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11. 发明专利

TWI470781B 內建電子倍增功能型之固體攝像元件有权
简体标题：内置电子倍增功能型之固体摄像组件
公开(公告)号：TWI470781B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW099102723
申请日：2010-01-29
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 高木慎一郎 , TAKAGI, SHINICHIRO , 前田堅太郎 , MAETA, KENTARO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14887 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14812 , H01L27/1485 , H01L29/76816

12. 发明专利

TW201921665A 固體攝像裝置审中-公开
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TW201921665A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128773
申请日：2018-08-17
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：高木慎一郎 , TAKAGI, SHIN-ICHIRO , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/148
摘要：第一區域包含排列於第一方向之複數個第一傳送行區域。第二區域包含排列於第一方向之複數個第二傳送行區域。第二區域在第二傳送部中之電荷傳送方向上位於第一區域之下游。複數個第一傳送行區域之第二方向上之長度相同。複數個第二傳送行區域之第二方向上之長度大於第一傳送行區域之長度，且在電荷傳送方向上越為位於下游側之第二傳送行區域則越大。第三區域對應於第一區域而配置，且沿第一方向延伸。第四區域對應於第二區域而配置，且以第二方向上之與像素區域之間隔對應於複數個第二傳送行區域之長度變化而在電荷傳送方向上增大之方式延伸。
简体摘要：第一区域包含排列于第一方向之复数个第一发送行区域。第二区域包含排列于第一方向之复数个第二发送行区域。第二区域在第二发送部中之电荷发送方向上位于第一区域之下游。复数个第一发送行区域之第二方向上之长度相同。复数个第二发送行区域之第二方向上之长度大于第一发送行区域之长度，且在电荷发送方向上越为位于下游侧之第二发送行区域则越大。第三区域对应于第一区域而配置，且沿第一方向延伸。第四区域对应于第二区域而配置，且以第二方向上之与像素区域之间隔对应于复数个第二发送行区域之长度变化而在电荷发送方向上增大之方式延伸。

13. 发明专利

TW201921664A 固體攝像裝置审中-公开
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TW201921664A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128772
申请日：2018-08-17
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：高木慎一郎 , TAKAGI, SHIN-ICHIRO , 間瀬光人 , MASE, MITSUHITO , 平光純 , HIRAMITSU, JUN , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/372
摘要：光感應區域包含第一雜質區域、及與第一雜質區域相比雜質濃度較高之第二雜質區域。光感應區域具有在第二方向上遠離傳送部之一端、與在第二方向上靠近傳送部之另一端。第二雜質區域之俯視時之形狀相對於沿著第二方向之光感應區域之中心線成線對稱。第二雜質區域在第一方向上之寬度沿自一端朝向另一端之傳送方向增加。將光感應區域在第二方向上分割成n個之各區間中之第二雜質區域之寬度之增加率在傳送方向上逐漸增大。n為2以上之整數。
简体摘要：光感应区域包含第一杂质区域、及与第一杂质区域相比杂质浓度较高之第二杂质区域。光感应区域具有在第二方向上远离发送部之一端、与在第二方向上靠近发送部之另一端。第二杂质区域之俯视时之形状相对于沿着第二方向之光感应区域之中心线成线对称。第二杂质区域在第一方向上之宽度沿自一端朝向另一端之发送方向增加。将光感应区域在第二方向上分割成n个之各区间中之第二杂质区域之宽度之增加率在发送方向上逐渐增大。n为2以上之整数。

14. 发明专利

TWI617013B 半導體光檢知元件及光電二極體有权
简体标题：半导体光检知组件及光电二极管
公开(公告)号：TWI617013B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW104102778
申请日：2010-02-22
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 坂本明 , SAKAMOTO, AKIRA , 永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 宮崎康人 , MIYAZAKI, YASUHITO , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50

15. 发明专利

TW201724434A 配線構造體之製造方法审中-公开
简体标题：配线构造体之制造方法
公开(公告)号：TW201724434A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105129031
申请日：2016-09-08
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU , 鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 大塚慎也 , OTSUKA, SHINYA , 高橋弘孝 , TAKAHASHI, HIROTAKA
IPC分类号： H01L23/498
CPC分类号： C23C18/16 , C23C18/18 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/14 , H01L23/522
摘要：本發明之配線構造體之製造方法係設置有配線圖案之配線構造體之製造方法，且包含：第1步驟，其至少沿著配線圖案之形成預定區域而於矽基板之表面形成絕緣層；第2步驟，其沿著形成預定區域而於絕緣層上形成硼層；及第3步驟，其藉由鍍覆而於硼層上形成金屬層。
简体摘要：本发明之配线构造体之制造方法系设置有配线图案之配线构造体之制造方法，且包含：第1步骤，其至少沿着配线图案之形成预定区域而于硅基板之表面形成绝缘层；第2步骤，其沿着形成预定区域而于绝缘层上形成硼层；及第3步骤，其借由镀覆而于硼层上形成金属层。

16. 发明专利

TWI573256B 固體攝像裝置之製造方法及固體攝像裝置有权
简体标题：固体摄像设备之制造方法及固体摄像设备
公开(公告)号：TWI573256B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102108908
申请日：2013-03-13
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：米田康人 , YONETA, YASUHITO , 瀧澤涼都 , TAKISAWA, RYOTO , 石原真吾 , ISHIHARA, SHINGO , 鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H01L21/77 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2224/11 , H04N5/369 , Y10T29/49124

17. 发明专利

TWI558209B 固體攝像裝置有权
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TWI558209B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW099102305
申请日：2010-01-27
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 高木慎一郎 , TAKAGI, SHINICHIRO , 前田堅太郎 , MAETA, KENTARO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H04N5/335
CPC分类号： H04N5/37213 , H01L27/14609 , H01L27/14812

18. 发明专利

TWI531235B 固態攝像裝置有权
简体标题：固态摄像设备
公开(公告)号：TWI531235B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW099102274
申请日：2010-01-27
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 高木慎一郎 , TAKAGI, SHINICHIRO , 前田堅太郎 , MAETA, KENTARO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H04N5/357 , H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14806 , H01L29/76816

19. 发明专利

TW201523845A 半導體光檢知元件及光電二極體审中-公开
简体标题：半导体光检知组件及光电二极管
公开(公告)号：TW201523845A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW104102778
申请日：2010-02-22
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 坂本明 , SAKAMOTO, AKIRA , 永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 宮崎康人 , MIYAZAKI, YASUHITO , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
摘要：一種半導體光檢知元件SP，包括：矽基板21，其包含第1導電型之半導體，具有彼此相對向之第1主面21a及第2主面21b，並且於第1主面21a側形成有第2導電型之半導體層23；以及電荷轉移電極25，其設置於第1主面21a上，且轉移所產生之電荷。於矽基板21上，於第2主面21b側形成有具有較矽基板21更高之雜質濃度之第1導電型之累積層31，並且於第2主面21b之與至少半導體區域23相對向之區域形成有不規則之凹凸10。矽基板21之第2主面21b之形成有不規則之凹凸10的區域光學性地露出。
简体摘要：一种半导体光检知组件SP，包括：硅基板21，其包含第1导电型之半导体，具有彼此相对向之第1主面21a及第2主面21b，并且于第1主面21a侧形成有第2导电型之半导体层23；以及电荷转移电极25，其设置于第1主面21a上，且转移所产生之电荷。于硅基板21上，于第2主面21b侧形成有具有较硅基板21更高之杂质浓度之第1导电型之累积层31，并且于第2主面21b之与至少半导体区域23相对向之区域形成有不守则之凹凸10。硅基板21之第2主面21b之形成有不守则之凹凸10的区域光学性地露出。

20. 发明专利

TWI462281B 內建電子倍增功能型之固體攝像元件有权
简体标题：内置电子倍增功能型之固体摄像组件
公开(公告)号：TWI462281B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW099102711
申请日：2010-01-29
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 高木慎一郎 , TAKAGI, SHINICHIRO , 前田堅太郎 , MAETA, KENTARO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/1485 , H01L27/1464 , H01L27/14843 , H04N5/335 , H04N5/37213

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