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2. 发明专利

TW201104846A 關於具有一浮動主體之記憶體單元的方法，裝置及系統 METHODS, DEVICES, AND SYSTEMS RELATING TO A MEMORY CELL HAVING A FLOATING BODY 审中-公开
简体标题：关于具有一浮动主体之内存单元的方法，设备及系统 METHODS, DEVICES, AND SYSTEMS RELATING TO A MEMORY CELL HAVING A FLOATING BODY
公开(公告)号：TW201104846A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099108718
申请日：2010-03-24
申请人：美光科技公司
发明人：唐珊D , 恩古顏麥可N
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/10802 , H01L27/1203 , H01L29/66833 , H01L29/7841
摘要：本發明揭示針對具有一浮動主體之一記憶體單元之方法、裝置及系統。一記憶體單元可包含一電晶體，該電晶體在一絕緣層上方且包含一源極及一汲極。該記憶體單元亦可包含一浮動主體，該浮動主體包含位於該源極與該汲極之間的一第一區、遠離該源極及汲極中之每一者定位之一第二區及一通道，且該通道延伸穿過該絕緣層且將該第一區耦合至該第二區。另外，該記憶體單元包含一偏壓閘極，該偏壓閘極至少部分地圍繞該第二區且經組態以可操作地耦合至一偏壓電壓。此外，該記憶體單元可包含複數個電介質層，其中該第二區之每一外部垂直表面具有毗鄰於其之該複數個電介質層中之一電介質層。
简体摘要：本发明揭示针对具有一浮动主体之一内存单元之方法、设备及系统。一内存单元可包含一晶体管，该晶体管在一绝缘层上方且包含一源极及一汲极。该内存单元亦可包含一浮动主体，该浮动主体包含位于该源极与该汲极之间的一第一区、远离该源极及汲极中之每一者定位之一第二区及一信道，且该信道延伸穿过该绝缘层且将该第一区耦合至该第二区。另外，该内存单元包含一偏压闸极，该偏压闸极至少部分地围绕该第二区且经组态以可操作地耦合至一偏压电压。此外，该内存单元可包含复数个电介质层，其中该第二区之每一外部垂直表面具有毗邻于其之该复数个电介质层中之一电介质层。

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