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11. 发明专利

TWI488236B 聚焦環及電漿處理裝置有权
简体标题：聚焦环及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI488236B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101115977
申请日：2004-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA , 田中秀朗 , TANAKA, HIDEAKI , 岡山信幸 , OKAYAMA, NOBUYUKI , 宮川正章 , MIYAGAWA, MASAAKI , 水上俊介 , MIZUKAMI, SHUNSUKE , 清水涉 , SHIMIZU, WATARU , 廣瀨潤 , HIROSE, JUN , 若木俊克 , WAKAKI, TOSHIKATSU , 三輪智典 , MIWA, TOMONORI , 大藪淳 , OOYABU, JUN , 林大輔 , HAYASHI, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/00

12. 发明专利

TWI370707B 聚焦環及電漿處理裝置失效
简体标题：聚焦环及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI370707B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW093126072
申请日：2004-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：輿石公 , 田中秀朗 , 岡山信幸 , 宮川正章 , 水上俊介 , 清水涉 , 廣瀨潤 , 若木俊克 , 三輪智典 , 大藪淳 , 林大輔
IPC分类号： H05H , H01L
摘要：本發明的課題在於提供一種聚焦環及電漿處理裝置，不但能夠提高處理的面內均勻性，並且與以往相比，能夠減少在半導體晶圓的周邊部背面側之沉積的發生。
為了解決此課題，本發明之手段為：
載置著半導體晶圓W之載置台2，被設置在真空艙1內；聚焦環8則被設置成可以包圍被載置於此載置台2上的半導體晶圓W的周圍。聚焦環8，係由：電介質所形成的下側構件9；及被配置在此下側構件9的上部，由導電性材料所形成的環狀的上側構件10所構成；上側構件10，其頂面的外周側，係作成比半導體晶圓W的被處理面更高的平坦部10a，而此平坦部10a的內周部，係作成其外周側比內周側高而傾斜的傾斜部10b。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种聚焦环及等离子处理设备，不但能够提高处理的面内均匀性，并且与以往相比，能够减少在半导体晶圆的周边部背面侧之沉积的发生。为了解决此课题，本发明之手段为：载置着半导体晶圆W之载置台2，被设置在真空舱1内；聚焦环8则被设置成可以包围被载置于此载置台2上的半导体晶圆W的周围。聚焦环8，系由：电介质所形成的下侧构件9；及被配置在此下侧构件9的上部，由导电性材料所形成的环状的上侧构件10所构成；上侧构件10，其顶面的外周侧，系作成比半导体晶圆W的被处理面更高的平坦部10a，而此平坦部10a的内周部，系作成其外周侧比内周侧高而倾斜的倾斜部10b。

13. 外观设计

TW490235S 電漿蝕刻裝置用上電極總成失效
简体标题：等离子蚀刻设备用上电极总成
公开(公告)号：TW490235S
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW089306983
申请日：2001-01-11
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：廣瀨潤
摘要：本創作係有關於一種「電漿蝕刻裝置用上電極總成」之新式樣設計。本創作「電漿蝕刻裝置用上電極總成」。該電漿蝕刻裝置藉著施用高頻率電力到上電極，來蝕刻放置於晶圓階段上的半導體晶圓，並因而在處理室中產生電漿。本新式樣發明所施用之物件有約400mm的外部直徑，並且包含一上電極與一冷卻板，其由一種金屬物質構成，如鋁，而一屏障環則由一種絕緣物質形成，如陶瓷。位於俯視圖與仰視圖中間的同軸洞為氣體洞，而反應氣體經由該氣體洞感應到處理室中。要注意的是，如參考圖(一)所示之上電極裝配，本新式樣發明所施用之上電極的輪廓與形成該上電極的內部結構是以實線顯示，而該屏障環與該冷卻板則以虛線顯示。參考圖(二)與(三)提出了幾個步驟，其中本新式樣發明所施用之上電極裝配依照序號被裝配。首先，如參考圖(二)所示的，上電極用螺絲被鎖定在冷卻板上。接下來，如參考圖(三)所示的，備置於冷卻板周圍的投射被適應入備置在屏障環的內部球狀部分的凹槽內部，以完成該上電極裝配。當該上電極的部分與該屏障環的部分在本新式樣發明所施用之上電極裝配的底部表面被提出時，如參考圖示(一)所顯示，個別部件的尺寸便被調整以在裝配過程中保證底部表面的齊平適應。整體而言，本創作造形獨特美觀、且式樣新穎具獨創性，實為一特殊且實用之新式樣設計。上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容；理應明瞭，新式樣係就其整體形狀、花紋或色彩指定之，且係以申請專利範圍所界定者為準。
简体摘要：本创作系有关于一种“等离子蚀刻设备用上电极总成”之新式样设计。本创作“等离子蚀刻设备用上电极总成”。该等离子蚀刻设备借着施用高频率电力到上电极，来蚀刻放置于晶圆阶段上的半导体晶圆，并因而在处理室中产生等离子。本新式样发明所施用之对象有约400mm的外部直径，并且包含一上电极与一冷却板，其由一种金属物质构成，如铝，而一屏障环则由一种绝缘物质形成，如陶瓷。位于俯视图与仰视图中间的同轴洞为气体洞，而反应气体经由该气体洞感应到处理室中。要注意的是，如参考图(一)所示之上电极装配，本新式样发明所施用之上电极的轮廓与形成该上电极的内部结构是以实线显示，而该屏障环与该冷却板则以虚线显示。参考图(二)与(三)提出了几个步骤，其中本新式样发明所施用之上电极装配依照序号被装配。首先，如参考图(二)所示的，上电极用螺丝被锁定在冷却板上。接下来，如参考图(三)所示的，备置于冷却板周围的投射被适应入备置在屏障环的内部球状部分的凹槽内部，以完成该上电极装配。当该上电极的部分与该屏障环的部分在本新式样发明所施用之上电极装配的底部表面被提出时，如参考图标(一)所显示，个别部件的尺寸便被调整以在装配过程中保证底部表面的齐平适应。整体而言，本创作造形独特美观、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容；理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。

14. 外观设计

TW477628S 多腔室處理裝置(三) 失效
简体标题：多腔室处理设备(三)
公开(公告)号：TW477628S
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：TW089306990
申请日：2001-01-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：廣瀨潤 , 廣瀨英二 , 小澤潤 , 廣岡隆明
摘要：本創作係有關於一種「多腔室處理裝置(三)」之新式樣設計。
本創作「多腔室處理裝置(三)」，其用於實施於半導體晶圓上的蝕刻過程、化學蒸氣沉積(CVD)過程或其他相似過程。俯視圖的下部分所顯示的三個階段形成一個卡式階段。備置在相鄰於該卡式階段的大室是一個載入器室。二個遞送室，其中每個有一個遞送機制，如遞送臂，則備置在相鄰於該載入器室。一個有蝕刻機制等的處理室則備置在相鄰於每個遞送室。在俯視圖的上部分，顯示有一個基台，而電力供應系統與氣體供應機制便備置在其上。維修人員可爬上該基台以在該處理室上執行維修工作。
整體而言，本創作造形厚實大方、且式樣新穎具獨創性，實為一特殊且實用之新式樣設計。
上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容；理應明瞭，新式樣係就其整體形狀、花紋或色彩指定之，且係以申請專利範圍所界定者為準。
简体摘要：本创作系有关于一种“多腔室处理设备(三)”之新式样设计。本创作“多腔室处理设备(三)”，其用于实施于半导体晶圆上的蚀刻过程、化学蒸气沉积(CVD)过程或其他相似过程。俯视图的下部分所显示的三个阶段形成一个卡式阶段。备置在相邻于该卡式阶段的大室是一个加载器室。二个递送室，其中每个有一个递送机制，如递送臂，则备置在相邻于该加载器室。一个有蚀刻机制等的处理室则备置在相邻于每个递送室。在俯视图的上部分，显示有一个基台，而电力供应系统与气体供应机制便备置在其上。维修人员可爬上该基台以在该处理室上运行维修工作。整体而言，本创作造形厚实大方、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容；理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。

15. 外观设计

TW480071S 多腔室處理裝置(二) 失效
简体标题：多腔室处理设备(二)
公开(公告)号：TW480071S
公开(公告)日：2002-03-11
申请号：TW089306989
申请日：2001-01-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：廣瀨潤 , 廣瀨英二 , 小澤潤 , 廣岡隆明
摘要：本創作「多腔室處理裝置(二)」，其用於實施於半導體晶圓上的蝕刻過程、化學蒸氣沉積(CVD)過程或其他相似過程。由俯視圖觀之其下部分所顯示的五個階段形成一個卡式階段。備置在相鄰於該卡式階段的大室是一個載入器室。三個遞送室，其中每個有一個遞送機制，如遞送臂，則備置在相鄰於該載入器室。一個有蝕刻機制等的處理室則備置在相鄰於每個遞送室。在俯視圖的上部分，顯示有一個基台，而電力供應系統與氣體供應機制便備置在其上。維修人員可爬上該基台以在該處理室上執行維修工作。整體而言，本創作造形獨特美觀、且式樣新穎具獨創性，實為一特殊且實用之新式樣設計。
上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容；理應明瞭，新式樣係就其整體形狀、花紋或色彩指定之，且係以申請專利範圍所界定者為準。
简体摘要：本创作“多腔室处理设备(二)”，其用于实施于半导体晶圆上的蚀刻过程、化学蒸气沉积(CVD)过程或其他相似过程。由俯视图观之其下部分所显示的五个阶段形成一个卡式阶段。备置在相邻于该卡式阶段的大室是一个加载器室。三个递送室，其中每个有一个递送机制，如递送臂，则备置在相邻于该加载器室。一个有蚀刻机制等的处理室则备置在相邻于每个递送室。在俯视图的上部分，显示有一个基台，而电力供应系统与气体供应机制便备置在其上。维修人员可爬上该基台以在该处理室上运行维修工作。整体而言，本创作造形独特美观、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容；理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。

16. 外观设计

TW477629S 多腔室處理裝置(四) 失效
简体标题：多腔室处理设备(四)
公开(公告)号：TW477629S
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：TW089306991
申请日：2001-01-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：廣瀨潤 , 廣瀨英二 , 小澤潤 , 廣岡隆明
摘要：本創作係有關於一種「多腔室處理裝置(四)」之新式樣設計。
本創作「多腔室處理裝置(四)」，其用於實施於半導體晶圓上的蝕刻過程、化學蒸氣沉積(CVD)過程或其他相似過種。俯視圖的下部分所顯示的三個階段形成一個卡式階段。備置在相鄰於該卡式階段的大室是一個載入器室。二個遞送室，其中每個有一個遞送機制，如遞送臂，則備置在相鄰於該載入器室。一個有蝕刻機制等的處理室則備置在相鄰於每個遞送室。在俯視圖的上部分，顯示有一個基台，而電力供應系統與氣體供應機制便備置在其上。維修人員可爬上該基台以在該處理室上執行維修工作。
整體而言，本創作造形厚實大方、且式樣新穎具獨創性，實為一特殊且實用之新式樣設計。
上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容；理應明瞭，新式樣係就其整體形狀、花紋或色彩指定之，且係以申請專利範圍所界定者為準。
简体摘要：本创作系有关于一种“多腔室处理设备(四)”之新式样设计。本创作“多腔室处理设备(四)”，其用于实施于半导体晶圆上的蚀刻过程、化学蒸气沉积(CVD)过程或其他相似过种。俯视图的下部分所显示的三个阶段形成一个卡式阶段。备置在相邻于该卡式阶段的大室是一个加载器室。二个递送室，其中每个有一个递送机制，如递送臂，则备置在相邻于该加载器室。一个有蚀刻机制等的处理室则备置在相邻于每个递送室。在俯视图的上部分，显示有一个基台，而电力供应系统与气体供应机制便备置在其上。维修人员可爬上该基台以在该处理室上运行维修工作。整体而言，本创作造形厚实大方、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容；理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。

17. 发明专利

TW442891B 真空處理系統有权
简体标题：真空处理系统
公开(公告)号：TW442891B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW088119974
申请日：1999-11-16
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小澤潤 , 廣瀨潤 , 成島正樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67161 , H01L21/67167 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67745 , Y10S414/139
摘要：本發明之真空處理系統，包含有:
負載口，係用以置位被處理體;
共同運送室，係構成為鄰接於負載口之同時，備有設定為大氣壓之內部空間，將可移動之第一運送裝置設在前述內部空間，該第一運送裝置係用以搬出．搬入被處理體於負載口;及
處理單元，係備有:一個處理室，其係用來對於被處理體施予給定處理;及真空運送室，其係具有一連接於處理室且設定為真空壓之內部空間，且於前述內部空間內具有一對於處理室搬出．搬入被處理體之第二運送裝置，其特徵在於:
在共同運送室，個別地且互相略平行地連接有多數個處理單元;
各處理單元，係連接其真空運送室至共同運送室之同時，向略正文於共同運送室之方向直線延伸，透過第一運送裝置將被處理體搬出．搬入於真空運送室。
简体摘要：本发明之真空处理系统，包含有: 负载口，系用以置位被处理体; 共同运送室，系构成为邻接于负载口之同时，备有设置为大气压之内部空间，将可移动之第一运送设备设在前述内部空间，该第一运送设备系用以搬出．搬入被处理体于负载口;及处理单元，系备有:一个处理室，其系用来对于被处理体施予给定处理;及真空运送室，其系具有一连接于处理室且设置为真空压之内部空间，且于前述内部空间内具有一对于处理室搬出．搬入被处理体之第二运送设备，其特征在于: 在共同运送室，个别地且互相略平行地连接有多数个处理单元; 各处理单元，系连接其真空运送室至共同运送室之同时，向略正文于共同运送室之方向直线延伸，透过第一运送设备将被处理体搬出．搬入于真空运送室。

18. 发明专利

TWI344178B 電漿處理裝置及方法以及電漿處理裝置之電極板有权
简体标题：等离子处理设备及方法以及等离子处理设备之电极板
公开(公告)号：TWI344178B
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW092133234
申请日：2003-11-26
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：輿石公 , 廣瀨潤 , 小笠原正宏 , 平野太一 , 佐佐木寬充 , 吉田哲雄 , 齋藤道茂 , 石原博之 , 大藪淳 , 沼田幸治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
摘要：電漿處理裝置是包含可設定成具有真空環境的處理容器(10)。以與被配置在處理容器(10)內之被處理基板(W)相向之方式環狀配置第1上部電極(36)。在第1上部電極(36)之半徑方向內側上與此電性絕緣之狀態下配置第2上部電極(38)。第1供電部(50)是以第1電力值將來自第1高頻波電源(52)之第1高頻供給於第1上部電極(36)。自上述第1供電部(50)所分歧之第2供電部(76)，是以比上述第1電力值還小之第2電力值將來自第1高頻電源之第1高頻供給至第2上部電極(38)。
简体摘要：等离子处理设备是包含可设置成具有真空环境的处理容器(10)。以与被配置在处理容器(10)内之被处理基板(W)相向之方式环状配置第1上部电极(36)。在第1上部电极(36)之半径方向内侧上与此电性绝缘之状态下配置第2上部电极(38)。第1供电部(50)是以第1电力值将来自第1高频波电源(52)之第1高频供给于第1上部电极(36)。自上述第1供电部(50)所分歧之第2供电部(76)，是以比上述第1电力值还小之第2电力值将来自第1高频电源之第1高频供给至第2上部电极(38)。

19. 外观设计

TW506736S 電漿蝕刻裝置用上電極失效
简体标题：等离子蚀刻设备用上电极
公开(公告)号：TW506736S
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW089306986
申请日：2001-01-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：廣瀨潤
摘要：本創作係有關於一種「電漿蝕刻裝置用上電極」之新式樣設計。
本創作所施用之物件是在電漿蝕刻裝置中的上電極。一種電漿蝕刻裝置藉著施用高頻率電力到上電極，來蝕刻放置於晶圓階段上的半導體晶圓，並因而在處理室中產生電漿。其所施用之物件於一種碟片形狀中形成，其有約400㎜的直徑，並且由一種金屬物質構成，如鋁，其表面塗敷著鋁酸鹽。位於俯仰視圖中間的同軸洞為氣體洞，而反應氣體經由該氣體洞感應到處理室中。此外，在俯仰視圖周圍的6個洞是螺絲洞，其用以將形成本創作所施用之物件的上電極鎖定於一冷卻板上。本創作所施用之上電極，如參考圖(一)顯示的操作狀態一般，被用來作為與一個屏障環與該冷卻板一致的上電極裝配。要注意的是，如參考圖(一)所示之上電極裝配，本創作所施用之上電極以實線顯示，而其他的部件則以虛線顯示。同時顯示操作狀態的參考圖(二)與(三)提出了幾個步驟，其中本創作所施用之上電極與其他的部件一同依照序號被裝配。首先，如參考圖(二)所顯示的，本創作所施用之上電極用螺絲被鎖定在冷卻板上。接下來，如參考圖(三)所顯示的，備置於冷卻板周圍的投射被適應於備置在屏障環的內部球狀部分的凹槽內部，以完成該上電極裝配。備置於本創作所施用之上電極的周圍凹入部分被調整以設定中央底部表面與該屏障環齊平，如參考圖(一)所顯示之已完成上電極裝配。如是，形成一獨特新穎且實用之新式樣設計。
上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容；理應明瞭，新式樣係就其整體形狀、花紋或色彩指定之，且係以申請專利範圍所界定者為準。
简体摘要：本创作系有关于一种“等离子蚀刻设备用上电极”之新式样设计。本创作所施用之对象是在等离子蚀刻设备中的上电极。一种等离子蚀刻设备借着施用高频率电力到上电极，来蚀刻放置于晶圆阶段上的半导体晶圆，并因而在处理室中产生等离子。其所施用之对象于一种盘片形状中形成，其有约400㎜的直径，并且由一种金属物质构成，如铝，其表面涂敷着铝酸盐。位于俯仰视图中间的同轴洞为气体洞，而反应气体经由该气体洞感应到处理室中。此外，在俯仰视图周围的6个洞是螺丝洞，其用以将形成本创作所施用之对象的上电极锁定于一冷却板上。本创作所施用之上电极，如参考图(一)显示的操作状态一般，被用来作为与一个屏障环与该冷却板一致的上电极装配。要注意的是，如参考图(一)所示之上电极装配，本创作所施用之上电极以实线显示，而其他的部件则以虚线显示。同时显示操作状态的参考图(二)与(三)提出了几个步骤，其中本创作所施用之上电极与其他的部件一同依照序号被装配。首先，如参考图(二)所显示的，本创作所施用之上电极用螺丝被锁定在冷却板上。接下来，如参考图(三)所显示的，备置于冷却板周围的投射被适应于备置在屏障环的内部球状部分的凹槽内部，以完成该上电极装配。备置于本创作所施用之上电极的周围凹入部分被调整以设置中央底部表面与该屏障环齐平，如参考图(一)所显示之已完成上电极装配。如是，形成一独特新颖且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容；理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。

20. 外观设计

TW477630S 多腔室處理裝置(五) 失效
简体标题：多腔室处理设备(五)
公开(公告)号：TW477630S
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：TW089306992
申请日：2001-01-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：廣瀨潤 , 廣瀨英二 , 小澤潤 , 廣岡隆明
摘要：本創作係有關於一種「多腔室處理裝置(五)」之新式樣設計。
本創作「多腔室處理裝置(五)」，其用於實施於半導體晶圓上的蝕刻過程、化學蒸氣沉積(CVD)過程或其他相似過程。俯視圖的下部分所顯示的三個階段形成一個卡式階段。備置在相鄰於該卡式階段的大室是一個載入器室。二個遞送室，其中每個有一個遞送機制，如遞送臂，則備置在相鄰於該載入器室。一個有蝕刻機制等的處理室則備置在相鄰於每個遞送室。在俯視圖的上部分，顯示有一個基台，而電力供應系統與氣體供應機制便備置在其上。維修人員可爬上該基台以在該處理室上執行維修工作。
整體而言，本創作造形厚實大方、且式樣新穎具獨創性，實為一特殊且實用之新式樣設計。
上述說明僅供輔助瞭解本創作而非用以限制其內容；理應明瞭，新式樣係就其整體形狀、花紋或色彩指定之，且係以申請專利範圍所界定者為準。
简体摘要：本创作系有关于一种“多腔室处理设备(五)”之新式样设计。本创作“多腔室处理设备(五)”，其用于实施于半导体晶圆上的蚀刻过程、化学蒸气沉积(CVD)过程或其他相似过程。俯视图的下部分所显示的三个阶段形成一个卡式阶段。备置在相邻于该卡式阶段的大室是一个加载器室。二个递送室，其中每个有一个递送机制，如递送臂，则备置在相邻于该加载器室。一个有蚀刻机制等的处理室则备置在相邻于每个递送室。在俯视图的上部分，显示有一个基台，而电力供应系统与气体供应机制便备置在其上。维修人员可爬上该基台以在该处理室上运行维修工作。整体而言，本创作造形厚实大方、且式样新颖具独创性，实为一特殊且实用之新式样设计。上述说明仅供辅助了解本创作而非用以限制其内容；理应明了，新式样系就其整体形状、花纹或色彩指定之，且系以申请专利范围所界定者为准。

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