憶體單元包含一電晶體，該電晶體包括各自形成於矽中之一汲極及一源極以及定位於該汲極與該源極之間的一閘極。該記憶體單元亦可包含凹入至該矽中且定位於一隔離區與該電晶體之間且經組態以可操作地耦合至一偏壓電壓之一偏壓閘極。此外，該記憶體單元可包含一浮體，該浮體在該矽內且具有毗鄰該源極及該汲極且自該偏壓閘極垂直偏移之一第一部分及耦合至該第一部分之一第二部分，其中該偏壓閘極係毗鄰該第二部分形成。
简体摘要：本发明揭示关于具有一浮体之一内存单元之方法、设备及系统。一内存单元包含一晶体管，该晶体管包括各自形成于硅中之一汲极及一源极以及定位于该汲极与该源极之间的一闸极。该内存单元亦可包含凹入至该硅中且定位于一隔离区与该晶体管之间且经组态以可操作地耦合至一偏压电压之一偏压闸极。此外，该内存单元可包含一浮体，该浮体在该硅内且具有毗邻该源极及该汲极且自该偏压闸极垂直偏移之一第一部分及耦合至该第一部分之一第二部分，其中该偏压闸极系毗邻该第二部分形成。

18. 发明专利

TWI466256B 絕緣體上半導體金屬結構、形成該等結構之方法、及包括該等結構之半導體裝置有权
简体标题：绝缘体上半导体金属结构、形成该等结构之方法、及包括该等结构之半导体设备
公开(公告)号：TWI466256B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW100106777
申请日：2011-03-01
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：唐珊D , TANG, SANH D. , 張明 , ZHANG, MING , 貝樂司安卓M , BAYLESS, ANDREW M. , 查胡瑞約翰K , ZAHURAK, JOHN K.
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/28 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/30604 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1021 , H01L27/10802 , H01L27/12 , H01L27/24 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/7841 , H01L29/78603 , H01L29/78642 , H01L29/78645 , H01L29/78648

19. 发明专利

TWI446489B 形成至少一導電元件之方法，形成半導體結構之方法，形成記憶體單元之方法以及相關之半導體結構有权
简体标题：形成至少一导电组件之方法，形成半导体结构之方法，形成内存单元之方法以及相关之半导体结构
公开(公告)号：TWI446489B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW101109223
申请日：2012-03-16
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：唐珊D , TANG, SANH D. , 西利士史考特E , SILLS, SCOTT E. , 威斯特惠特利L , WEST, WHITNEY L. , 古德溫羅伯B , GOODWIN, ROB B. , 辛哈尼許安特 , SINHA, NISHANT
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76858 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/53247 , H01L23/53252 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

20. 发明专利

TW201320250A 垂直記憶體單元审中-公开
简体标题：垂直内存单元
公开(公告)号：TW201320250A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101127322
申请日：2012-07-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：貝吉爾科特D , BEIGEL, KURT D. , 唐珊D , TANG, SANH D.
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/0638 , H01L27/1027 , H01L27/10802 , H01L29/0688 , H01L29/7841 , H01L29/78642 , H01L29/7889
摘要：本發明提供與一垂直記憶體單元相關聯之形成方法、裝置及設備。一種形成一垂直記憶體單元之實例方法可包含在一導體線上方形成一半導體結構。該半導體結構可具有一第一區域，該第一區域包含第一摻雜材料與第二摻雜材料之間的一第一接面。在該第一區域上面之該半導體結構之一第一對側壁上形成一蝕刻保護材料。在一第一維度上相對於該半導體結構之一主體區域減小該第一區域之一體積。
简体摘要：本发明提供与一垂直内存单元相关联之形成方法、设备及设备。一种形成一垂直内存单元之实例方法可包含在一导体在线方形成一半导体结构。该半导体结构可具有一第一区域，该第一区域包含第一掺杂材料与第二掺杂材料之间的一第一接面。在该第一区域上面之该半导体结构之一第一对侧壁上形成一蚀刻保护材料。在一第一维度上相对于该半导体结构之一主体区域减小该第一区域之一体积。

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