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11. 发明专利

TW201613006A 薄膜電晶體評價用的積層體的品質評價方法、及氧化物半導體薄膜的品質管理方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管评价用的积层体的品质评价方法、及氧化物半导体薄膜的品质管理方法
公开(公告)号：TW201613006A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104120622
申请日：2015-06-26
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：林和志 , HAYASHI, KAZUSHI , 三木綾 , MIKI, AYA , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R1/06 , G01R31/2623 , G01R31/27 , H01L21/28 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L27/32 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要：本發明提供一種如下方法：在具有形成於氧化物半導體薄膜的表面的保護膜的TFT中，對於因氧化物半導體薄膜與保護膜的界面能階所引起的缺陷，簡便地進行評價而不用實際地測定該些膜的特性。本發明的評價方法為，利用接觸式方法或非接觸式方法測定氧化物半導體薄膜的電子狀態，藉此評價因上述界面能階所引起的缺陷。因上述界面能階所引起的缺陷為下述（1）～（3）中任一者。（1）對薄膜電晶體施加有正偏壓時的臨界電壓Vth （2）對薄膜電晶體施加有正偏壓時，施加前後的臨界電壓的差ΔVth （3）多次測定對薄膜電晶體施加有正偏壓時的臨界電壓時，第1次測定時的臨界值。
简体摘要：本发明提供一种如下方法：在具有形成于氧化物半导体薄膜的表面的保护膜的TFT中，对于因氧化物半导体薄膜与保护膜的界面能阶所引起的缺陷，简便地进行评价而不用实际地测定该些膜的特性。本发明的评价方法为，利用接触式方法或非接触式方法测定氧化物半导体薄膜的电子状态，借此评价因上述界面能阶所引起的缺陷。因上述界面能阶所引起的缺陷为下述（1）～（3）中任一者。（1）对薄膜晶体管施加有正偏压时的临界电压Vth （2）对薄膜晶体管施加有正偏压时，施加前后的临界电压的差ΔVth （3）多次测定对薄膜晶体管施加有正偏压时的临界电压时，第1次测定时的临界值。

12. 发明专利

TW201443442A 電氣接點構件及檢查用連接裝置审中-公开
简体标题：电气接点构件及检查用连接设备
公开(公告)号：TW201443442A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102146066
申请日：2013-12-13
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：平野貴之 , HIRANO, TAKAYUKI , 川上信之 , KAWAKAMI, NOBUYUKI
IPC分类号： G01R1/067 , H01H1/06 , C23C14/06
CPC分类号： G01R1/06755 , C23C14/06 , G01R1/0416 , G01R1/06738 , G01R3/00 , G01R31/2886 , H01H1/027 , H01H1/06 , H01H2300/036 , H01R13/03
摘要：本發明之電氣接點構件係反覆接觸被檢體的電氣接點構件。與被檢體相接觸的前述電氣接點構件的表面係由含有金屬元素的含金屬元素碳被膜所構成。相對於前述電氣接點構件的軸線呈45°的傾斜面所形成之含金屬元素碳被膜的表面粗糙度Ra1為一定的值以下。藉此，實現與被檢體的低附著性，可經長期間安定地抑制接觸電阻上升，且保持安定的電性接觸。
简体摘要：本发明之电气接点构件系反复接触被检体的电气接点构件。与被检体相接触的前述电气接点构件的表面系由含有金属元素的含金属元素碳被膜所构成。相对于前述电气接点构件的轴线呈45°的倾斜面所形成之含金属元素碳被膜的表面粗糙度Ra1为一定的值以下。借此，实现与被检体的低附着性，可经长期间安定地抑制接触电阻上升，且保持安定的电性接触。

13. 发明专利

TWI378150B Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｓｉ系統鋁基合金濺鍍靶及其製造方法 A1-Ni-La-Si SYSTEM A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｓｉ系统铝基合金溅镀靶及其制造方法 A1-Ni-La-Si SYSTEM A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI378150B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW097127641
申请日：2008-07-21
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , 鋼臂功科研股份有限公司
发明人：高木勝壽 , 岩崎祐紀 , 得平雅也 , 南部旭 , 越智元隆 , 後藤裕史 , 川上信之
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
摘要：本發明有關一種包含Ni、La與Si之Al－Ni－La－Si系統鋁基合金濺鍍靶，其中當以掃描電子顯微鏡在放大倍率2000倍下觀察與該濺鍍靶平面垂直之橫斷面中之(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)部分時，(1)以面積分率計，具有平均粒徑為0.3μm至3μm之Al－Ni系統金屬間化合物的總面積相對於整體Al－Ni系統金屬間化合物之總面積係70%或更高，該Al－Ni系統金屬間化合物主要由Al與Ni所組成；及(2)以面積分率計，具有平均粒徑為0.2μm至2μm之Al－Ni－La－Si系統金屬間化合物的總面積相對於整體Al－Ni－La－Si系統金屬間化合物之總面積係70%或更高，該Al－Ni－La－Si系統金屬間化合物主要由Al、Ni、La與Si所組成。
简体摘要：本发明有关一种包含Ni、La与Si之Al－Ni－La－Si系统铝基合金溅镀靶，其中当以扫描电子显微镜在放大倍率2000倍下观察与该溅镀靶平面垂直之横断面中之(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)部分时，(1)以面积分率计，具有平均粒径为0.3μm至3μm之Al－Ni系统金属间化合物的总面积相对于整体Al－Ni系统金属间化合物之总面积系70%或更高，该Al－Ni系统金属间化合物主要由Al与Ni所组成；及(2)以面积分率计，具有平均粒径为0.2μm至2μm之Al－Ni－La－Si系统金属间化合物的总面积相对于整体Al－Ni－La－Si系统金属间化合物之总面积系70%或更高，该Al－Ni－La－Si系统金属间化合物主要由Al、Ni、La与Si所组成。

14. 发明专利

TW201034504A 有機ＥＬ顯示器用之反射陽極電極及其製造方法审中-公开
简体标题：有机ＥＬ显示器用之反射阳极电极及其制造方法
公开(公告)号：TW201034504A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098138072
申请日：2009-11-10
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：越智元隆 , 後藤裕史 , 岸智彌 , 川上信之
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/5218 , H01L27/3244 , H01L2251/5315
摘要：本發明係提供一種可實現與氧化物導電膜之低接觸電阻,同時可達成優異的反射率之具備Al合金反射膜之有機EL顯示器用之反射陽極電極。本發明之有機EL顯示器用反射陽極電極的製造方法,其特徵係於基板上使含有0.1-2原子%之Ni或Co的Al合金膜進行成膜,且使前述Al合金膜在真空或惰性氣體氛圍下以150℃以上的溫度進行熱處理,接著,使氧化物導電膜以與前述Al合金膜直接接觸之方式成膜。
简体摘要：本发明系提供一种可实现与氧化物导电膜之低接触电阻,同时可达成优异的反射率之具备Al合金反射膜之有机EL显示器用之反射阳极电极。本发明之有机EL显示器用反射阳极电极的制造方法,其特征系于基板上使含有0.1-2原子%之Ni或Co的Al合金膜进行成膜,且使前述Al合金膜在真空或惰性气体氛围下以150℃以上的温度进行热处理,接着,使氧化物导电膜以与前述Al合金膜直接接触之方式成膜。

15. 发明专利

TW201017849A 配線構造、薄膜電晶體基板及其製造方法以及顯示裝置审中-公开
简体标题：配线构造、薄膜晶体管基板及其制造方法以及显示设备
公开(公告)号：TW201017849A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098122648
申请日：2009-07-03
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：川上信之 , 福間信也 , 三木綾 , 越智元隆 , 森田晉也 , 橫田嘉宏 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/53238 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/28525 , H01L21/76843 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：提供可以省略純銅或銅合金之銅系合金配線與半導體層之間之障壁金屬層之直接接觸技術，且係具有寬廣的製程裕度（process margin）之範圍，可以對半導體層直接而且確實地連接銅系合金配線之技術。本發明係關於在基板上，由基板側依序具備半導體層，與純銅或銅合金之銅系合金膜之配線構造，其係於前述半導體層與前述銅系合金膜之間，包含有由基板側起依序為含有氮、碳以及氟所構成的群所選擇之至少一種元素之（N、C、F）層，及包含銅與矽之銅-矽擴散層之層積構造，且被包含於前述（N、C、F）層的氮、碳及氟之至少一種之元素，與包含於前述半導體層之矽結合。
简体摘要：提供可以省略纯铜或铜合金之铜系合金配线与半导体层之间之障壁金属层之直接接触技术，且系具有宽广的制程裕度（process margin）之范围，可以对半导体层直接而且确实地连接铜系合金配线之技术。本发明系关于在基板上，由基板侧依序具备半导体层，与纯铜或铜合金之铜系合金膜之配线构造，其系于前述半导体层与前述铜系合金膜之间，包含有由基板侧起依序为含有氮、碳以及氟所构成的群所选择之至少一种元素之（N、C、F）层，及包含铜与硅之铜-硅扩散层之层积构造，且被包含于前述（N、C、F）层的氮、碳及氟之至少一种之元素，与包含于前述半导体层之硅结合。

16. 发明专利

TW459306B 製造氣凝膠薄膜之方法及裝置失效
简体标题：制造气凝胶薄膜之方法及设备
公开(公告)号：TW459306B
公开(公告)日：2001-10-11
申请号：TW089111760
申请日：2000-06-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：川上信之 , 福本吉人 , 井上憲一 , 鈴木康平 , 木下隆 , 上原一浩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6715 , C01B33/1585 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02343 , H01L21/31058 , H01L21/3121 , H01L21/31695 , Y02P20/544
摘要：一種製造氣凝膠薄膜的方法，包括步驟:在基底上實施醇鹽的氣凝膠反應，以備製具濕膠薄膜的基底，及利用超臨界或次臨界乾化程序將濕膠薄膜轉換成氣凝膠薄膜，其中在開始實施超臨界或次臨界乾化程序時，將濕膠薄膜基底的膠化度控制在預定的值。一批進行超臨界或次臨界乾化程序的氣凝膠薄膜具有均勻的性質。
简体摘要：一种制造气凝胶薄膜的方法，包括步骤:在基底上实施醇盐的气凝胶反应，以备制具湿胶薄膜的基底，及利用超临界或次临界干化进程将湿胶薄膜转换成气凝胶薄膜，其中在开始实施超临界或次临界干化进程时，将湿胶薄膜基底的胶化度控制在预定的值。一批进行超临界或次临界干化进程的气凝胶薄膜具有均匀的性质。

17. 发明专利

TWI324394B 源極／汲極電極，薄膜電晶體基板，彼之製造方法，以及顯示裝置 SOURCE/DRAIN ELECTRODES, THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATES, MANUFACTURE METHODS THEREOF, AND DISPLAY DEVICES 有权
简体标题：源极／汲极电极，薄膜晶体管基板，彼之制造方法，以及显示设备 SOURCE/DRAIN ELECTRODES, THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATES, MANUFACTURE METHODS THEREOF, AND DISPLAY DEVICES
公开(公告)号：TWI324394B
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW095129678
申请日：2006-08-11
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：川上信之 , 釘宮敏洋 , 後藤裕史 , 富久勝文 , 日野綾
IPC分类号： H01L , C22C
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
摘要：在包含基板、薄膜電晶體半導體層、源極/汲極電極和透明像素電極的薄膜電晶體基板中使用源極/汲極電極。所述的源極/汲極電極包含含氮層和純鋁或鋁合金的薄膜。所述含氮層的氮結合至所述薄膜電晶體半導體層的矽上，且所述的純鋁或鋁合金的薄膜通過所述的含氮層連接至所述的薄膜電晶體半導體層。 A source/drain electrode is used in a thin-film transistor substrate containing a substrate, a thin-film transistor semiconductor layer, source/drain electrodes, and a transparent picture electrode. The source/drain electrode includes a nitrogen-containing layer and a thin film of pure aluminum or an aluminum alloy. Nitrogen of the nitrogen-containing layer binds to silicon of the thin-film transistor semiconductor layer, and the thin film of pure aluminum or aluminum alloy is connected to the thin-film transistor semiconductor layer through the nitrogen-containing layer. 【創作特點】本發明是在這些情況下完成的，並且本發明的一個目的在於提供一種技術，該技術即使沒有下層金屬阻擋層也得到優異的薄膜電晶體性質，並且可以實現在源極/汲極互連和薄膜電晶體的半導體層之間直接和可靠的連接。
本發明的另一個目的在於提供一種技術，該技術在沒有下層和上層金屬阻擋層的情況下確保優異的薄膜電晶體性質、高的熱穩定性和低的接觸電阻率，並且不僅可以實現源極/汲極互連與薄膜電晶體的半導體層的直接和可靠的連接，而且可以實現源極/汲極互連與透明像素電極的直接和可靠的連接。
為了實現上述目的，本發明提供一種用於包含基板、薄膜電晶體半導體層、源極/汲極電極和透明像素電極的薄膜電晶體基板中的源極/汲極電極，所述的源極/汲極電極包含含氮層和純鋁或鋁合金的薄膜，其中源極/汲極電極設置成使得所述含氮層的氮結合至所述薄膜電晶體半導體層的矽上，並且其中源極/汲極電極設置成使得將所述的純鋁或鋁合金的薄膜通過所述的含氮層連接至所述的薄膜電晶體半導體層。
一個較佳的實施方案中，所述的含氮層主要包含氮化矽。
在另一個較佳的實施方案中的含氮層包含氧氮化矽。
所述的含氮層的氮原子的表面密度(N1)較佳為大於等於10 14 cm -2 且小於等於2×10 16 cm -2 。
所述的含氮層具有氧原子的表面密度(O1)，其中N1與O1的比(N1/O1)較佳為1.0或更高。
所述的含氮層的氮原子的表面密度較佳等於或高於構成所述半導體層的矽有效懸鍵的表面密度。
所述的含氮層的厚度較佳在大於等於0.18 nm和小於等於20 nm的範圍內。
在又一個較佳的實施方案中，所述的含氮層具有氮原子數(N)和矽原子數(Si)，其中N與Si的最大比(N/Si)在大於等於0.5和小於等於1.5的範圍內。
所述的薄膜電晶體半導體層較佳包含非晶矽或多晶矽。
所述的鋁合金較佳包含6原子%或更低的鎳(Ni)作為合金元素。
在另一個較佳的實施方案中，所述的純鋁或鋁合金的薄膜是鋁合金的薄膜，所述的鋁合金包含大於等於0.3原子%和小於等於6原子%的鎳(Ni)作為合金元素，並且源極/汲極電極設置成使得鋁合金的薄膜還直接連接至所述的透明像素電極。
所述的鋁合金還可以包含大於等於0.1原子%和小於等於1.0原子%的選自下列中的至少一種元素作為合金元素：Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W。
在再一個實施方案中的鋁合金還可以包含大於等於0.1原子%和小於等於2.0原子%的選自下列中的至少一種元素作為合金元素：Mg、Cr、Mn、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、La、Gd、Tb、Dy、Nd、Y、Co和Fe。
本發明還提供一種薄膜電晶體基板，其包含所述的源極/汲極電極。
本發明還提供一種顯示裝置，其包含所述的薄膜電晶體基板。
此外且有利的是，本發明提供一種製造所述的薄膜電晶體基板的方法，該方法包括以下步驟：(a)在基板上或之上(on or above)沉積半導體層，製備薄膜電晶體基板；(b)在所述的半導體層上形成含氮層；和(c)在所述的含氮層上沉積純鋁或鋁合金的層。
在一個較佳的實施方案中，所述的半導體層是在步驟(a)中在沉積系統中沉積的，並且步驟(b)是在相同的沉積系統中進行的。
在另一個較佳的實施方案中，所述的半導體層是在步驟(a)中在室中沉積的，並且步驟(b)是在相同的室中進行的。
在再一個較佳的實施方案中，所述的半導體層是在步驟(a)中在沉積溫度下沉積的，並且步驟(b)是在與所述的沉積溫度基本上相同的溫度下進行的。
在另一個較佳的實施方案中，所述的半導體層是在步驟(a)中使用氣體沉積的，並且步驟(b)是在所述的氣體與含氮氣體的混合物的氣氛中進行的。
在再一個較佳的實施方案中，步驟(b)是在含氮氣體與還原氣體的混合物的氣氛中進行的。
步驟(b)較佳是由電漿氮化方法進行的。
所述的電漿氮化方法較佳是在55 Pa或更高的壓力下進行的。
所述的電漿氮化方法較佳是在300℃或更高的溫度下進行的。
所述的電漿氮化方法較佳是在含氮氣體與還原氣體的混合物的氣氛中進行的。
步驟(b)中的電漿氮化方法較佳是在含氮氣體和步驟(a)中使用的氣體的混合物的氣氛中進行的。
在另一個較佳的實施方案中，步驟(b)是由熱氮化方法進行的。
所述的熱氮化方法較佳是在400℃或更低的溫度下進行的。
可以由胺化方法進行步驟(b)。
所述的胺化方法較佳使用紫外光輻射。
所述的胺化方法較佳使用含有氮原子的溶液。
可以由濺射方法進行步驟(c)。
根據本發明的源極/汲極電極具有上述組態，可以使用常用的純鋁或鋁合金。此外，與習知技術相反，可以將它們在沒有金屬阻擋層的情況下通過含氮層連接到薄膜電晶體的半導體層。所述的源極/汲極電極具有良好的薄膜電晶體性質。
藉由還使用含有特定量鎳的Al-Ni合金作為鋁合金，根據本發明的源極/汲極電極不僅可以直接連接到薄膜電晶體的半導體層，還可直接連接到透明像素電極。得到的源極/汲極電極具有優異的薄膜電晶體性質、接觸電阻率和熱穩定性。
使用根據本發明的源極/汲極電極提供高性能的顯示裝置，其可以低成本優異生產力地製造。
此外，從如下參考附圖的較佳實施方案描述中，本發明更多的目的、特徵和優點將會變得更明顯。
简体摘要：在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/汲极电极和透明像素电极的薄膜晶体管基板中使用源极/汲极电极。所述的源极/汲极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，且所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。 A source/drain electrode is used in a thin-film transistor substrate containing a substrate, a thin-film transistor semiconductor layer, source/drain electrodes, and a transparent picture electrode. The source/drain electrode includes a nitrogen-containing layer and a thin film of pure aluminum or an aluminum alloy. Nitrogen of the nitrogen-containing layer binds to silicon of the thin-film transistor semiconductor layer, and the thin film of pure aluminum or aluminum alloy is connected to the thin-film transistor semiconductor layer through the nitrogen-containing layer. 【创作特点】本发明是在这些情况下完成的，并且本发明的一个目的在于提供一种技术，该技术即使没有下层金属阻挡层也得到优异的薄膜晶体管性质，并且可以实现在源极/汲极互连和薄膜晶体管的半导体层之间直接和可靠的连接。本发明的另一个目的在于提供一种技术，该技术在没有下层和上层金属阻挡层的情况下确保优异的薄膜晶体管性质、高的热稳定性和低的接触电阻率，并且不仅可以实现源极/汲极互连与薄膜晶体管的半导体层的直接和可靠的连接，而且可以实现源极/汲极互连与透明像素电极的直接和可靠的连接。为了实现上述目的，本发明提供一种用于包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/汲极电极和透明像素电极的薄膜晶体管基板中的源极/汲极电极，所述的源极/汲极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜，其中源极/汲极电极设置成使得所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且其中源极/汲极电极设置成使得将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。一个较佳的实施方案中，所述的含氮层主要包含氮化硅。在另一个较佳的实施方案中的含氮层包含氧氮化硅。所述的含氮层的氮原子的表面密度(N1)较佳为大于等于10 14 cm -2 且小于等于2×10 16 cm -2 。所述的含氮层具有氧原子的表面密度(O1)，其中N1与O1的比(N1/O1)较佳为1.0或更高。所述的含氮层的氮原子的表面密度较佳等于或高于构成所述半导体层的硅有效悬键的表面密度。所述的含氮层的厚度较佳在大于等于0.18 nm和小于等于20 nm的范围内。在又一个较佳的实施方案中，所述的含氮层具有氮原子数(N)和硅原子数(Si)，其中N与Si的最大比(N/Si)在大于等于0.5和小于等于1.5的范围内。所述的薄膜晶体管半导体层较佳包含非晶硅或多晶硅。所述的铝合金较佳包含6原子%或更低的镍(Ni)作为合金元素。在另一个较佳的实施方案中，所述的纯铝或铝合金的薄膜是铝合金的薄膜，所述的铝合金包含大于等于0.3原子%和小于等于6原子%的镍(Ni)作为合金元素，并且源极/汲极电极设置成使得铝合金的薄膜还直接连接至所述的透明像素电极。所述的铝合金还可以包含大于等于0.1原子%和小于等于1.0原子%的选自下列中的至少一种元素作为合金元素：Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W。在再一个实施方案中的铝合金还可以包含大于等于0.1原子%和小于等于2.0原子%的选自下列中的至少一种元素作为合金元素：Mg、Cr、Mn、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、La、Gd、Tb、Dy、Nd、Y、Co和Fe。本发明还提供一种薄膜晶体管基板，其包含所述的源极/汲极电极。本发明还提供一种显示设备，其包含所述的薄膜晶体管基板。此外且有利的是，本发明提供一种制造所述的薄膜晶体管基板的方法，该方法包括以下步骤：(a)在基板上或之上(on or above)沉积半导体层，制备薄膜晶体管基板；(b)在所述的半导体层上形成含氮层；和(c)在所述的含氮层上沉积纯铝或铝合金的层。在一个较佳的实施方案中，所述的半导体层是在步骤(a)中在沉积系统中沉积的，并且步骤(b)是在相同的沉积系统中进行的。在另一个较佳的实施方案中，所述的半导体层是在步骤(a)中在室中沉积的，并且步骤(b)是在相同的室中进行的。在再一个较佳的实施方案中，所述的半导体层是在步骤(a)中在沉积温度下沉积的，并且步骤(b)是在与所述的沉积温度基本上相同的温度下进行的。在另一个较佳的实施方案中，所述的半导体层是在步骤(a)中使用气体沉积的，并且步骤(b)是在所述的气体与含氮气体的混合物的气氛中进行的。在再一个较佳的实施方案中，步骤(b)是在含氮气体与还原气体的混合物的气氛中进行的。步骤(b)较佳是由等离子氮化方法进行的。所述的等离子氮化方法较佳是在55 Pa或更高的压力下进行的。所述的等离子氮化方法较佳是在300℃或更高的温度下进行的。所述的等离子氮化方法较佳是在含氮气体与还原气体的混合物的气氛中进行的。步骤(b)中的等离子氮化方法较佳是在含氮气体和步骤(a)中使用的气体的混合物的气氛中进行的。在另一个较佳的实施方案中，步骤(b)是由热氮化方法进行的。所述的热氮化方法较佳是在400℃或更低的温度下进行的。可以由胺化方法进行步骤(b)。所述的胺化方法较佳使用紫外光辐射。所述的胺化方法较佳使用含有氮原子的溶液。可以由溅射方法进行步骤(c)。根据本发明的源极/汲极电极具有上述组态，可以使用常用的纯铝或铝合金。此外，与习知技术相反，可以将它们在没有金属阻挡层的情况下通过含氮层连接到薄膜晶体管的半导体层。所述的源极/汲极电极具有良好的薄膜晶体管性质。借由还使用含有特定量镍的Al-Ni合金作为铝合金，根据本发明的源极/汲极电极不仅可以直接连接到薄膜晶体管的半导体层，还可直接连接到透明像素电极。得到的源极/汲极电极具有优异的薄膜晶体管性质、接触电阻率和热稳定性。使用根据本发明的源极/汲极电极提供高性能的显示设备，其可以低成本优异生产力地制造。此外，从如下参考附图的较佳实施方案描述中，本发明更多的目的、特征和优点将会变得更明显。

18. 发明专利

TW201005939A 配線構造、薄膜電晶體基板及其製造方法、以及顯示裝置审中-公开
简体标题：配线构造、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示设备
公开(公告)号：TW201005939A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098113003
申请日：2009-04-20
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：福間信也 , 川上信之 , 越智元隆 , 森田晉也 , 三木綾 , 後藤裕史 , 橫田嘉宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：提供可以省略純鋁或鋁合金之鋁系合金配線與半導體層之間之障壁金屬層之直接接觸技術，且係具有寬廣的製程裕度(process margin)之範圍，可以對半導體層直接而且確實地連接鋁系合金配線之技術。本發明係關於一種配線構造，係於基板上，由基板側依序具備半導體層，與純鋁或鋁合金之鋁系合金膜之配線構造，於前述半導體層與前述鋁系合金膜之間，包含有由基板側起依序為含有氮、碳以及氟所構成的群所選擇之至少一種元素之（N、C、F）層，及包含鋁與矽之鋁-矽擴散層之層積構造，且被包含於前述（N、C、F）層的氮、碳及氟之至少一種之元素，與包含於前述半導體層之矽結合。
简体摘要：提供可以省略纯铝或铝合金之铝系合金配线与半导体层之间之障壁金属层之直接接触技术，且系具有宽广的制程裕度(process margin)之范围，可以对半导体层直接而且确实地连接铝系合金配线之技术。本发明系关于一种配线构造，系于基板上，由基板侧依序具备半导体层，与纯铝或铝合金之铝系合金膜之配线构造，于前述半导体层与前述铝系合金膜之间，包含有由基板侧起依序为含有氮、碳以及氟所构成的群所选择之至少一种元素之（N、C、F）层，及包含铝与硅之铝-硅扩散层之层积构造，且被包含于前述（N、C、F）层的氮、碳及氟之至少一种之元素，与包含于前述半导体层之硅结合。

19. 发明专利

TWI356498B 顯示裝置用鋁合金膜，顯示裝置及濺鍍靶有权
简体标题：显示设备用铝合金膜，显示设备及溅镀靶
公开(公告)号：TWI356498B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：TW096145691
申请日：2007-11-30
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：後藤裕史 , 富久勝文 , 日野綾 , 奧野博行 , 中井淳一 , 川上信之 , 越智元隆
IPC分类号： H01L , G02F , C23C
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種於基板上直接連接於導電性氧化膜之顯示裝置用鋁合金膜，該鋁合金膜係含有0.05~0.5原子%的鍺(Ge)，且含有合計為0.05~0.45原子%的釓(Gd)及/或鑭(La)，此外並提供一種使用此顯示裝置用鋁合金膜之顯示裝置及顯示裝置用的濺鍍靶。本發明之鋁合金膜，即使不設置阻障金屬層而使導電性氧化膜與鋁合金膜直接接觸，亦可提高導電性氧化膜與鋁合金膜之間的密接性，降低接觸電阻率，且更理想亦具有較佳的乾式蝕刻性。
简体摘要：本发明系提供一种于基板上直接连接于导电性氧化膜之显示设备用铝合金膜，该铝合金膜系含有0.05~0.5原子%的锗(Ge)，且含有合计为0.05~0.45原子%的钆(Gd)及/或镧(La)，此外并提供一种使用此显示设备用铝合金膜之显示设备及显示设备用的溅镀靶。本发明之铝合金膜，即使不设置阻障金属层而使导电性氧化膜与铝合金膜直接接触，亦可提高导电性氧化膜与铝合金膜之间的密接性，降低接触电阻率，且更理想亦具有较佳的干式蚀刻性。

20. 发明专利

TWI339864B 具有平滑表面的多孔基材以及其製法 POROUS SUBSTRATE WITH SMOOTH SURFACE AND PRODUCTION METHOD THEREOF 有权
简体标题：具有平滑表面的多孔基材以及其制法 POROUS SUBSTRATE WITH SMOOTH SURFACE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI339864B
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW095133690
申请日：2006-09-12
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , 國立大學法人京都大學
发明人：平野貴之 , 川上信之 , 田中丈晴 , 鈴木哲雄 , 福本吉人 , 中西和樹 , 金森主祥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/0011 , B32B21/04 , H05K1/024 , H05K1/0306 , H05K2201/0116 , Y10T428/249953 , Y10T428/249969
摘要：多孔基材，包括：在基材內側之三維網狀骨架固相，及品質與骨架固相相同而形成在基材之至少一表面上之表層；以及彼之製法，其包含：藉溶膠－凝膠反應在一對平板間之空間形成溼凝膠，其具有彼此分離之三維網狀骨架固相及富含溶劑之流相，乾燥除去溼凝膠之溶劑，及除去該對平板之至少一平板。
简体摘要：多孔基材，包括：在基材内侧之三维网状骨架固相，及品质与骨架固相相同而形成在基材之至少一表面上之表层；以及彼之制法，其包含：藉溶胶－凝胶反应在一对平板间之空间形成湿凝胶，其具有彼此分离之三维网状骨架固相及富含溶剂之流相，干燥除去湿凝胶之溶剂，及除去该对平板之至少一平板。

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