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1. 发明专利

TWI682471B 用於製造晶片封裝及導線的方法有权
简体标题：用于制造芯片封装及导线的方法
公开(公告)号：TWI682471B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107113420
申请日：2018-04-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 劉醇鴻 , LIU, TZUAN-HORNG , 陳英儒 , CHEN, YING-JU
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/033

2. 发明专利

TWI682468B 半導體結構有权
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TWI682468B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW106135758
申请日：2017-10-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 陳英儒 , CHEN, YING-JU
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/48

3. 发明专利

TW201903914A 晶片封裝體审中-公开
简体标题：芯片封装体
公开(公告)号：TW201903914A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106130972
申请日：2017-09-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/31
摘要：提供晶片封裝體的結構及其形成方法，晶片封裝體包含半導體晶粒和圍繞半導體晶粒的保護層，晶片封裝體也包含界面在半導體晶粒與保護層之間，晶片封裝體更包含導電層在保護層和半導體晶粒上方，且導電層具有第一部分和第二部分，第一部分相較於第二部分靠近半導體晶粒的內部，第一部分直接接觸第二部分，第二部分延伸跨過界面，且第二部分具有線寬大於第一部分的線寬。
简体摘要：提供芯片封装体的结构及其形成方法，芯片封装体包含半导体晶粒和围绕半导体晶粒的保护层，芯片封装体也包含界面在半导体晶粒与保护层之间，芯片封装体更包含导电层在保护层和半导体晶粒上方，且导电层具有第一部分和第二部分，第一部分相较于第二部分靠近半导体晶粒的内部，第一部分直接接触第二部分，第二部分延伸跨过界面，且第二部分具有线宽大于第一部分的线宽。

4. 发明专利

TW201421628A 積體電路結構审中-公开
简体标题：集成电路结构
公开(公告)号：TW201421628A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102141843
申请日：2013-11-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 陳潔 , CHEN, JIE
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/52
CPC分类号： H01L22/34 , H01L23/3192 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/1183 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13455 , H01L2224/13464 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/1032 , H01L2924/14 , H01L2924/014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/05552
摘要：一種積體電路結構，包括一保護層、一第一聚合物層及一後保護層內連線監視結構。第一聚合物層係位於保護層之上。後保護層內連線監視結構具有位於第一聚合物層之一部分上之一部分。後保護層內連線監視結構係為電性浮動的。
简体摘要：一种集成电路结构，包括一保护层、一第一聚合物层及一后保护层内连接监视结构。第一聚合物层系位于保护层之上。后保护层内连接监视结构具有位于第一聚合物层之一部分上之一部分。后保护层内连接监视结构系为电性浮动的。

5. 发明专利

TW201351177A 金屬走線影響被動裝置的評估方法及被動裝置的校正工具审中-公开
简体标题：金属走线影响被动设备的评估方法及被动设备的校正工具
公开(公告)号：TW201351177A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102119707
申请日：2013-06-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 郭鴻毅 , KUO, HUNG YI
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： H01L23/66 , G01R1/07328 , G01R35/005 , G06F17/5009 , H01L21/76822 , H01L22/34 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L24/13 , H01L28/10 , H01L2223/6627 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2924/19011 , H01L2924/1903 , H01L2924/19042 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要：本發明提供一種金屬走線影響被動裝置的評估方法及被動裝置的校正工具。上述方法包括量測位於晶圓中的第一和第二校正工具，以得到第一和第二性能資料。上述晶圓包括基板，以及複數個介電層，位於基板上方。第一和第二校正工具包括第一和第二被動元件，位於介電層上方，沒有金屬物設置於介電層中且與第一被動元件重疊。第二被動元件與第一被動元件完全相同，第一虛設圖案，位於介電層中且與第二被動元件重疊。去嵌入第一性能資料和第二性能資料，決定位於介電層中且在第一被動元件和第二被動元件上的金屬圖案的影響。
简体摘要：本发明提供一种金属走线影响被动设备的评估方法及被动设备的校正工具。上述方法包括量测位于晶圆中的第一和第二校正工具，以得到第一和第二性能数据。上述晶圆包括基板，以及复数个介电层，位于基板上方。第一和第二校正工具包括第一和第二被动组件，位于介电层上方，没有金属物设置于介电层中且与第一被动组件重叠。第二被动组件与第一被动组件完全相同，第一虚设图案，位于介电层中且与第二被动组件重叠。去嵌入第一性能数据和第二性能数据，决定位于介电层中且在第一被动组件和第二被动组件上的金属图案的影响。

6. 发明专利

TW201830640A 半導體封裝結構审中-公开
简体标题：半导体封装结构
公开(公告)号：TW201830640A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106123785
申请日：2017-07-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/528
摘要：一種半導體封裝結構。此半導體封裝結構包括一晶片、一封膜材料、一穿孔、一第一重新分佈層佈線與一第二重新分佈層佈線。封膜材料包圍晶片。穿孔從封膜材料的一第一表面延伸至一第二表面，且第二表面是相對於第一表面。第一重新分佈層佈線設置在封膜材料的第二表面並耦接於穿孔。第二重新分佈層佈線設置在封膜材料的第二表面並平行於第一重新分佈層佈線。跨過穿孔之一部份的第二重新分佈層佈線具有一第一區段以及一第二區段，並且第一區段具有一第一寬度而第二區段具有不同於第一寬度之一第二寬度。
简体摘要：一种半导体封装结构。此半导体封装结构包括一芯片、一封膜材料、一穿孔、一第一重新分布层布线与一第二重新分布层布线。封膜材料包围芯片。穿孔从封膜材料的一第一表面延伸至一第二表面，且第二表面是相对于第一表面。第一重新分布层布线设置在封膜材料的第二表面并耦接于穿孔。第二重新分布层布线设置在封膜材料的第二表面并平行于第一重新分布层布线。跨过穿孔之一部份的第二重新分布层布线具有一第一区段以及一第二区段，并且第一区段具有一第一宽度而第二区段具有不同于第一宽度之一第二宽度。

7. 发明专利

TW201824486A 封裝結構审中-公开
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TW201824486A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106113547
申请日：2017-04-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳潔 , CHEN, JIE , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI
IPC分类号： H01L23/50
摘要：一種封裝結構及其形成方法。封裝結構包括第一封裝件、第一積體被動元件、第二積體被動元件以及底部填充體。第一封裝件包括第一晶粒、與第一晶粒相鄰的孔、包覆孔並圍繞第一晶粒的周界以至少橫向地包覆第一晶粒的模製化合物以及在第一晶粒及模製化合物之上延伸的第一重佈線結構。第一積體被動元件貼附至第一重佈線結構，第一積體被動元件靠近第一晶粒的周界安置。第二積體被動元件貼附至第一重佈線結構，第二積體被動元件遠離第一晶粒的周界安置。底部填充體安置於第一積體被動元件與第一重佈線結構之間，第二積體被動元件不含有底部填充體。
简体摘要：一种封装结构及其形成方法。封装结构包括第一封装件、第一积体被动组件、第二积体被动组件以及底部填充体。第一封装件包括第一晶粒、与第一晶粒相邻的孔、包覆孔并围绕第一晶粒的周界以至少横向地包覆第一晶粒的模制化合物以及在第一晶粒及模制化合物之上延伸的第一重布线结构。第一积体被动组件贴附至第一重布线结构，第一积体被动组件靠近第一晶粒的周界安置。第二积体被动组件贴附至第一重布线结构，第二积体被动组件远离第一晶粒的周界安置。底部填充体安置于第一积体被动组件与第一重布线结构之间，第二积体被动组件不含有底部填充体。

9. 发明专利

TW201705392A 封裝與其形成方法审中-公开
简体标题：封装与其形成方法
公开(公告)号：TW201705392A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104136961
申请日：2015-11-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 陳潔 , CHEN, JIE
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3675 , H01L24/19 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06589
摘要：封裝可包括第一晶片，具有相對的第一表面與第二表面；第一RDL，耦接至第一晶片的第一表面；第二晶片，具有相對的第一表面與第二表面，且第二晶片的第一表面面對第一晶片；第二RDL，位於第一晶片與第二晶片之間，並耦接至第二晶片的第一表面；導電通孔，與第二晶片橫向地相鄰，且導電通孔耦接至第二RDL；以及成型化合物，位於第二晶片與導電通孔之間。
简体摘要：封装可包括第一芯片，具有相对的第一表面与第二表面；第一RDL，耦接至第一芯片的第一表面；第二芯片，具有相对的第一表面与第二表面，且第二芯片的第一表面面对第一芯片；第二RDL，位于第一芯片与第二芯片之间，并耦接至第二芯片的第一表面；导电通孔，与第二芯片横向地相邻，且导电通孔耦接至第二RDL；以及成型化合物，位于第二芯片与导电通孔之间。

10. 发明专利

TWI683399B 封裝與其形成方法有权
简体标题：封装与其形成方法
公开(公告)号：TWI683399B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW104136961
申请日：2015-11-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 陳潔 , CHEN, JIE
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48

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