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11. 发明专利

TWI682509B 封裝件及其形成方法有权
简体标题：封装件及其形成方法
公开(公告)号：TWI682509B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107137835
申请日：2018-10-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 陳英儒 , CHEN, YING-JU
IPC分类号： H01L23/31

12. 发明专利

TWI651806B 半導體封裝件與其形成方法有权
简体标题：半导体封装件与其形成方法
公开(公告)号：TWI651806B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW103146103
申请日：2014-12-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIENWEI , 陳潔 , CHEN, JIE , 葉德強 , YEH, DERCHYANG , 鄭心圃 , JENG, SHINPUU , 余振華 , YU, CHENHUA
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48

13. 发明专利

TW201824495A 積體電路封裝的重佈線層結構审中-公开
简体标题：集成电路封装的重布线层结构
公开(公告)号：TW201824495A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106136433
申请日：2017-10-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 陳英儒 , CHEN, YING-JU
IPC分类号： H01L23/528
摘要：本發明實施例公開一種具有提高的性能及可靠性的積體電路封裝。所述積體電路封裝包括積體電路晶粒及佈線結構。所述積體電路晶粒包括具有周邊邊緣的導通孔。所述佈線結構包括耦合到所述導通孔的導電結構。所述導電結構可包括頂蓋區、佈線區以及中間區。所述頂蓋區可與所述導通孔的區域重疊。所述佈線區可具有第一寬度，且所述中間區可沿所述導通孔的所述周邊邊緣具有第二寬度，其中所述第二寬度可大於所述第一寬度。所述中間區可被配置成將所述頂蓋區連接到所述佈線區。
简体摘要：本发明实施例公开一种具有提高的性能及可靠性的集成电路封装。所述集成电路封装包括集成电路晶粒及布线结构。所述集成电路晶粒包括具有周边边缘的导通孔。所述布线结构包括耦合到所述导通孔的导电结构。所述导电结构可包括顶盖区、布线区以及中间区。所述顶盖区可与所述导通孔的区域重叠。所述布线区可具有第一宽度，且所述中间区可沿所述导通孔的所述周边边缘具有第二宽度，其中所述第二宽度可大于所述第一宽度。所述中间区可被配置成将所述顶盖区连接到所述布线区。

14. 发明专利

TW201802963A 封裝結構审中-公开
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TW201802963A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105136101
申请日：2016-11-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5386 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：本揭露提供封裝結構。封裝結構包含積體電路晶粒。封裝結構也包含環繞積體電路晶粒的封裝層。在積體電路晶粒與封裝層之間具有界面。封裝結構更包含位於封裝層與積體電路晶粒之下的重佈結構，重佈結構包含電性連接至積體電路晶粒的複數主動導線。重佈結構也包含位於複數主動導線之間的虛設導線，虛設導線延伸跨過界面。
简体摘要：本揭露提供封装结构。封装结构包含集成电路晶粒。封装结构也包含环绕集成电路晶粒的封装层。在集成电路晶粒与封装层之间具有界面。封装结构更包含位于封装层与集成电路晶粒之下的重布结构，重布结构包含电性连接至集成电路晶粒的复数主动导线。重布结构也包含位于复数主动导线之间的虚设导线，虚设导线延伸跨过界面。

15. 发明专利

TWI509444B 金屬走線影響被動裝置的評估方法及被動裝置的校正工具有权
简体标题：金属走线影响被动设备的评估方法及被动设备的校正工具
公开(公告)号：TWI509444B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102119707
申请日：2013-06-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 郭鴻毅 , KUO, HUNG YI
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： H01L23/66 , G01R1/07328 , G01R35/005 , G06F17/5009 , H01L21/76822 , H01L22/34 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L24/13 , H01L28/10 , H01L2223/6627 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2924/19011 , H01L2924/1903 , H01L2924/19042 , H01L2924/00014 , H01L2924/014

16. 发明专利

TW201537679A 半導體封裝件與其形成方法审中-公开
简体标题：半导体封装件与其形成方法
公开(公告)号：TW201537679A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103146103
申请日：2014-12-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIENWEI , 陳潔 , CHEN, JIE , 葉德強 , YEH, DERCHYANG , 鄭心圃 , JENG, SHINPUU , 余振華 , YU, CHENHUA
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/02319 , H01L2224/03438 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05166 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/11332 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/12105 , H01L2224/13005 , H01L2224/13006 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13181 , H01L2224/16237 , H01L2224/17181 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/96 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/13124 , H01L2924/01082 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/2064 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/01074
摘要：本揭露之實施方式包含半導體封裝件與其形成方法。實施方式之一為一種半導體封裝件，其包含第一封裝件，第一封裝件包含一或多個第一晶片，以及半導體封裝件包含第一重分佈層，其透過第一組接合點於第一封裝件之第一側邊耦合至一或多個的第一晶片，第一重分佈層包含設置於多於一個鈍化層中的多於一個金屬層，第一組接合點直接耦合至一或多個金屬層的其中至少一者，且第一組連接部耦合至第二重分佈層的第二側邊，第二側邊相對第一側邊。
简体摘要：本揭露之实施方式包含半导体封装件与其形成方法。实施方式之一为一种半导体封装件，其包含第一封装件，第一封装件包含一或多个第一芯片，以及半导体封装件包含第一重分布层，其透过第一组接合点于第一封装件之第一侧边耦合至一或多个的第一芯片，第一重分布层包含设置于多于一个钝化层中的多于一个金属层，第一组接合点直接耦合至一或多个金属层的其中至少一者，且第一组连接部耦合至第二重分布层的第二侧边，第二侧边相对第一侧边。

17. 发明专利

TWI690030B 半導體封裝及其形成方法有权
简体标题：半导体封装及其形成方法
公开(公告)号：TWI690030B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107120738
申请日：2018-06-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 陳英儒 , CHEN, YING-JU
IPC分类号： H01L23/043 , H01L23/488

18. 发明专利

TW201911524A 積體電路封裝审中-公开
简体标题：集成电路封装
公开(公告)号：TW201911524A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106129871
申请日：2017-09-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI
IPC分类号： H01L23/60
摘要：一種積體電路封裝，所述積體電路封裝包括至少一個積體電路元件、至少一個電磁干擾屏蔽層及絕緣包封體。所述至少一個積體電路元件包括主動表面、連接到所述主動表面的多個側壁、以及從所述主動表面突出的多個導電柱。所述至少一個電磁干擾屏蔽層覆蓋所述至少一個積體電路元件的所述側壁，且所述至少一個電磁干擾屏蔽層為電接地。所述絕緣包封體包封所述至少一個積體電路元件及所述至少一個電磁干擾屏蔽層，且所述至少一個積體電路元件的所述導電柱能夠被所述絕緣包封體暴露出。還提供製作積體電路封裝的方法。
简体摘要：一种集成电路封装，所述集成电路封装包括至少一个集成电路组件、至少一个电磁干扰屏蔽层及绝缘包封体。所述至少一个集成电路组件包括主动表面、连接到所述主动表面的多个侧壁、以及从所述主动表面突出的多个导电柱。所述至少一个电磁干扰屏蔽层覆盖所述至少一个集成电路组件的所述侧壁，且所述至少一个电磁干扰屏蔽层为电接地。所述绝缘包封体包封所述至少一个集成电路组件及所述至少一个电磁干扰屏蔽层，且所述至少一个集成电路组件的所述导电柱能够被所述绝缘包封体暴露出。还提供制作集成电路封装的方法。

19. 发明专利

TW201802965A 堆疊式封裝裝置的製造方法审中-公开
简体标题：堆栈式封装设备的制造方法
公开(公告)号：TW201802965A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106107259
申请日：2017-03-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳英儒 , CHEN, YING JU , 陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L22/20 , H01L23/3142 , H01L23/481 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/15311
摘要：一種堆疊式封裝裝置的製造方法：(i)接收前驅物封裝，前驅物封裝包括前驅物基板及前驅物基板上之複數個半導體封裝，其中在前驅物基板與半導體封裝之每一者之間存在縫隙；(ii)形成填充縫隙之底部封膠材料；(iii)沿著半導體封裝之相鄰多者之間的區域切割前驅物基板，以形成複數個離散的堆疊式封裝裝置；以及(iv)將補充底部封膠材料應用至該等堆疊式封裝裝置中的一個堆疊式封裝裝置。
简体摘要：一种堆栈式封装设备的制造方法：(i)接收前驱物封装，前驱物封装包括前驱物基板及前驱物基板上之复数个半导体封装，其中在前驱物基板与半导体封装之每一者之间存在缝隙；(ii)形成填充缝隙之底部封胶材料；(iii)沿着半导体封装之相邻多者之间的区域切割前驱物基板，以形成复数个离散的堆栈式封装设备；以及(iv)将补充底部封胶材料应用至该等堆栈式封装设备中的一个堆栈式封装设备。

20. 发明专利

TW201639046A 形成模製層及形成半導體封裝結構的方法审中-公开
简体标题：形成模制层及形成半导体封装结构的方法
公开(公告)号：TW201639046A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104138754
申请日：2015-11-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 陳潔 , CHEN, JIE
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/11002 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/83005
摘要：一種形成模製層之方法，此方法包括以下操作：形成具有至少一個柱狀結構的基板；翻轉具有柱狀結構的基板以使得柱狀結構處於基板下方；將翻轉基板之柱狀結構浸泡在容器內所盛之模製材料流體中；以及使翻轉基板之柱狀結構與容器分離以形成覆蓋且接觸柱狀結構的模製層。
简体摘要：一种形成模制层之方法，此方法包括以下操作：形成具有至少一个柱状结构的基板；翻转具有柱状结构的基板以使得柱状结构处于基板下方；将翻转基板之柱状结构浸泡在容器内所盛之模制材料流体中；以及使翻转基板之柱状结构与容器分离以形成覆盖且接触柱状结构的模制层。

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