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11. 发明专利

TWI622326B 表面處理方法有权
简体标题：表面处理方法
公开(公告)号：TWI622326B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW099122667
申请日：2010-07-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤直行 , SATOH, NAOYUKI , 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 長久保啟一 , NAGAKUBO, KEIICHI
IPC分类号： H05H1/00
CPC分类号： C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31

12. 发明专利

TWI560767B 基板處理裝置與基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备与基板处理方法
公开(公告)号：TWI560767B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW100145563
申请日：2011-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：菊池英一郎 , KIKUCHI, EIICHIRO , 長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 宮井高廣 , MIYAI, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32165 , H01J37/32724 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831

13. 发明专利

TWI446472B 基板載置台之製造方法有权
简体标题：基板载置台之制造方法
公开(公告)号：TWI446472B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW096148069
申请日：2007-12-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長山將之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 上田雄大 , UEDA, TAKEHIRO , 小林義之 , KOBAYASHI, YOSHIYUKI , 大橋薰 , OOHASHI, KAORU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/68757

14. 发明专利

TW201234519A 電漿處理裝置 PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW201234519A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100140364
申请日：2011-11-04
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：長山將之 , 菊池英一郎
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32642 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/6831
摘要：本發明提供一種可藉由抑制被處理基板之邊緣部的溫度上升而提升電漿處理之面內均一性,且可施行均一的電漿處理之電漿處理裝置。該電漿處理裝置具備:處理室,可將內部氣密性地閉塞;處理氣體供給機構,往該處理室內供給處理氣體;排氣機構,供自該處理室內之排氣所用;電漿產生機構,供該處理氣體的電漿之產生所用;載置台,設置於該處理室內,以將被處理基板、與配設為包圍該被處理基板的周圍之對焦環載置於同一平面的方式構成;溫度調節機構,調節該載置台之溫度;以及靜電吸盤,配設於該載置台之頂面,具有延伸至該對焦環的下部為止之吸附用電極。
简体摘要：本发明提供一种可借由抑制被处理基板之边缘部的温度上升而提升等离子处理之面内均一性,且可施行均一的等离子处理之等离子处理设备。该等离子处理设备具备:处理室,可将内部气密性地闭塞;处理气体供给机构,往该处理室内供给处理气体;排气机构,供自该处理室内之排气所用;等离子产生机构,供该处理气体的等离子之产生所用;载置台,设置于该处理室内,以将被处理基板、与配设为包围该被处理基板的周围之对焦环载置于同一平面的方式构成;温度调节机构,调节该载置台之温度;以及静电吸盘,配设于该载置台之顶面,具有延伸至该对焦环的下部为止之吸附用电极。

15. 发明专利

TW201230135A 電漿蝕刻用之電極板及電漿蝕刻處理裝置 ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING AND PLASMA ETCHING APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子蚀刻用之电极板及等离子蚀刻处理设备 ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING AND PLASMA ETCHING APPARATUS
公开(公告)号：TW201230135A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100134605
申请日：2011-09-26
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：佐藤直行 , 長山將之 , 長久保啟一
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/505 , C23C16/509 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32541
摘要：本發明旨在提供一種電漿蝕刻用電極板,可使穿通電極板之複數類型氣孔之配置最佳化。其中電漿蝕刻用電極板160呈具有既定厚度之圓板狀,在呈同心圓狀之複數不同的圓周上形成有垂直穿通電極板160其中一面之複數氣孔,在將電極板160沿徑向分為2個以上區域之各區域形成有不同類型之氣孔。
简体摘要：本发明旨在提供一种等离子蚀刻用电极板,可使穿通电极板之复数类型气孔之配置最优化。其中等离子蚀刻用电极板160呈具有既定厚度之圆板状,在呈同心圆状之复数不同的圆周上形成有垂直穿通电极板160其中一面之复数气孔,在将电极板160沿径向分为2个以上区域之各区域形成有不同类型之气孔。

16. 发明专利

TW201246357A 基板處理裝置與基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：基板处理设备与基板处理方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW201246357A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW100145563
申请日：2011-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：菊池英一郎 , 長山將之 , 宮井高廣
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32165 , H01J37/32724 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要：本發明旨在提供一種基板處理裝置及基板處理方法，獨立控制對焦環溫度與基板溫度，藉此控制基板之面內處理特性。其中該基板處理裝置包含：載置台110，包含基座114，該基座包含載置晶圓W之基板載置面115與載置對焦環之對焦環載置面116；靜電吸盤120，將晶圓背面靜電吸附於基板載置面，並將對焦環背面靜電吸附於對焦環載置面；及傳熱氣體供給機構200；傳熱氣體供給機構獨立設置對基板背面供給第1傳熱氣體之第1傳熱氣體供給部210，與對對焦環背面供給第2傳熱氣體之第2傳熱氣體供給部220。
简体摘要：本发明旨在提供一种基板处理设备及基板处理方法，独立控制对焦环温度与基板温度，借此控制基板之面内处理特性。其中该基板处理设备包含：载置台110，包含基座114，该基座包含载置晶圆W之基板载置面115与载置对焦环之对焦环载置面116；静电吸盘120，将晶圆背面静电吸附于基板载置面，并将对焦环背面静电吸附于对焦环载置面；及传热气体供给机构200；传热气体供给机构独立设置对基板背面供给第1传热气体之第1传热气体供给部210，与对对焦环背面供给第2传热气体之第2传热气体供给部220。

17. 发明专利

TWI335609B 電漿處理容器內構件有权
简体标题：等离子处理容器内构件
公开(公告)号：TWI335609B
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW092133602
申请日：2003-11-28
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：三橋康至 , 中山博之 , 長山將之 , 守屋剛 , 長池宏史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05H1/24 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721
摘要：【課題】
提供可抑制作為頂層所形成之火焰噴塗被膜剝離之電漿處理容器內構件。
【解決手段】
基材71與火焰噴塗被膜72之間，形成以對於含鹵素之流程氣體為耐腐蝕性優異之材料所形成遮蔽被覆層73，對此遮蔽被覆層73，以樹脂或溶膠凝膠法封孔處理。
简体摘要：【课题】提供可抑制作为顶层所形成之火焰喷涂被膜剥离之等离子处理容器内构件。【解决手段】基材71与火焰喷涂被膜72之间，形成以对于含卤素之流程气体为耐腐蚀性优异之材料所形成屏蔽被覆层73，对此屏蔽被覆层73，以树脂或溶胶凝胶法封孔处理。

18. 发明专利

TW556269B 電漿處理裝置用石英構件的加工方法、電漿處理裝置用石英構件以及安裝有電漿處理裝置用石英構件的電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备用石英构件的加工方法、等离子处理设备用石英构件以及安装有等离子处理设备用石英构件的等离子处理设备
公开(公告)号：TW556269B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW091120471
申请日：2002-09-09
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：杉山智一 , 三枝秀仁 , 岡山信幸 , 飯室俊一 , 今福光 , 長山將之 , 三橋康至 , 中山博之 , 黃亞輝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C03C15/02 , C03B29/025 , C03C19/00 , Y02P40/57
摘要：本發明係擬提供一種抑制在使用初始時期產生粒子及其後之產生碎裂(chipping)的電漿處理裝置用石英構件的加工方法，電漿處理裝置用石英構件以及安裝有該石英構件的電漿處理裝置者。為此，將產生於使用在遮蔽環、聚焦環等的電漿處理裝置用石英構件151之鑽石磨光後之多數裂獲155，以例如顆粒尺寸#320~400磨(顆)粒進行表面加工來去除。而後使用更小之粒子直徑的磨粒來進行表面加工，以維持具有可附著及可保持堆積(沈積)物之凹凸下來去除破碎層163。(參照第3圖)
简体摘要：本发明系拟提供一种抑制在使用初始时期产生粒子及其后之产生碎裂(chipping)的等离子处理设备用石英构件的加工方法，等离子处理设备用石英构件以及安装有该石英构件的等离子处理设备者。为此，将产生于使用在屏蔽环、聚焦环等的等离子处理设备用石英构件151之钻石磨光后之多数裂获155，以例如颗粒尺寸#320~400磨(颗)粒进行表面加工来去除。而后使用更小之粒子直径的磨粒来进行表面加工，以维持具有可附着及可保持堆积(沉积)物之凹凸下来去除破碎层163。(参照第3图)

19. 发明专利

TW201131690A 基板載置台之溫度控制系統及其溫度控制方法审中-公开
简体标题：基板载置台之温度控制系统及其温度控制方法
公开(公告)号：TW201131690A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099134654
申请日：2010-10-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：佐佐木康晴 , 野中龍 , 長山將之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67109
摘要：本發明係提供一種基板載置台之溫度控制系統,可迅速地使基板溫度上昇,並可減少熱能損失。內藏有加熱器單元與熱媒體流道且載置有欲施以電漿蝕刻處理之晶圓的台座之冷媒循環系統係具備有:冷媒供給裝置,係連接至熱媒體流道而將較低溫之冷媒供給至熱媒體流道;高溫媒體儲存槽,係設置於熱媒體流道與冷媒供給裝置之間,儲存有較高溫之高溫媒體;以及第1閥門群,係設置於冷媒供給裝置與高溫媒體儲存槽、以及熱媒體流道之間處,將台座溫度上昇時,停止從冷媒供給裝置將冷媒供給至熱媒體流道,且從高溫媒體儲存槽將高溫媒體供給至熱媒體流道。
简体摘要：本发明系提供一种基板载置台之温度控制系统,可迅速地使基板温度上升,并可减少热能损失。内藏有加热器单元与热媒体流道且载置有欲施以等离子蚀刻处理之晶圆的台座之冷媒循环系统系具备有:冷媒供给设备,系连接至热媒体流道而将较低温之冷媒供给至热媒体流道;高温媒体存储槽,系设置于热媒体流道与冷媒供给设备之间,存储有较高温之高温媒体;以及第1阀门群,系设置于冷媒供给设备与高温媒体存储槽、以及热媒体流道之间处,将台座温度上升时,停止从冷媒供给设备将冷媒供给至热媒体流道,且从高温媒体存储槽将高温媒体供给至热媒体流道。

20. 发明专利

TW201130390A 電漿處理裝置用的消耗零件的再利用方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备用的消耗零件的再利用方法
公开(公告)号：TW201130390A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099119117
申请日：2010-06-11
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：長山將之 , 佐藤直行 , 長久保啟一 , 永關一也
IPC分类号： H05H , C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/465 , C23C16/0227 , C23C16/325 , C23C16/4418 , H01J37/32467 , H01J37/32862
摘要：本發明的課題是在於提供一種可排除浪費之電漿處理裝置用的消耗零件的再利用方法。其解決手段是藉由CVD來層疊碳化矽而生成碳化矽塊(41),碳化矽塊(41)被加工而製造聚焦環(25),被製造的聚焦環(25)安裝於電漿處理裝置(10)後,電漿蝕刻處理會被重複所定的次數,在電漿蝕刻處理中消耗的聚焦環(25')的表面會被酸洗,藉由CVD來往被洗淨的聚焦環(25)的表面層疊碳化矽,而生成碳化矽塊(42),碳化矽塊(42)會被加工而再製造聚焦環(25"),被再製造的聚焦環(25")安裝於電漿處理裝置(10)後,電漿蝕刻處理會被重複所定的次數。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可排除浪费之等离子处理设备用的消耗零件的再利用方法。其解决手段是借由CVD来层叠碳化硅而生成碳化硅块(41),碳化硅块(41)被加工而制造聚焦环(25),被制造的聚焦环(25)安装于等离子处理设备(10)后,等离子蚀刻处理会被重复所定的次数,在等离子蚀刻处理中消耗的聚焦环(25')的表面会被酸洗,借由CVD来往被洗净的聚焦环(25)的表面层叠碳化硅,而生成碳化硅块(42),碳化硅块(42)会被加工而再制造聚焦环(25"),被再制造的聚焦环(25")安装于等离子处理设备(10)后,等离子蚀刻处理会被重复所定的次数。

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