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13. 发明专利

TWI375297B 半導體接觸窗結構 SEMICONDUCTOR CONTACT STRUCTURE 有权
简体标题：半导体接触窗结构 SEMICONDUCTOR CONTACT STRUCTURE
公开(公告)号：TWI375297B
公开(公告)日：2012-10-21
申请号：TW097117119
申请日：2008-05-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：余振華 , 邱文智 , 涂宏榮 , 吳文進
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0688 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L2223/6616 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：提供一種用於三維積體電路之半導體裝置結構。半導體裝置結構包含：具有第一表面及第二表面之基板、定義於基板且自第一表面延伸至第二表面之介層、以及位於第一表面與介層接觸之複數個第一接觸窗結構。複數個第一接觸窗結構之各個與第一表面平行之截面具有第一側及第二側，第一側及第二側中之較長側與較短側之比值約大於2:1。
简体摘要：提供一种用于三维集成电路之半导体设备结构。半导体设备结构包含：具有第一表面及第二表面之基板、定义于基板且自第一表面延伸至第二表面之介层、以及位于第一表面与介层接触之复数个第一接触窗结构。复数个第一接触窗结构之各个与第一表面平行之截面具有第一侧及第二侧，第一侧及第二侧中之较长侧与较短侧之比值约大于2:1。

14. 发明专利

TWI346367B 層疊積體電路及半導體元件 STACKED INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR COMPONENT 有权
简体标题：层叠集成电路及半导体组件 STACKED INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
公开(公告)号：TWI346367B
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW096132856
申请日：2007-09-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：邱文智 , 余振華 , 吳文進
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541
摘要：本發明係提供一種層疊積體電路，包括：一第一半導體晶粒，具有一前側和一後側，且該第一半導體晶粒包含一個或多個元件；一個或多個貫穿矽晶片介層插塞，穿過一基底和該第一半導體晶粒之一前側絕緣層；一層間介電層，位於該第一半導體晶粒之該前側上，該層間介電層具有至少一接觸插塞，實體上連接該一個或多個貫穿矽晶片介層插塞之一前側，和一介面位於該至少一接觸插塞和該一個或多個貫穿矽晶片介層插塞之間；一金屬間介電層，位於該層間介電層上，其中該金屬間介電層具有至少一接合墊，電性連接該至少一接觸插塞；一第二半導體晶粒，於該至少一接合墊上，連接該第一半導體晶粒；一金屬層，位於該第一半導體晶粒之該背面上，其中該金屬層包括：至少一背面介電層，位於該背面之上；以及一蝕刻停止層，位於該至少一背面介電層之一者上方；其中該金屬層具有至少一背面接觸墊，電性連接該一個或多個貫穿矽晶片介層插塞之一背面。
简体摘要：本发明系提供一种层叠集成电路，包括：一第一半导体晶粒，具有一前侧和一后侧，且该第一半导体晶粒包含一个或多个组件；一个或多个贯穿硅芯片介层插塞，穿过一基底和该第一半导体晶粒之一前侧绝缘层；一层间介电层，位于该第一半导体晶粒之该前侧上，该层间介电层具有至少一接触插塞，实体上连接该一个或多个贯穿硅芯片介层插塞之一前侧，和一界面位于该至少一接触插塞和该一个或多个贯穿硅芯片介层插塞之间；一金属间介电层，位于该层间介电层上，其中该金属间介电层具有至少一接合垫，电性连接该至少一接触插塞；一第二半导体晶粒，于该至少一接合垫上，连接该第一半导体晶粒；一金属层，位于该第一半导体晶粒之该背面上，其中该金属层包括：至少一背面介电层，位于该背面之上；以及一蚀刻停止层，位于该至少一背面介电层之一者上方；其中该金属层具有至少一背面接触垫，电性连接该一个或多个贯穿硅芯片介层插塞之一背面。

15. 发明专利

TW201036055A 半導體製程 SEMICONDCUTOR PROCESS 审中-公开
简体标题：半导体制程 SEMICONDCUTOR PROCESS
公开(公告)号：TW201036055A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099109332
申请日：2010-03-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：吳文進 , 楊固峰 , 邱文智
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3121 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/95 , H01L25/50 , H01L29/0657 , H01L2221/68318 , H01L2221/68345 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/81001 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/83894 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0001 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要：本發明揭示一種半導體製程,包括在以一保護層進行封膠的薄化晶圓的邊緣處形成一支撐結構。支撐結構可為圍繞保護層的一黏著層、埋入於薄化晶圓並圍繞保護層的填有介電材料的溝槽、或是固定薄化晶圓邊緣的外罩。
简体摘要：本发明揭示一种半导体制程,包括在以一保护层进行封胶的薄化晶圆的边缘处形成一支撑结构。支撑结构可为围绕保护层的一黏着层、埋入于薄化晶圆并围绕保护层的填有介电材料的沟槽、或是固定薄化晶圆边缘的外罩。

16. 发明专利

TW201017847A 積體電路結構 INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE 审中-公开
简体标题：集成电路结构 INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE
公开(公告)号：TW201017847A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098134476
申请日：2009-10-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：余振華 , 邱文智 , 吳文進
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/16106 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/81894 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/12 , H01L2224/05552
摘要：本發明揭示一種積體電路結構，包括一半導體晶片，其更包括一第一表面以及一第一圖案化接合墊，露出於第一表面。第一圖案化接合墊包括彼此電性連接的複數部位以及位於其內的至少一開口。積體電路結構更包括一介電材料，填入開口的至少一部分。
简体摘要：本发明揭示一种集成电路结构，包括一半导体芯片，其更包括一第一表面以及一第一图案化接合垫，露出于第一表面。第一图案化接合垫包括彼此电性连接的复数部位以及位于其内的至少一开口。集成电路结构更包括一介电材料，填入开口的至少一部分。

19. 发明专利

TW201314755A 積體電路結構及其製造方法审中-公开
简体标题：集成电路结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201314755A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101110510
申请日：2012-03-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林俊成 , LIN, JING CHENG , 吳文進 , WU, WENG JIN , 施應慶 , SHIH, YING CHING , 洪瑞斌 , HUNG, JUI PIN , 盧思維 , LU, SZU WEI , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L23/48 , H01L21/6835 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L2221/68327 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/83
摘要：本發明揭示一種積體電路結構之製造方法。提供一晶圓疊層，其中複數個半導體晶粒設置於一第一半導體晶粒上。在第一半導體晶粒的一第一側上形成一成型材料層，其中半導體晶粒埋設於成型材料層內。上述方法更包括對第一半導體晶粒的一第二側進行研磨，直到露出複數個通孔電極。將晶圓疊層貼附於一帶框。切割晶圓疊層，以將晶圓疊層分割成複數個單獨的封裝體。本發明揭示一種積體電路結構。
简体摘要：本发明揭示一种集成电路结构之制造方法。提供一晶圆叠层，其中复数个半导体晶粒设置于一第一半导体晶粒上。在第一半导体晶粒的一第一侧上形成一成型材料层，其中半导体晶粒埋设于成型材料层内。上述方法更包括对第一半导体晶粒的一第二侧进行研磨，直到露出复数个通孔电极。将晶圆叠层贴附于一带框。切割晶圆叠层，以将晶圆叠层分割成复数个单独的封装体。本发明揭示一种集成电路结构。

20. 发明专利

TW201205687A 基板接合系統及接合系統設計之修改方法 SUBSTRATE BONDING SYSTEM AND METHOD OF MODIFYING A DESIGN OF A BONDING SYSTEM 审中-公开
简体标题：基板接合系统及接合系统设计之修改方法 SUBSTRATE BONDING SYSTEM AND METHOD OF MODIFYING A DESIGN OF A BONDING SYSTEM
公开(公告)号：TW201205687A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW099146543
申请日：2010-12-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林俞良 , 吳文進 , 林俊成
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要：本發明提供了接合晶圓至具有面向基板或載具之薄板之表面輪廓為可就由藉由重新塑形、高度調整器、增加墊片、或藉由區域溫度控制而得到修改之裝置與方法。如此薄板之經修改的表面輪廓補償了可能造成經接合之基板的不平坦度之影響。
简体摘要：本发明提供了接合晶圆至具有面向基板或载具之薄板之表面轮廓为可就由借由重新塑形、高度调整器、增加垫片、或借由区域温度控制而得到修改之设备与方法。如此薄板之经修改的表面轮廓补偿了可能造成经接合之基板的不平坦度之影响。

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