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11. 发明专利

TWI560728B 積體變壓器有权
简体标题：积体变压器
公开(公告)号：TWI560728B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW103124582
申请日：2014-07-17
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F19/00 , H01F27/28

12. 发明专利

TWI553679B 具有兩平面式電感的電子裝置有权
简体标题：具有两平面式电感的电子设备
公开(公告)号：TWI553679B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103120614
申请日：2014-06-13
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 黃凱易 , HUANG, KAI YI , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F38/14
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F17/0033 , H01F27/346 , H01F2017/0073 , H01F2027/2809

13. 发明专利

TW201616631A 電子裝置和電磁輻射抑制方法审中-公开
简体标题：电子设备和电磁辐射抑制方法
公开(公告)号：TW201616631A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103136312
申请日：2014-10-21
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L23/552
CPC分类号： H05K9/0071 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H03H1/0007 , H05K1/0216 , H01L2924/00
摘要：本發明揭露一種包含一電磁輻射源結構及一電磁輻射抑制結構的電子裝置。該電磁輻射源結構形成於至少一第一半導體晶粒中。該電磁輻射抑制結構係形成於一第二半導體晶粒中，用以感應該電磁輻射源結構所發出的電磁輻射來產生一反向電磁輻射，以抑制該電磁輻射源結構所發出的電磁輻射穿過該電磁輻射抑制結構。本發明另揭露一種包含一電磁輻射抑制結構及一電磁輻射源結構的電子裝置。該電磁輻射抑制結構係形成於一印刷電路板中。該電磁輻射源結構係形成於一半導體晶粒中。除此之外，本發明還揭露了相關的電磁輻射抑制方法。
简体摘要：本发明揭露一种包含一电磁辐射源结构及一电磁辐射抑制结构的电子设备。该电磁辐射源结构形成于至少一第一半导体晶粒中。该电磁辐射抑制结构系形成于一第二半导体晶粒中，用以感应该电磁辐射源结构所发出的电磁辐射来产生一反向电磁辐射，以抑制该电磁辐射源结构所发出的电磁辐射穿过该电磁辐射抑制结构。本发明另揭露一种包含一电磁辐射抑制结构及一电磁辐射源结构的电子设备。该电磁辐射抑制结构系形成于一印刷电路板中。该电磁辐射源结构系形成于一半导体晶粒中。除此之外，本发明还揭露了相关的电磁辐射抑制方法。

14. 发明专利

TWI579869B 積體電感／變壓器的屏蔽結構有权
简体标题：积体电感／变压器的屏蔽结构
公开(公告)号：TWI579869B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104130278
申请日：2015-09-14
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：黃凱易 , HUANG, KAI YI , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 陳台生 , CHEN, TAI SHENG
IPC分类号： H01F27/36
CPC分类号： H05K1/115 , H01F27/362 , H01F2027/348 , H05K1/0218 , H05K9/0064

15. 发明专利

TW201711066A 積體電感／變壓器的屏蔽結構审中-公开
简体标题：积体电感／变压器的屏蔽结构
公开(公告)号：TW201711066A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104130278
申请日：2015-09-14
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：黃凱易 , HUANG, KAI YI , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 陳台生 , CHEN, TAI SHENG
IPC分类号： H01F27/36
CPC分类号： H05K1/115 , H01F27/362 , H01F2027/348 , H05K1/0218 , H05K9/0064
摘要：本發明提供一種積體電感/變壓器的屏蔽結構，位於電感元件或變壓器元件下方與基底上方，包括複數個導體單元、複數個連結部、複數個穿孔、第二連結部與接地端。每一個導體單元係由基部與複數個延伸部所組成，延伸部連接於基部，延伸部之數目為奇數，且延伸部之長度係沿基部之兩側方向遞減。連結部透過穿孔將導體單元之基部彼此連接，且接地端連接於連結部的其中之一。第二連結部透過穿孔將具最大長度之延伸部彼此連接。此外，導體單元係由第一導體材料製成，且連結部與第二連結部係由不同於第一導體材料之導體材料製成。
简体摘要：本发明提供一种积体电感/变压器的屏蔽结构，位于电感组件或变压器组件下方与基底上方，包括复数个导体单元、复数个链接部、复数个穿孔、第二链接部与接地端。每一个导体单元系由基部与复数个延伸部所组成，延伸部连接于基部，延伸部之数目为奇数，且延伸部之长度系沿基部之两侧方向递减。链接部透过穿孔将导体单元之基部彼此连接，且接地端连接于链接部的其中之一。第二链接部透过穿孔将具最大长度之延伸部彼此连接。此外，导体单元系由第一导体材料制成，且链接部与第二链接部系由不同于第一导体材料之导体材料制成。

16. 发明专利

TWI560839B 具有電感電容諧振電路之半導體裝置有权
简体标题：具有电感电容谐振电路之半导体设备
公开(公告)号：TWI560839B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW103113947
申请日：2014-04-16
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L23/522 , H01L29/66 , H01L27/04
CPC分类号： H03H7/0115 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L28/10 , H01L28/40 , H01L2223/6672 , H01L2924/0002 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/00

17. 发明专利

TWI533500B 信號傳輸線結構及其應用之電子裝置有权
简体标题：信号传输线结构及其应用之电子设备
公开(公告)号：TWI533500B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW103111871
申请日：2014-03-28
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01P3/08 , H01P11/00 , H01L23/485
CPC分类号： H03H7/38 , H01P3/026 , H01P3/081 , H01P3/085

18. 发明专利

TW201605049A 半導體元件及多閘極場效電晶體审中-公开
简体标题：半导体组件及多闸极场效应管
公开(公告)号：TW201605049A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103126251
申请日：2014-07-31
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/7831 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L29/66787 , H01L29/7827 , H01L29/785
摘要：本發明揭露一種半導體元件，其包含有一半導體基板、一第一閘極結構、一第二閘極結構、一源極結構與一汲極結構，其中該第一閘極結構與該第二閘極結構分別嵌入於半導體基板中；該源極結構係形成於該半導體基板中，且該源極結構至少有一部分位於該第一閘極結構與該第二閘極結構之間；以及該汲極結構係形成於該半導體基板中，且該汲極結構至少有一部分位於該第一閘極結構與該第二閘極結構之間。
简体摘要：本发明揭露一种半导体组件，其包含有一半导体基板、一第一闸极结构、一第二闸极结构、一源极结构与一汲极结构，其中该第一闸极结构与该第二闸极结构分别嵌入于半导体基板中；该源极结构系形成于该半导体基板中，且该源极结构至少有一部分位于该第一闸极结构与该第二闸极结构之间；以及该汲极结构系形成于该半导体基板中，且该汲极结构至少有一部分位于该第一闸极结构与该第二闸极结构之间。

19. 发明专利

TW201546839A 參數可變之裝置，可變電感及具有該可變電感之裝置。审中-公开
简体标题：参数可变之设备，可变电感及具有该可变电感之设备。
公开(公告)号：TW201546839A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW103119291
申请日：2014-06-03
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F21/02 , H01F27/42
CPC分类号： H01F21/12 , H01F27/32 , H01F2021/125
摘要：一具有一可變電感的裝置，其包含一具有一電感值的電感，一具有一第一接地特性的第一導體，及一具有一第二接地特性的第二導體。該裝置更包含一第一單一網狀結構，其包括一第一網格。該第一網格包括一第一導線電連接於該第一導體，以及一第二導線電連接於該第一導線及該第一導體，其中，該第一導線、第二導線以及該第一導體形成一第一迴路與該電感對應，用以調整該電感值。該第一單一網狀結構更包括一第二網格。該第二網格包括一第三導線電連接於該第一導線及該第二導體，以及一第四導線電連接於該第三導線及該第二導體，其中，該第三導線、第四導線以及該第二導體形成一第二迴路與該電感對應，用以調整該電感值。
简体摘要：一具有一可变电感的设备，其包含一具有一电感值的电感，一具有一第一接地特性的第一导体，及一具有一第二接地特性的第二导体。该设备更包含一第一单一网状结构，其包括一第一网格。该第一网格包括一第一导线电连接于该第一导体，以及一第二导线电连接于该第一导线及该第一导体，其中，该第一导线、第二导线以及该第一导体形成一第一回路与该电感对应，用以调整该电感值。该第一单一网状结构更包括一第二网格。该第二网格包括一第三导线电连接于该第一导线及该第二导体，以及一第四导线电连接于该第三导线及该第二导体，其中，该第三导线、第四导线以及该第二导体形成一第二回路与该电感对应，用以调整该电感值。

20. 发明专利

TW201537821A 信號傳輸線結構及其應用之電子裝置审中-公开
简体标题：信号传输线结构及其应用之电子设备
公开(公告)号：TW201537821A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103111871
申请日：2014-03-28
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01P3/08 , H01P11/00 , H01L23/485
CPC分类号： H03H7/38 , H01P3/026 , H01P3/081 , H01P3/085
摘要：一種信號傳輸線結構包括一基材、多個個矽穿孔（TSV）式溝槽、一導電物質、至少一導體走線以及一介電層。基材具有彼此相對之第一表面以及第二表面。矽穿孔式溝槽形成在基材的第一表面並沿著第一表面延伸。矽穿孔式溝槽的底面位在基材的第一表面與第二表面之間。導電物質填滿矽穿孔式溝槽以致形成一傳輸線路。導體走線位在傳輸線路的上方。介電層位在基材的第一表面上，並間隔導體走線與傳輸線路。
简体摘要：一种信号传输线结构包括一基材、多个个硅穿孔（TSV）式沟槽、一导电物质、至少一导体走线以及一介电层。基材具有彼此相对之第一表面以及第二表面。硅穿孔式沟槽形成在基材的第一表面并沿着第一表面延伸。硅穿孔式沟槽的底面位在基材的第一表面与第二表面之间。导电物质填满硅穿孔式沟槽以致形成一传输线路。导体走线位在传输线路的上方。介电层位在基材的第一表面上，并间隔导体走线与传输线路。

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