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11. 发明专利

TWI607534B 晶片封裝體及其製造方法有权
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TWI607534B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103114055
申请日：2014-04-17
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：林佳昇 , LIN, CHIASHENG , 何彥仕 , HO, YENSHIH , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/4952 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/494 , H01L2224/8536 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

13. 发明专利

TW201633399A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201633399A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107213
申请日：2015-03-06
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：孫唯倫 , SUEN, WEILUEN , 簡瑋銘 , CHIEN, WEIMING , 李柏漢 , LEE, POHAN , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU , 何彥仕 , HO, YENSHIH
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/311 , H01L29/02
摘要：一種半導體結構包含矽基板、保護層、焊墊、絕緣層、佈線層、導電層、阻隔層與導電結構。矽基板具有鏤空區、階梯結構、尖角結構與相對的第一表面與第二表面。階梯結構與尖角結構環繞鏤空區。階梯結構具有朝向鏤空區且依續連接的第一斜面、第三表面與第二斜面。保護層位於矽基板的第一表面上。焊墊位於保護層中，且從鏤空區裸露。絕緣層位於階梯結構的第一斜面、第三表面、第二斜面與第二表面上及尖角結構上。佈線層位於絕緣層上與焊墊上。導電層位於佈線層上。阻隔層覆蓋階梯結構與尖角結構。導電結構位於阻隔層之開口中的導電層上。
简体摘要：一种半导体结构包含硅基板、保护层、焊垫、绝缘层、布线层、导电层、阻隔层与导电结构。硅基板具有镂空区、阶梯结构、尖角结构与相对的第一表面与第二表面。阶梯结构与尖角结构环绕镂空区。阶梯结构具有朝向镂空区且依续连接的第一斜面、第三表面与第二斜面。保护层位于硅基板的第一表面上。焊垫位于保护层中，且从镂空区裸露。绝缘层位于阶梯结构的第一斜面、第三表面、第二斜面与第二表面上及尖角结构上。布线层位于绝缘层上与焊垫上。导电层位于布线层上。阻隔层覆盖阶梯结构与尖角结构。导电结构位于阻隔层之开口中的导电层上。

14. 发明专利

TW201622087A 晶片封裝體及其製作方法审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制作方法
公开(公告)号：TW201622087A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103143333
申请日：2014-12-11
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：孫唯倫 , SUEN, WEILUEN , 林佳昇 , LIN, CHIASHENG , 何彥仕 , HO, YENSHIH , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：一種晶片封裝體包含封裝基材、半導體元件與複數個導電結構。半導體元件具有中央區與圍繞中央區的邊緣區。導電結構位於封裝基材與半導體元件之間。導電結構具有不同的高度，且導電結構的高度從半導體元件的中央區往半導體元件的邊緣區逐漸增大，使得半導體元件的邊緣區與封裝基材之間的距離大於半導體元件的中央區與封裝基材之間的距離。
简体摘要：一种芯片封装体包含封装基材、半导体组件与复数个导电结构。半导体组件具有中央区与围绕中央区的边缘区。导电结构位于封装基材与半导体组件之间。导电结构具有不同的高度，且导电结构的高度从半导体组件的中央区往半导体组件的边缘区逐渐增大，使得半导体组件的边缘区与封装基材之间的距离大于半导体组件的中央区与封装基材之间的距离。

15. 发明专利

TW201519340A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201519340A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103138374
申请日：2014-11-05
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：簡瑋銘 , CHIEN, WEIMING , 李柏漢 , LEE, POHAN , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU , 何彥仕 , HO, YENSHIH
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/02363 , H01L31/1804 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0346 , H01L2224/0348 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05569 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/113 , H01L2224/13022 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
摘要：一種半導體結構的製造方法包含下列步驟：提供具有矽基板與保護層的晶圓結構，其中保護層上的焊墊由矽基板的鏤空區露出。形成絕緣層於矽基板環繞鏤空區的側壁上與矽基板背對保護層的表面上。形成佈線層於絕緣層上與焊墊上。形成阻隔層於佈線層上。圖案化阻隔層而形成第一開口，使位於矽基板之表面上的佈線層由第一開口露出。形成第一導電層於露出第一開口的佈線層上。設置導電結構於第一開口中，使導電結構電性接觸第一導電層。
简体摘要：一种半导体结构的制造方法包含下列步骤：提供具有硅基板与保护层的晶圆结构，其中保护层上的焊垫由硅基板的镂空区露出。形成绝缘层于硅基板环绕镂空区的侧壁上与硅基板背对保护层的表面上。形成布线层于绝缘层上与焊垫上。形成阻隔层于布线层上。图案化阻隔层而形成第一开口，使位于硅基板之表面上的布线层由第一开口露出。形成第一导电层于露出第一开口的布线层上。设置导电结构于第一开口中，使导电结构电性接触第一导电层。

16. 发明专利

TW201501250A 晶片封裝體审中-公开
简体标题：芯片封装体
公开(公告)号：TW201501250A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103122103
申请日：2014-06-26
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：張義民 , CHANG, YIMING , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU , 何彥仕 , HO, YENSHIH , 溫英男 , WEN, YINGNAN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L2224/0231 , H01L2224/0235 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06155 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/10157 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明提供一種晶片封裝體，包含半導體晶片、絕緣層、重佈局金屬層以及焊接墊。半導體晶片具有導電墊、內連線結構以及電子元件。電子元件透過內連線結構電性連接導電墊。絕緣層設置於半導體晶片之表面上且具有第一開口以暴露出部分導電墊。重佈局金屬層設置於絕緣層上且具有對應導電墊之重佈局金屬線路，重佈局金屬線路透過第一開口與導電墊連接。焊接墊配置於絕緣層上且位於半導體晶片之一側。其中，重佈局金屬線路延伸至焊接墊，使配置於半導體晶片之表面上之導電墊，電性連接於該側之焊接墊。
简体摘要：本发明提供一种芯片封装体，包含半导体芯片、绝缘层、重布局金属层以及焊接垫。半导体芯片具有导电垫、内连接结构以及电子组件。电子组件透过内连接结构电性连接导电垫。绝缘层设置于半导体芯片之表面上且具有第一开口以暴露出部分导电垫。重布局金属层设置于绝缘层上且具有对应导电垫之重布局金属线路，重布局金属线路透过第一开口与导电垫连接。焊接垫配置于绝缘层上且位于半导体芯片之一侧。其中，重布局金属线路延伸至焊接垫，使配置于半导体芯片之表面上之导电垫，电性连接于该侧之焊接垫。

17. 发明专利

TW201431023A 半導體晶片封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201431023A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW103100272
申请日：2014-01-03
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：孫唯倫 , SUEN, WEILUEN , 張恕銘 , CHANG, SHUMING , 黃玉龍 , HUANG, YULUNG , 何彥仕 , HO, YENSHIH , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L31/02005 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/11472 , H01L2224/1148 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2224/0231 , H01L2224/11
摘要：本發明提供一種半導體晶片封裝體及其製造方法。上述半導體晶片封裝體包含半導體晶片、複數個孔洞、絕緣層、導電層、以及封裝層，其中，該些孔洞自半導體晶片之下表面朝上表面延伸，包含至少一個第一孔洞以及至少一個第二孔洞，而絕緣層係自半導體晶片之下表面朝上表面延伸，部分的絕緣層位於該些孔洞之中。其中，絕緣層係覆蓋各第一孔洞之全部孔壁但僅覆蓋各第二孔洞之一部分孔壁，導電層係位於絕緣層之下且填滿該些孔洞，而封裝層係位於導電層之下。
简体摘要：本发明提供一种半导体芯片封装体及其制造方法。上述半导体芯片封装体包含半导体芯片、复数个孔洞、绝缘层、导电层、以及封装层，其中，该些孔洞自半导体芯片之下表面朝上表面延伸，包含至少一个第一孔洞以及至少一个第二孔洞，而绝缘层系自半导体芯片之下表面朝上表面延伸，部分的绝缘层位于该些孔洞之中。其中，绝缘层系覆盖各第一孔洞之全部孔壁但仅覆盖各第二孔洞之一部分孔壁，导电层系位于绝缘层之下且填满该些孔洞，而封装层系位于导电层之下。

19. 发明专利

TWI575672B 晶片封裝體及其製造方法有权
简体标题：芯片封装体及其制造方法
公开(公告)号：TWI575672B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW103127488
申请日：2014-08-11
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：林建名 , LIN, CHIENMIN , 黃郁庭 , HUANG, YUTING , 傅振寧 , FU, CHENNING , 何彥仕 , HO, YENSHIH
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/488
CPC分类号： B81B7/007 , B81C1/00182 , B81C1/00269 , B81C2201/0197 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

20. 发明专利

TWI566353B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI566353B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW103122104
申请日：2014-06-26
申请人：精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人：簡瑋銘 , CHIEN, WEIMING , 林佳昇 , LIN, CHIASHENG , 劉滄宇 , LIU, TSANGYU , 何彥仕 , HO, YENSHIH
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L21/76898 , H01L27/14601 , H01L27/14636 , H01L33/62

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