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11. 发明专利

TWI565067B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI565067B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW101123714
申请日：2012-07-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1218 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/78618 , H01L29/7869

12. 发明专利

TWI555205B 半導體裝置及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI555205B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100138658
申请日：2011-10-25
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L21/441 , H01L21/465 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/7869

13. 发明专利

TWI553875B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI553875B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW100127417
申请日：2011-08-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：野田耕生 , NODA, KOSEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/788 , H01L27/105 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733

14. 发明专利

TWI553860B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI553860B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101102255
申请日：2012-01-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693

15. 发明专利

TWI527223B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI527223B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW100117406
申请日：2011-05-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 佐藤瑞穗 , SATO, MIZUHO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02488 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869

16. 发明专利

TW201603251A 半導體裝置及電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备及电子设备
公开(公告)号：TW201603251A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104111452
申请日：2015-04-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1255 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種集成度高的半導體裝置。其中，第一半導體的第一區域與第二半導體的第一區域互相重疊，第一導電體的第一區域與第一半導體的第一區域隔著第一絕緣體互相重疊，第二導電體的第一區域與第二半導體的第一區域隔著第二絕緣體互相重疊，第三導電體的第一區域與第一半導體的第二區域接觸，第三導電體的第二區域與第二半導體的第二區域接觸，第四導電體的第一區域與第一導電體的第二區域接觸，並且，第四導電體的第二區域與第二導電體的第二區域接觸。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种集成度高的半导体设备。其中，第一半导体的第一区域与第二半导体的第一区域互相重叠，第一导电体的第一区域与第一半导体的第一区域隔着第一绝缘体互相重叠，第二导电体的第一区域与第二半导体的第一区域隔着第二绝缘体互相重叠，第三导电体的第一区域与第一半导体的第二区域接触，第三导电体的第二区域与第二半导体的第二区域接触，第四导电体的第一区域与第一导电体的第二区域接触，并且，第四导电体的第二区域与第二导电体的第二区域接触。

17. 发明专利

TW201826531A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201826531A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106129038
申请日：2017-08-25
申请人：日商半導體能源硏究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種性能高且可靠性高的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，包括：第一電晶體；第二電晶體；覆蓋第一電晶體的至少一部分的第一金屬氧化物；第一電晶體及第二電晶體上的絕緣膜；以及絕緣膜上的第二金屬氧化物。第一電晶體包括：第一閘極電極；第一閘極絕緣膜；第一氧化物；第一源極電極；第一汲極電極；第二閘極絕緣膜；以及第二閘極電極。第二電晶體包括：第三閘極電極；第三閘極絕緣膜；第二氧化物；第二源極電極；第二汲極電極；第四閘極絕緣膜；以及第四閘極電極。第一閘極絕緣膜及第二閘極絕緣膜與第一金屬氧化物接觸。
简体摘要：本发明提供一种性能高且可靠性高的半导体设备。本发明是一种半导体设备，包括：第一晶体管；第二晶体管；覆盖第一晶体管的至少一部分的第一金属氧化物；第一晶体管及第二晶体管上的绝缘膜；以及绝缘膜上的第二金属氧化物。第一晶体管包括：第一闸极电极；第一闸极绝缘膜；第一氧化物；第一源极电极；第一汲极电极；第二闸极绝缘膜；以及第二闸极电极。第二晶体管包括：第三闸极电极；第三闸极绝缘膜；第二氧化物；第二源极电极；第二汲极电极；第四闸极绝缘膜；以及第四闸极电极。第一闸极绝缘膜及第二闸极绝缘膜与第一金属氧化物接触。

18. 发明专利

TWI612675B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI612675B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW106103299
申请日：2011-05-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 佐藤瑞穗 , SATO, MIZUHO , 一條充弘 , ICHIJO, MITSUHIRO , 遠藤俊彌 , ENDO, TOSHIYA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78606

19. 发明专利

TW201737493A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201737493A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106112396
申请日：2011-11-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02 , H01L21/02112 , H01L21/02403 , H01L21/28 , H01L21/425 , H01L21/477 , H01L29/42384 , H01L29/518 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要：一種半導體裝置，使用將氧化物半導體包括在通道區域中且較不可能由於短通道效應而在電特徵中導致變異的電晶體製造。該半導體裝置包括氧化物半導體膜，具有包括氮的一對氮氧化物半導體區域及夾於該對氮氧化物半導體區域之間的氧化物半導體區域、閘極絕緣膜、以及閘極電極，以該閘極絕緣膜置於其間的方式設置在該氧化物半導體區域上方。在本文中，該對氮氧化物半導體區域係作為該電晶體的源極區域及汲極區域使用，且該氧化物半導體區域係作為該電晶體的通道區域使用。
简体摘要：一种半导体设备，使用将氧化物半导体包括在信道区域中且较不可能由于短信道效应而在电特征中导致变异的晶体管制造。该半导体设备包括氧化物半导体膜，具有包括氮的一对氮氧化物半导体区域及夹于该对氮氧化物半导体区域之间的氧化物半导体区域、闸极绝缘膜、以及闸极电极，以该闸极绝缘膜置于其间的方式设置在该氧化物半导体区域上方。在本文中，该对氮氧化物半导体区域系作为该晶体管的源极区域及汲极区域使用，且该氧化物半导体区域系作为该晶体管的信道区域使用。

20. 发明专利

TWI588909B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI588909B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW104142484
申请日：2011-06-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L22/10 , H01L23/564 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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