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    • 11. 发明专利
    • 包括可重複使用之子結構的半導體裝置模型
    • 包括可重复使用之子结构的半导体设备模型
    • TW201531694A
    • 2015-08-16
    • TW104101371
    • 2015-01-15
    • 克萊譚克公司KLA-TENCOR CORPORATION
    • 伊羅瑞塔 強納森ILORETA, JONATHAN拉芬 馬修ALAFFIN, MATTHEW A.波斯拉夫斯基 李奧尼多POSLAVSKY, LEONID凱克 托斯頓KAACK, TORSTEN趙 寬ZHAO, QIANG李 列泉LEE, LIE-QUAN
    • G01N21/95G05B17/02
    • H01L22/12
    • 本發明提出用於基於可重複使用之參數模型產生複雜裝置結構之量測模型的方法及工具。採用此等模型之度量衡系統經組態以量測與不同半導體製程相關聯的結構及材料特性。該可重複使用之參數子結構模型係藉由模型建置工具之一使用者輸入之一組獨立參數來完全定義。與模型形狀及構成之幾何結構元件中之內部約束條件相關聯的全部其他變量係在該模型內予以預定義。在一些實施例中,一或多個可重複使用之參數模型經整合至一複雜半導體裝置之一量測模型中。在另一態樣中,一模型建置工具基於來自一使用者之輸入產生一可重複使用之參數子結構模型。該等所得模型可匯出至可由其他使用者使用之一檔案,且可包括安全性特徵以控制與特定使用者共用敏感智慧財產。
    • 本发明提出用于基于可重复使用之参数模型产生复杂设备结构之量测模型的方法及工具。采用此等模型之度量衡系统经组态以量测与不同半导体制程相关联的结构及材料特性。该可重复使用之参数子结构模型系借由模型建置工具之一用户输入之一组独立参数来完全定义。与模型形状及构成之几何结构组件中之内部约束条件相关联的全部其他变量系在该模型内予以预定义。在一些实施例中,一或多个可重复使用之参数模型经集成至一复杂半导体设备之一量测模型中。在另一态样中,一模型建置工具基于来自一用户之输入产生一可重复使用之参数子结构模型。该等所得模型可导出至可由其他用户使用之一文档,且可包括安全性特征以控制与特定用户共享敏感智能财产。
    • 14. 发明专利
    • 光學系統偏光層之校正
    • 光学系统偏光层之校正
    • TW201300753A
    • 2013-01-01
    • TW101119215
    • 2012-05-29
    • 克萊譚克公司KLA-TENCOR CORPORATION
    • 迪 維爾 喬漢斯DDE VEER, JOHANNES D.波斯拉夫斯基 李奧尼多POSLAVSKY, LEONID莊 國榮 維拉ZHUANG, GUORONG VERA克里許南 桑卡KRISHNAN, SHANKAR
    • G01M11/00G02B27/28G01J4/00
    • G01N21/21G01J3/504G01N21/274
    • 本發明揭示一種用於藉由將校正與經偏光光學系統之一偏光效應解耦而在任何入射角處校正該系統中之一偏光層之方法,該方法包括以下步驟:提供一校正裝置,該校正裝置包含使一偏光層安置於其一表面上之一基板,其中該基板上之一指示器用於指示該偏光層之一偏光定向;將該校正裝置裝載於該經偏光光學系統中,其中該指示器處於一所預期位置中;判定該偏光定向與該經偏光光學系統之一參考之間的一初始角度;在該偏光定向與該經偏光光學系統之該參考之間的複數個已知角度處使用該經偏光光學系統來獲取光譜;使用該等光譜來標繪指示該經偏光光學系統中之該偏光層之一角度之一曲線;及當該偏光層之該角度係在一所期望範圍之外時,調整該偏光層之該角度,且重複獲取該等光譜及標繪指示該偏光層之該角度之一曲線之該等步驟。
    • 本发明揭示一种用于借由将校正与经偏光光学系统之一偏光效应解耦而在任何入射角处校正该系统中之一偏光层之方法,该方法包括以下步骤:提供一校正设备,该校正设备包含使一偏光层安置於其一表面上之一基板,其中该基板上之一指示器用于指示该偏光层之一偏光定向;将该校正设备装载于该经偏光光学系统中,其中该指示器处于一所预期位置中;判定该偏光定向与该经偏光光学系统之一参考之间的一初始角度;在该偏光定向与该经偏光光学系统之该参考之间的复数个已知角度处使用该经偏光光学系统来获取光谱;使用该等光谱来标绘指示该经偏光光学系统中之该偏光层之一角度之一曲线;及当该偏光层之该角度系在一所期望范围之外时,调整该偏光层之该角度,且重复获取该等光谱及标绘指示该偏光层之该角度之一曲线之该等步骤。