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11. 发明专利

TW201919745A 藥液供給裝置、基板處理裝置、藥液供給方法以及基板處理方法审中-公开
简体标题：药液供给设备、基板处理设备、药液供给方法以及基板处理方法
公开(公告)号：TW201919745A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107122125
申请日：2018-06-27
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 藤田恵理 , FUJITA, ERI , 岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 藤谷佳礼 , FUJITANI, YOSHIYUKI
IPC分类号： B01D19/00 , B05C21/00 , B05D1/00 , F17D3/01
摘要：本發明之目的係供給將微粒有效率地去除的高溫的藥液。本發明之解決手段的藥液供給裝置係用以將藥液供給至預定的供給對象，且具有：供給流路，一端連接於常溫的藥液的供給源，並且另一端連接於供給對象，用以將藥液自供給源導向供給對象；第一過濾器，將自供給源導入至供給流路的常溫的藥液中的微粒去除；加熱部，將通過第一過濾器的藥液加熱；以及第二過濾器，將藉由加熱部加熱且於供給流路向供給對象流動的高溫的藥液中的微粒去除；第一過濾器為親水性過濾器，第二過濾器為疏水性過濾器。
简体摘要：本发明之目的系供给将微粒有效率地去除的高温的药液。本发明之解决手段的药液供给设备系用以将药液供给至预定的供给对象，且具有：供给流路，一端连接于常温的药液的供给源，并且另一端连接于供给对象，用以将药液自供给源导向供给对象；第一过滤器，将自供给源导入至供给流路的常温的药液中的微粒去除；加热部，将通过第一过滤器的药液加热；以及第二过滤器，将借由加热部加热且于供给流路向供给对象流动的高温的药液中的微粒去除；第一过滤器为亲水性过滤器，第二过滤器为疏水性过滤器。

12. 发明专利

TW202027158A 基板乾燥方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板干燥方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202027158A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108139614
申请日：2019-11-01
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：佐佐木悠太 , SASAKI, YUTA , 髙橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/304 , F26B5/04
摘要：本發明對基板之上表面供給昇華性物質及溶劑之溶液即乾燥前處理液。其後，藉由使溶劑自基板上之乾燥前處理液蒸發，而使昇華性物質之固體於基板上之乾燥前處理液中析出。其後，使昇華性物質之固體之至少一部分溶解於基板上之乾燥前處理液。其後，藉由使溶劑自溶解有昇華性物質之固體之乾燥前處理液蒸發，而使昇華性物質之固體析出於基板上。其後，藉由使昇華性物質之固體昇華，而自基板之上表面去除昇華性物質之固體。
简体摘要：本发明对基板之上表面供给升华性物质及溶剂之溶液即干燥前处理液。其后，借由使溶剂自基板上之干燥前处理液蒸发，而使升华性物质之固体于基板上之干燥前处理液中析出。其后，使升华性物质之固体之至少一部分溶解于基板上之干燥前处理液。其后，借由使溶剂自溶解有升华性物质之固体之干燥前处理液蒸发，而使升华性物质之固体析出于基板上。其后，借由使升华性物质之固体升华，而自基板之上表面去除升华性物质之固体。

13. 发明专利

TWI698906B 基板處理方法以及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TWI698906B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW107134380
申请日：2017-09-08
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/00 , B08B3/02

14. 发明专利

TW202015198A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202015198A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108122100
申请日：2019-06-25
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部博史 , ABE, HIROSHI , 奧谷学 , OKUTANI, MANABU , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 吉田幸史 , YOSHIDA, YUKIFUMI
IPC分类号： H01L23/42 , H01L21/67
摘要：將包含待吸附至形成於基板之圖案之表面之吸附物質的乾燥前處理液供給至保持水平之基板之表面，而使吸附物質吸附於圖案之表面。將保持水平之基板之表面上之一部分乾燥前處理液藉由基板繞鉛直之旋轉軸線旋轉而去除，藉此，沿著圖案之表面形成包含吸附於圖案之表面之吸附物質之吸附膜。藉由使吸附膜變化為氣體而自基板之表面去除吸附膜。
简体摘要：将包含待吸附至形成于基板之图案之表面之吸附物质的干燥前处理液供给至保持水平之基板之表面，而使吸附物质吸附于图案之表面。将保持水平之基板之表面上之一部分干燥前处理液借由基板绕铅直之旋转轴线旋转而去除，借此，沿着图案之表面形成包含吸附于图案之表面之吸附物质之吸附膜。借由使吸附膜变化为气体而自基板之表面去除吸附膜。

15. 发明专利

TW202008448A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202008448A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108116344
申请日：2019-05-13
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/304 , F26B5/04
摘要：於本發明中，將凝固點低於吸附物質之凝固點之乾燥前處理液供給至基板W之表面，使吸附物質吸附於圖案P1之表面。冷卻基板W上之乾燥前處理液，藉此使基板W上之乾燥前處理液之一部分凝固，而沿著圖案P1之表面形成含有吸附物質之凝固膜101。一面使凝固膜101殘留於基板W之表面，一面將未用於凝固膜101之形成之剩餘之乾燥前處理液自基板W之表面去除。於將剩餘之乾燥前處理液去除後，或與將剩餘之乾燥前處理液去除同時地，藉由使凝固膜101變成氣體而將凝固膜101自基板W之表面去除。
简体摘要：于本发明中，将凝固点低于吸附物质之凝固点之干燥前处理液供给至基板W之表面，使吸附物质吸附于图案P1之表面。冷却基板W上之干燥前处理液，借此使基板W上之干燥前处理液之一部分凝固，而沿着图案P1之表面形成含有吸附物质之凝固膜101。一面使凝固膜101残留于基板W之表面，一面将未用于凝固膜101之形成之剩余之干燥前处理液自基板W之表面去除。于将剩余之干燥前处理液去除后，或与将剩余之干燥前处理液去除同时地，借由使凝固膜101变成气体而将凝固膜101自基板W之表面去除。

16. 发明专利

TWI646595B 基板處理方法以及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TWI646595B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106130820
申请日：2017-09-08
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：清水大介 , SHIMIZU, DAISUKE , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA
IPC分类号： H01L21/306 , B05D1/02 , B05D3/12

17. 发明专利

TWI644167B 圖案崩壞恢復方法、基板處理方法以及基板處理裝置有权
简体标题：图案崩坏恢复方法、基板处理方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TWI644167B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106130826
申请日：2017-09-08
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： G03F1/72 , H01L21/67

18. 发明专利

TW201836002A 基板處理裝置以及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备以及基板处理方法
公开(公告)号：TW201836002A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107107976
申请日：2018-03-09
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 高橋光和 , TAKAHASHI, MITSUKAZU , 本庄一大 , HONSHO, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/00
摘要：基板處理裝置包括：液體處理單元，在處理室內對基板的表面供給處理液，在基板的表面上形成處理液膜；固化單元，在固化室內使所述處理液膜固化而在所述基板的表面上形成固化膜；去除處理單元，在去除室內將用以去除所述固化膜的去除液供給至所述基板的表面；主搬運單元，向所述處理室搬入基板，自所述去除室搬出基板；以及局部搬運單元，自所述處理室搬出基板並向所述固化室搬入基板。
简体摘要：基板处理设备包括：液体处理单元，在处理室内对基板的表面供给处理液，在基板的表面上形成处理液膜；固化单元，在固化室内使所述处理液膜固化而在所述基板的表面上形成固化膜；去除处理单元，在去除室内将用以去除所述固化膜的去除液供给至所述基板的表面；主搬运单元，向所述处理室搬入基板，自所述去除室搬出基板；以及局部搬运单元，自所述处理室搬出基板并向所述固化室搬入基板。

19. 发明专利

TW201833997A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201833997A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143864
申请日：2017-12-14
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/687
摘要：一種基板處理方法，其於基板W之上表面形成處理液之液膜30，對該液膜30噴灑包含低表面張力液之蒸汽之氣體而形成液膜去除區域31，且使該液膜去除區域31擴大，對基板W之下表面供給冷卻液29，一面將液膜30冷卻至低於低表面張力液之沸點之溫度，一面噴灑加熱氣體，選擇性地排除冷卻液29，且藉由加熱氣體加熱已排除冷卻液29之範圍33，將基板W上表面之液膜去除區域31選擇性地加熱至低表面張力液之沸點以上之溫度，且使加熱液膜去除區域31之範圍與液膜去除區域31之擴大同步地擴大。
简体摘要：一种基板处理方法，其于基板W之上表面形成处理液之液膜30，对该液膜30喷洒包含低表面张力液之蒸汽之气体而形成液膜去除区域31，且使该液膜去除区域31扩大，对基板W之下表面供给冷却液29，一面将液膜30冷却至低于低表面张力液之沸点之温度，一面喷洒加热气体，选择性地排除冷却液29，且借由加热气体加热已排除冷却液29之范围33，将基板W上表面之液膜去除区域31选择性地加热至低表面张力液之沸点以上之温度，且使加热液膜去除区域31之范围与液膜去除区域31之扩大同步地扩大。

20. 发明专利

TW201816833A 基板處理方法以及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TW201816833A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106130829
申请日：2017-09-08
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/00 , B08B3/02
摘要：基板處理方法係包含有：基板保持步驟，係水平地保持基板；液膜形成步驟，係將處理液供給至前述基板的上表面，並形成用以覆蓋前述基板的上表面之處理液的液膜；液膜去除區域形成步驟，係從前述處理液的液膜局部性地排除處理液，並於前述處理液的液膜形成液膜去除區域；液膜去除區域擴大步驟，係使前述液膜去除區域朝前述基板的外周擴大；以及氟化氫氛圍保持步驟，係與前述液膜去除區域擴大步驟並行，用以將前述液膜去除區域與前述處理液的液膜之間的交界的周圍的氛圍保持成包含有氟化氫的蒸氣的氛圍。
简体摘要：基板处理方法系包含有：基板保持步骤，系水平地保持基板；液膜形成步骤，系将处理液供给至前述基板的上表面，并形成用以覆盖前述基板的上表面之处理液的液膜；液膜去除区域形成步骤，系从前述处理液的液膜局部性地排除处理液，并于前述处理液的液膜形成液膜去除区域；液膜去除区域扩大步骤，系使前述液膜去除区域朝前述基板的外周扩大；以及氟化氢氛围保持步骤，系与前述液膜去除区域扩大步骤并行，用以将前述液膜去除区域与前述处理液的液膜之间的交界的周围的氛围保持成包含有氟化氢的蒸气的氛围。

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