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1. 发明专利

TWI378150B Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｓｉ系統鋁基合金濺鍍靶及其製造方法 A1-Ni-La-Si SYSTEM A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｓｉ系统铝基合金溅镀靶及其制造方法 A1-Ni-La-Si SYSTEM A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI378150B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW097127641
申请日：2008-07-21
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , 鋼臂功科研股份有限公司
发明人：高木勝壽 , 岩崎祐紀 , 得平雅也 , 南部旭 , 越智元隆 , 後藤裕史 , 川上信之
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
摘要：本發明有關一種包含Ni、La與Si之Al－Ni－La－Si系統鋁基合金濺鍍靶，其中當以掃描電子顯微鏡在放大倍率2000倍下觀察與該濺鍍靶平面垂直之橫斷面中之(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)部分時，(1)以面積分率計，具有平均粒徑為0.3μm至3μm之Al－Ni系統金屬間化合物的總面積相對於整體Al－Ni系統金屬間化合物之總面積係70%或更高，該Al－Ni系統金屬間化合物主要由Al與Ni所組成；及(2)以面積分率計，具有平均粒徑為0.2μm至2μm之Al－Ni－La－Si系統金屬間化合物的總面積相對於整體Al－Ni－La－Si系統金屬間化合物之總面積係70%或更高，該Al－Ni－La－Si系統金屬間化合物主要由Al、Ni、La與Si所組成。
简体摘要：本发明有关一种包含Ni、La与Si之Al－Ni－La－Si系统铝基合金溅镀靶，其中当以扫描电子显微镜在放大倍率2000倍下观察与该溅镀靶平面垂直之横断面中之(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)部分时，(1)以面积分率计，具有平均粒径为0.3μm至3μm之Al－Ni系统金属间化合物的总面积相对于整体Al－Ni系统金属间化合物之总面积系70%或更高，该Al－Ni系统金属间化合物主要由Al与Ni所组成；及(2)以面积分率计，具有平均粒径为0.2μm至2μm之Al－Ni－La－Si系统金属间化合物的总面积相对于整体Al－Ni－La－Si系统金属间化合物之总面积系70%或更高，该Al－Ni－La－Si系统金属间化合物主要由Al、Ni、La与Si所组成。

2. 发明专利

TW201428118A 氧化物燒結體及濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201428118A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102133372
申请日：2013-09-14
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：田尾幸樹 , TAO, YUKI , 畠英雄 , HATA, HIDEO , 南部旭 , NAMBU, AKIRA , 金丸守賀 , KANAMARU, MORIYOSHI
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/64 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/66 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：本發明提供一種氧化物燒結體，其係使氧化鋅、氧化銦、氧化鎵及氧化錫混合並燒結而得。前述氧化物燒結體之相對密度為85%以上，觀察前述氧化物燒結體表面之結晶粒之平均結晶粒徑未達10μm。前述氧化物燒結體經X射線繞射時，以Zn2SnO4相與InGaZnO4相為主相，且InGaZn2O5相為3體積%以下。
简体摘要：本发明提供一种氧化物烧结体，其系使氧化锌、氧化铟、氧化镓及氧化锡混合并烧结而得。前述氧化物烧结体之相对密度为85%以上，观察前述氧化物烧结体表面之结晶粒之平均结晶粒径未达10μm。前述氧化物烧结体经X射线绕射时，以Zn2SnO4相与InGaZnO4相为主相，且InGaZn2O5相为3体积%以下。

3. 发明专利

TW201249775A 氧化物燒結體及濺鍍靶审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及溅镀靶
公开(公告)号：TW201249775A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101104383
申请日：2012-02-10
申请人：鋼臂功科研股份有限公司
发明人：金丸守賀 , 岩崎祐紀 , 松井實 , 後藤裕史 , 南部旭
IPC分类号： C04B , C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/086
摘要：本發明提供一種氧化物燒結體，其為適用於顯示裝置用氧化物半導體膜之製造中之氧化物燒結體，其兼具高導電性與相對密度，且可使具有高載體移動度而且具有非常優異面內均一性之氧化物半導體膜成膜。本發明之氧化物燒結體為混合氧化鋅、氧化錫、與氧化銦之各粉末並經燒結而獲得之氧化物燒結體，且使前述氧化物燒結體經X射線繞射，將2θ=34°附近之XRD峰之強度以A表示，2θ=31°附近之XRD峰之強度以B表示，2θ=35°附近之XRD峰之強度以C表示，2θ=26.5°附近之XRD峰之強度以D表示時，滿足下述式(1)：[A/(A+B+C+D)]×100≧70…(1)。
简体摘要：本发明提供一种氧化物烧结体，其为适用于显示设备用氧化物半导体膜之制造中之氧化物烧结体，其兼具高导电性与相对密度，且可使具有高载体移动度而且具有非常优异面内均一性之氧化物半导体膜成膜。本发明之氧化物烧结体为混合氧化锌、氧化锡、与氧化铟之各粉末并经烧结而获得之氧化物烧结体，且使前述氧化物烧结体经X射线绕射，将2θ=34°附近之XRD峰之强度以A表示，2θ=31°附近之XRD峰之强度以B表示，2θ=35°附近之XRD峰之强度以C表示，2θ=26.5°附近之XRD峰之强度以D表示时，满足下述式(1)：[A/(A+B+C+D)]×100≧70…(1)。

4. 发明专利

TW201245480A 氧化物燒結體及濺鍍靶审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及溅镀靶
公开(公告)号：TW201245480A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101101413
申请日：2012-01-13
申请人：鋼臂功科研股份有限公司
发明人：南部旭 , 岩崎祐紀 , 後藤裕史
IPC分类号： C23C , C04B
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：本發明係提供一種適合於製造顯示裝置用氧化物半導體膜時所使用的氧化物燒結體，兼具有高導電性與相對密度，可使具有高載體移動度之氧化物半導體膜成膜的氧化物燒結體。本發明之氧化物燒結體，係混合氧化鋅、氧化錫與氧化銦之各粉末且燒結而得的氧化物燒結體，將前述氧化物燒結體進行X光繞射時，具有以Zn2SnO4相為主相，且具有方鐵錳礦(Bixbyite)型結晶構造之ZnXSnXInYOm相(X、Y、m為任意的整數)，同時前述氧化物燒結體中所含的金屬元素之含量(原子%)各為[Zn]、[Sn]、[In]時，相對於[Zn]+[Sn]+[In]而言[In]之比例、相對於[Zn]+[Sn]而言[Zn]之比例、[Sn]之比例，係各滿足下式者。[In]/([Zn]+[Sn]+[In])=0.01~未達0.25 [Zn]/([Zn]+[Sn])=0.50~0.80 [Sn]/([Zn]+[Sn])=0.20~0.50
简体摘要：本发明系提供一种适合于制造显示设备用氧化物半导体膜时所使用的氧化物烧结体，兼具有高导电性与相对密度，可使具有高载体移动度之氧化物半导体膜成膜的氧化物烧结体。本发明之氧化物烧结体，系混合氧化锌、氧化锡与氧化铟之各粉末且烧结而得的氧化物烧结体，将前述氧化物烧结体进行X光绕射时，具有以Zn2SnO4相为主相，且具有方铁锰矿(Bixbyite)型结晶构造之ZnXSnXInYOm相(X、Y、m为任意的整数)，同时前述氧化物烧结体中所含的金属元素之含量(原子%)各为[Zn]、[Sn]、[In]时，相对于[Zn]+[Sn]+[In]而言[In]之比例、相对于[Zn]+[Sn]而言[Zn]之比例、[Sn]之比例，系各满足下式者。[In]/([Zn]+[Sn]+[In])=0.01~未达0.25 [Zn]/([Zn]+[Sn])=0.50~0.80 [Sn]/([Zn]+[Sn])=0.20~0.50

5. 发明专利

TWI523966B 氧化物燒結體及濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：氧化物烧结体及溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI523966B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102133372
申请日：2013-09-14
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：田尾幸樹 , TAO, YUKI , 畠英雄 , HATA, HIDEO , 南部旭 , NAMBU, AKIRA , 金丸守賀 , KANAMARU, MORIYOSHI
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/64 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/66 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631

6. 发明专利

TW201336803A 氧化物燒結體及濺鍍靶，以及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及溅镀靶，以及其制造方法
公开(公告)号：TW201336803A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101140796
申请日：2012-11-02
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：田尾幸樹 , TAO, YUKI , 畠英雄 , HATA, HIDEO , 金丸守賀 , KANAMARU, MORIYOSHI , 南部旭 , NAMBU, AKIRA , 岩崎祐紀 , IWASAKI, YUKI
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/782 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：本發明之氧化物燒結體，其係將氧化鋅、氧化銦及至少1種選自於由Ti、Mg、Al及Nb所成之群之金屬氧化物混合及燒結而得到的氧化物燒結體，將前述氧化物燒結體進行X射線繞射時，以ZnmIn2O3+m(m為5~7之整數)相作為主相，平均粒徑為10μm以下，且粒徑30μm以上之晶粒之比例為15%以下，相對密度為85%以上。藉由本發明可提供一種氧化物燒結體，其係抑制了具有高載體移動度之氧化物半導體膜之於成膜中之異常放電，並可藉由濺鍍法而安定成膜。
简体摘要：本发明之氧化物烧结体，其系将氧化锌、氧化铟及至少1种选自于由Ti、Mg、Al及Nb所成之群之金属氧化物混合及烧结而得到的氧化物烧结体，将前述氧化物烧结体进行X射线绕射时，以ZnmIn2O3+m(m为5~7之整数)相作为主相，平均粒径为10μm以下，且粒径30μm以上之晶粒之比例为15%以下，相对密度为85%以上。借由本发明可提供一种氧化物烧结体，其系抑制了具有高载体移动度之氧化物半导体膜之于成膜中之异常放电，并可借由溅镀法而安定成膜。

7. 发明专利

TWI382428B 觸控面板感應器有权
简体标题：触摸皮肤感应器
公开(公告)号：TWI382428B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW098105736
申请日：2009-02-23
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：三木綾 , MIKI, AYA , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 奧野博行 , OKUNO, HIROYUKI , 岸智彌 , KISHI, TOMOYA , 南部旭 , NANBU, AKIRA
IPC分类号： H01B1/02 , G06F3/041
CPC分类号： G06F3/041 , C22C21/00 , H05K1/09

8. 发明专利

TW201003923A 顯示裝置、其製造方法及濺鍍靶审中-公开
简体标题：显示设备、其制造方法及溅镀靶
公开(公告)号：TW201003923A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098110769
申请日：2009-03-31
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：後藤裕史 , 南部旭 , 中井淳一 , 奧野博行 , 越智元隆 , 三木綾
IPC分类号： H01L , C22C
CPC分类号： H01L29/458 , C22C21/00 , C22C21/10 , C23C14/3414 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/4908 , Y10T428/12049
摘要：本發明係於使用在顯示裝置的薄膜電晶體基板之配線構造，開發可以使鋁合金薄膜與透明畫素電極直接接觸，同時達成低電阻率與耐熱性，可改善對使用於薄膜電晶體的製造程序中的胺系剝離液或鹼性顯影液的腐蝕性之鋁合金膜，提供具備該鋁合金膜之顯示裝置。本發明係關於一種顯示裝置，係氧化物導電膜與鋁合金膜直接接觸，鋁合金成分之至少一部份析出並存在於前述鋁合金膜的接觸表面之顯示裝置，其特徵為：前述鋁合金膜包含從鎳、銀、鋅以及鈷所構成的群中選出的元素（元素X1）之至少1種，且可以與前述元素X1形成金屬間化合物之元素（元素X2）之至少1種，形成最大直徑150nm以下之X1-X2及鋁-X1-X2之中至少一方所示之金屬間化合物。
简体摘要：本发明系于使用在显示设备的薄膜晶体管基板之配线构造，开发可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时达成低电阻率与耐热性，可改善对使用于薄膜晶体管的制造进程中的胺系剥离液或碱性显影液的腐蚀性之铝合金膜，提供具备该铝合金膜之显示设备。本发明系关于一种显示设备，系氧化物导电膜与铝合金膜直接接触，铝合金成分之至少一部份析出并存在于前述铝合金膜的接触表面之显示设备，其特征为：前述铝合金膜包含从镍、银、锌以及钴所构成的群中选出的元素（元素X1）之至少1种，且可以与前述元素X1形成金属间化合物之元素（元素X2）之至少1种，形成最大直径150nm以下之X1-X2及铝-X1-X2之中至少一方所示之金属间化合物。

9. 发明专利

TWI434421B 顯示裝置、其製造方法及濺鍍靶有权
简体标题：显示设备、其制造方法及溅镀靶
公开(公告)号：TWI434421B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW098110769
申请日：2009-03-31
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 南部旭 , NANBU, AKIRA , 中井淳一 , NAKAI, JUNICHI , 奧野博行 , OKUNO, HIROYUKI , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA , 三木綾 , MIKI, AYA
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/3205 , C22C21/00
CPC分类号： H01L29/458 , C22C21/00 , C22C21/10 , C23C14/3414 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/4908 , Y10T428/12049

10. 发明专利

TWI507374B 氧化物燒結體及濺鍍靶有权
简体标题：氧化物烧结体及溅镀靶
公开(公告)号：TWI507374B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102133373
申请日：2013-09-14
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：田尾幸樹 , TAO, YUKI , 金丸守賀 , KANAMARU, MORIYOSHI , 南部旭 , NAMBU, AKIRA , 畠英雄 , HATA, HIDEO
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/3322 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631

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