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11. 发明专利

TW447041B 防止護層損傷之方法失效
简体标题：防止护层损伤之方法
公开(公告)号：TW447041B
公开(公告)日：2001-07-21
申请号：TW087103156
申请日：1998-03-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李豫華 , 蔣敏雄 , 黃振銘
IPC分类号： H01L
摘要：一種防止護層損傷之方法，包括下列步驟：首先提供一基底，基底表面則形成有複數條金屬內連線及其間之溝槽；其次塗佈一旋塗式玻璃層(SOG)，以填入該些溝槽；形成一護層以覆蓋金屬內連線、旋塗式玻璃層及基底；接著塗佈一光阻材料以覆蓋護層，而當護層形成有孔隙時，部份光阻材料將注入該些孔隙；以及除去位於護層表面之光阻材料。其中由於該些孔隙已填入光阻材料，因此於進行後段蝕刻製程時，可避免因後續形成定義圖案之光阻層塌陷，而損傷護層。
简体摘要：一种防止护层损伤之方法，包括下列步骤：首先提供一基底，基底表面则形成有复数条金属内连接及其间之沟槽；其次涂布一旋涂式玻璃层(SOG)，以填入该些沟槽；形成一护层以覆盖金属内连接、旋涂式玻璃层及基底；接着涂布一光阻材料以覆盖护层，而当护层形成有孔隙时，部份光阻材料将注入该些孔隙；以及除去位于护层表面之光阻材料。其中由于该些孔隙已填入光阻材料，因此于进行后段蚀刻制程时，可避免因后续形成定义图案之光阻层塌陷，而损伤护层。

12. 发明专利

TW424322B 雙筒型堆疊式電容器的製造方法及其結構有权
简体标题：双筒型堆栈式电容器的制造方法及其结构
公开(公告)号：TW424322B
公开(公告)日：2001-03-01
申请号：TW087115143
申请日：1998-09-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：黃國欽 , 李豫華 , 吳振銘 , 江文銓
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係揭露一種積體電路之DRAM中雙筒型堆疊式電容器(Duplicate-Cylindrical Stack Capacitor)的製造方法及其結構。以雙筒型電容器下層電極結構之製作，可解決因複晶矽插塞凹陷過深及對不準誤差過大時，造成氧化層過度蝕刻，而導致電性元件接觸不良且產品良率降低的問題，亦可有效增加電容器下層電極的表面積，以提高電容器之電容量。
简体摘要：本发明系揭露一种集成电路之DRAM中双筒型堆栈式电容器(Duplicate-Cylindrical Stack Capacitor)的制造方法及其结构。以双筒型电容器下层电极结构之制作，可解决因复晶硅插塞凹陷过深及对不准误差过大时，造成氧化层过度蚀刻，而导致电性组件接触不良且产品良率降低的问题，亦可有效增加电容器下层电极的表面积，以提高电容器之电容量。

13. 发明专利

TW395019B 自動對準接觸窗製程有权
简体标题：自动对准接触窗制程
公开(公告)号：TW395019B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW088100214
申请日：1999-01-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李豫華 , 吳振銘 , 蔣敏雄
IPC分类号： H01L
摘要：一種自動對準接觸窗的製作方法，其包括有下列步驟:首先，於一基板上，依序形成一絕緣層及一第一導電層;在定義上述第一導電層之圖形後，形成一第一介電質層及一硬式護罩，並利用微影及蝕刻技術，形成自動對準接觸窗;接著，依序形成一第二介電質層、一第三介電質層和一保護層;回蝕刻上述保護層，並蝕刻上述第三介電質層和上述第二介電質層;再去除上述保護層，並形成一第二導電層。本發明可以達到絕緣之效果，避免漏電現象，而有效提高產品的良率，進而減低生產成本。
简体摘要：一种自动对准接触窗的制作方法，其包括有下列步骤:首先，于一基板上，依序形成一绝缘层及一第一导电层;在定义上述第一导电层之图形后，形成一第一介电质层及一硬式护罩，并利用微影及蚀刻技术，形成自动对准接触窗;接着，依序形成一第二介电质层、一第三介电质层和一保护层;回蚀刻上述保护层，并蚀刻上述第三介电质层和上述第二介电质层;再去除上述保护层，并形成一第二导电层。本发明可以达到绝缘之效果，避免漏电现象，而有效提高产品的良率，进而减低生产成本。

14. 发明专利

TW388105B 積體電路中熔絲接觸窗的製作方法失效
简体标题：集成电路中熔丝接触窗的制作方法
公开(公告)号：TW388105B
公开(公告)日：2000-04-21
申请号：TW087108377
申请日：1998-05-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李豫華 , 吳振銘
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關積體電路中熔絲接觸窗的製作方法，尤其是指其中一種利用蝕刻阻障層，以準確控制熔絲接點上氧化層厚度的方法，其製程步驟以三層金屬運線製程為例，主要包括有:首先，於一製作有熔絲接點的基板上，依序形成平坦化之第一氧化層與均勻被覆之蝕刻阻障層;之後，再形成平坦化之第一層間介電層，並蝕刻熔絲接觸區介層孔;然後，於該介層孔兩側形成第一間隙壁結構後，圖案化第一金屬層;接著，重複二次上述層間介電層、間隙壁結構與金屬層之製程步驟;最後，在形成鈍化保護層後，以溼蝕刻方式去除間隙壁結構之間及蝕刻阻障層之上的所有層間介電層，而完成熔絲接觸窗之褽作。
简体摘要：本发明系有关集成电路中熔丝接触窗的制作方法，尤其是指其中一种利用蚀刻阻障层，以准确控制熔丝接点上氧化层厚度的方法，其制程步骤以三层金属运线制程为例，主要包括有:首先，于一制作有熔丝接点的基板上，依序形成平坦化之第一氧化层与均匀被覆之蚀刻阻障层;之后，再形成平坦化之第一层间介电层，并蚀刻熔丝接触区介层孔;然后，于该介层孔两侧形成第一间隙壁结构后，图案化第一金属层;接着，重复二次上述层间介电层、间隙壁结构与金属层之制程步骤;最后，在形成钝化保护层后，以湿蚀刻方式去除间隙壁结构之间及蚀刻阻障层之上的所有层间介电层，而完成熔丝接触窗之褽作。

15. 发明专利

TW384535B 積體電路之熔絲形成方法失效
简体标题：集成电路之熔丝形成方法
公开(公告)号：TW384535B
公开(公告)日：2000-03-11
申请号：TW087109524
申请日：1998-06-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：黃國欽 , 應澤亮 , 李豫華 , 黎明新
IPC分类号： H01L
摘要：一種積體電路之熔絲形成方法，包括有一複晶矽層，其中一區段為斷路區域，之後覆蓋一介電層，其上則覆蓋有複數個層間介電層，最後再覆蓋一保護層而形成複層之結構，複層中包括有複數個貫通複數層間介電層之環狀插塞及複數個環狀金屬層，其中該層間介電層之側面輪廓，即係以該保護環周圍較凸於其他範圍者；於該複晶矽層之斷路區域的兩端上係設有二延伸插塞，而於該二延伸插塞之頂端則設有一連接層，以做為雷射修護窗之熔絲，藉由使用鎢作為相關插塞與熔絲之材質，係可有效避免侵蝕現象發生。
简体摘要：一种集成电路之熔丝形成方法，包括有一复晶硅层，其中一区段为断路区域，之后覆盖一介电层，其上则覆盖有复数个层间介电层，最后再覆盖一保护层而形成复层之结构，复层中包括有复数个贯通复数层间介电层之环状插塞及复数个环状金属层，其中该层间介电层之侧面轮廓，即系以该保护环周围较凸于其他范围者；于该复晶硅层之断路区域的两端上系设有二延伸插塞，而于该二延伸插塞之顶端则设有一连接层，以做为激光修护窗之熔丝，借由使用钨作为相关插塞与熔丝之材质，系可有效避免侵蚀现象发生。

16. 发明专利

TW382813B 圓筒型堆疊式電容器的製造方法有权
简体标题：圆筒型堆栈式电容器的制造方法
公开(公告)号：TW382813B
公开(公告)日：2000-02-21
申请号：TW087114869
申请日：1998-09-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李豫華 , 吳振銘
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係揭露一種積體電路之DRAM中圓筒型堆疊式電容器(Cylindrical Stack Capacitor)的製造方法。首先，在半導體基板上形成第一氧化層，接著，定義出接觸窗之光阻圖案，再對未被光阻覆蓋的該氧化層進行蝕刻，以開啟接觸窗。之後，沉積第一複晶矽層，以填充接觸窗，接著，沉積一層第二氧化層，再定義出電容器下層電極之光阻圖案，再接著，對未被光阻覆蓋的第二氧化層進行蝕刻，除去光阻後，於表面形成第二複晶矽層，為圓筒型電容器複晶矽電極下層結構，隨後，形成犧牲層，再進行CMP，以形成圓筒型電容器複晶矽下層電極結構，最後依序蝕刻第二氧化層、第二複晶矽層及犧牲層，再陸續形成圓筒型電容器介電層及複晶矽上層電極結構。
简体摘要：本发明系揭露一种集成电路之DRAM中圆筒型堆栈式电容器(Cylindrical Stack Capacitor)的制造方法。首先，在半导体基板上形成第一氧化层，接着，定义出接触窗之光阻图案，再对未被光阻覆盖的该氧化层进行蚀刻，以打开接触窗。之后，沉积第一复晶硅层，以填充接触窗，接着，沉积一层第二氧化层，再定义出电容器下层电极之光阻图案，再接着，对未被光阻覆盖的第二氧化层进行蚀刻，除去光阻后，于表面形成第二复晶硅层，为圆筒型电容器复晶硅电极下层结构，随后，形成牺牲层，再进行CMP，以形成圆筒型电容器复晶硅下层电极结构，最后依序蚀刻第二氧化层、第二复晶硅层及牺牲层，再陆续形成圆筒型电容器介电层及复晶硅上层电极结构。

17. 发明专利

TW378414B 圓筒型堆疊式電容器的製造方法失效
简体标题：圆筒型堆栈式电容器的制造方法
公开(公告)号：TW378414B
公开(公告)日：2000-01-01
申请号：TW087111900
申请日：1998-07-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：黃國欽 , 李豫華 , 吳振銘
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係揭露一種積體電路之DRAM中圓筒型堆疊式電容器（Cylindrical Stack Capacitor）的製造方法。首先，在已完成前段製程的基板上形成第一氧化層、氮化矽層及第二氧化層，並定義出節點接觸窗（node contact）之光阻圖案，進行第二氧化層、氮化矽層、及第一氧化層的蝕刻；接著，沉積第一複晶矽層，並進行第一複晶矽層回蝕刻，以形成複晶矽插塞，再沉積第三氧化層；再接著，定義出電容器下層電極之光阻圖案，進行第三氧化層及第二氧化層的蝕刻，再沉積第二複晶矽層，並對其進行CMP處理，以形成圓筒型電容器下層電極結構；最後，移除氧化層後，陸續形成圓筒形電容器介電層及上層電極結構。
简体摘要：本发明系揭露一种集成电路之DRAM中圆筒型堆栈式电容器（Cylindrical Stack Capacitor）的制造方法。首先，在已完成前段制程的基板上形成第一氧化层、氮化硅层及第二氧化层，并定义出节点接触窗（node contact）之光阻图案，进行第二氧化层、氮化硅层、及第一氧化层的蚀刻；接着，沉积第一复晶硅层，并进行第一复晶硅层回蚀刻，以形成复晶硅插塞，再沉积第三氧化层；再接着，定义出电容器下层电极之光阻图案，进行第三氧化层及第二氧化层的蚀刻，再沉积第二复晶硅层，并对其进行CMP处理，以形成圆筒型电容器下层电极结构；最后，移除氧化层后，陆续形成圆筒形电容器介电层及上层电极结构。

18. 发明专利

TW370718B 積體電路中形成雷射修護窗的方法失效
简体标题：集成电路中形成激光修护窗的方法
公开(公告)号：TW370718B
公开(公告)日：1999-09-21
申请号：TW087100920
申请日：1998-01-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李豫華 , 吳振銘 , 陳昭成
IPC分类号： H01L
摘要：一種在積體電路中形成雷射修護窗的方法，整個熔絲窗口之蝕刻過程分為如下三道步驟，陸續為：氧化矽層的主蝕刻、氧化矽層的副蝕刻、以及複晶矽層的蝕刻。其中氧化矽層主蝕刻之反應氣體為六氟化硫、三氟甲烷、四氟化碳和氬氣，本步驟蝕刻大部份的氧化矽層；氧化矽層副蝕刻之反應氣體為三氟甲烷、四氟化碳和氬氣，本步驟完全蝕去該氧化矽層；複晶矽層的蝕刻之反應氣體為六氟化硫和氯氣，或是六氟化硫、三氟甲烷、和四氟化碳。
简体摘要：一种在集成电路中形成激光修护窗的方法，整个熔丝窗口之蚀刻过程分为如下三道步骤，陆续为：氧化硅层的主蚀刻、氧化硅层的副蚀刻、以及复晶硅层的蚀刻。其中氧化硅层主蚀刻之反应气体为六氟化硫、三氟甲烷、四氟化碳和氩气，本步骤蚀刻大部份的氧化硅层；氧化硅层副蚀刻之反应气体为三氟甲烷、四氟化碳和氩气，本步骤完全蚀去该氧化硅层；复晶硅层的蚀刻之反应气体为六氟化硫和氯气，或是六氟化硫、三氟甲烷、和四氟化碳。

19. 发明专利

TW558759B 形成和蝕刻電阻防護氧化層〈Resistor Protection Oxide Layer〉的方法失效
简体标题：形成和蚀刻电阻防护氧化层〈Resistor Protection Oxide Layer〉的方法
公开(公告)号：TW558759B
公开(公告)日：2003-10-21
申请号：TW091114640
申请日：2002-07-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳燕銘 , 曾煥棋 , 李豫華 , 陳殿豪 , 賴嘉宏 , 郭康民
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種形成和蝕刻一具兩層結構(bi-layer)之電阻防護氧化層(RPO layer)的方法。首先，沈積一電阻防護氧化層在包含一半導體基板之一半導體結構上，其中，該電阻防護氧化層係具有一形成於該半導體結構上之第一層和一形成於該第一層上之第二層。之後，形成一光阻罩幕於該電阻防護氧化層上，再使用一對該電阻防護氧化層之兩層結構具有高蝕刻選擇比(high etch selectivity)之第一蝕刻液，蝕刻該電阻防護氧化層之該第二層，接著，使用一第二蝕刻液，蝕刻該電阻防護氧化層之該第一層，以在未被該光阻罩幕覆蓋之區域上，形成接觸開口(contact openings)。然後，去除該光阻罩幕，再進行自動對準矽化金屬製程，以在該等接觸開口形成自動對準金屬矽化物區域。如此一來，可改善後續salicide製程的良率和提高所製得晶片的性能(performance)。
简体摘要：本发明提供一种形成和蚀刻一具两层结构(bi-layer)之电阻防护氧化层(RPO layer)的方法。首先，沉积一电阻防护氧化层在包含一半导体基板之一半导体结构上，其中，该电阻防护氧化层系具有一形成于该半导体结构上之第一层和一形成于该第一层上之第二层。之后，形成一光阻罩幕于该电阻防护氧化层上，再使用一对该电阻防护氧化层之两层结构具有高蚀刻选择比(high etch selectivity)之第一蚀刻液，蚀刻该电阻防护氧化层之该第二层，接着，使用一第二蚀刻液，蚀刻该电阻防护氧化层之该第一层，以在未被该光阻罩幕覆盖之区域上，形成接触开口(contact openings)。然后，去除该光阻罩幕，再进行自动对准硅化金属制程，以在该等接触开口形成自动对准金属硅化物区域。如此一来，可改善后续salicide制程的良率和提高所制得芯片的性能(performance)。

20. 发明专利

TW459347B 無凹陷之深接觸窗的製造方法失效
简体标题：无凹陷之深接触窗的制造方法
公开(公告)号：TW459347B
公开(公告)日：2001-10-11
申请号：TW087102167
申请日：1998-02-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：黃國欽 , 江文銓 , 吳振銘 , 李豫華
IPC分类号： H01L
摘要：一種無凹陷之深接觸窗的製造方法，其主要步驟乃是於傳統之光阻下方加入一複晶矽作為硬式光罩，以保護硬式光罩下的層間介電層不受蝕刻的破壞，並於定義和蝕刻完成之深接觸窗中填入鎢，以避免反應中所產生的殘渣掉入深接觸窗內，而造成串聯電阻或是接觸電阻提高；作為硬式光罩的複晶矽還可以作為鎢回蝕的緩衝層，防止鎢表面的凹陷，於是整個層間界電層連同接觸窗之表面的平坦度將大為提昇。
简体摘要：一种无凹陷之深接触窗的制造方法，其主要步骤乃是于传统之光阻下方加入一复晶硅作为硬式光罩，以保护硬式光罩下的层间介电层不受蚀刻的破坏，并于定义和蚀刻完成之深接触窗中填入钨，以避免反应中所产生的残渣掉入深接触窗内，而造成串联电阻或是接触电阻提高；作为硬式光罩的复晶硅还可以作为钨回蚀的缓冲层，防止钨表面的凹陷，于是整个层间界电层连同接触窗之表面的平坦度将大为提升。

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