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11. 发明专利

TW201206949A 保護膜形成用藥液审中-公开
简体标题：保护膜形成用药液
公开(公告)号：TW201206949A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100119865
申请日：2011-06-07
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：公文創一 , 齋尾崇 , 荒田忍 , 齋藤真規 , 兩川敦 , 山田周平 , 七井秀壽 , 赤松佳則
IPC分类号： C07F , H01L
CPC分类号： H01L21/306 , G03F7/40
摘要：本發明揭示一種保護膜形成用藥液，其係於表面上具有微細凹凸圖案且該凹凸圖案之至少一部分含有矽元素之晶圓之洗淨時，用以於該凹凸圖案之至少凹部表面形成斥水性保護膜之藥液。該藥液包含通式：R 1 aSi(H)bX4-a-b所示之矽化合物A及酸A，該酸A係選自由三甲基矽烷基三氟乙酸酯、三甲基矽烷基三氟甲磺酸酯、二甲基矽烷基三氟乙酸酯、二甲基矽烷基三氟甲磺酸酯、丁基二甲基矽烷基三氟乙酸酯、丁基二甲基矽烷基三氟甲磺酸酯、己基二甲基矽烷基三氟乙酸酯、己基二甲基矽烷基三氟甲磺酸酯、辛基二甲基矽烷基三氟乙酸酯、辛基二甲基矽烷基三氟甲磺酸酯、癸基二甲基矽烷基三氟乙酸酯及癸基二甲基矽烷基三氟甲磺酸酯所組成之群中之至少一種。
简体摘要：本发明揭示一种保护膜形成用药液，其系于表面上具有微细凹凸图案且该凹凸图案之至少一部分含有硅元素之晶圆之洗净时，用以于该凹凸图案之至少凹部表面形成斥水性保护膜之药液。该药液包含通式：R 1 aSi(H)bX4-a-b所示之硅化合物A及酸A，该酸A系选自由三甲基硅烷基三氟乙酸酯、三甲基硅烷基三氟甲磺酸酯、二甲基硅烷基三氟乙酸酯、二甲基硅烷基三氟甲磺酸酯、丁基二甲基硅烷基三氟乙酸酯、丁基二甲基硅烷基三氟甲磺酸酯、己基二甲基硅烷基三氟乙酸酯、己基二甲基硅烷基三氟甲磺酸酯、辛基二甲基硅烷基三氟乙酸酯、辛基二甲基硅烷基三氟甲磺酸酯、癸基二甲基硅烷基三氟乙酸酯及癸基二甲基硅烷基三氟甲磺酸酯所组成之群中之至少一种。

12. 发明专利

TW201125971A 矽晶圓用洗淨劑审中-公开
简体标题：硅晶圆用洗净剂
公开(公告)号：TW201125971A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099101252
申请日：2010-01-18
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：七井秀壽 , 濱口滋生 , 公文創一 , 赤松佳則 , 前田一彥
IPC分类号： C11D , H01L
摘要：本發明係表面具有微細凹凸圖案之矽晶圓用之洗淨劑,該洗淨劑包含洗淨液A、洗淨液B,上述洗淨液A包含水系溶液,洗淨液B係將凹凸圖案之凹部進行斥水化者,且上述洗淨液B係由包含產生可與矽晶圓之Si化學鍵結之單元的水解性部位與疏水性基之斥水性化合物、包含醇溶媒之醇溶液、以及水或酸性水溶液混合而成者,該斥水性化合物係在洗淨液B之總量100質量%中,混合成佔0.2~20質量%。藉由該洗淨劑,可改善易引起圖案損壞之洗淨步驟。
简体摘要：本发明系表面具有微细凹凸图案之硅晶圆用之洗净剂,该洗净剂包含洗净液A、洗净液B,上述洗净液A包含水系溶液,洗净液B系将凹凸图案之凹部进行斥水化者,且上述洗净液B系由包含产生可与硅晶圆之Si化学键结之单元的水解性部位与疏水性基之斥水性化合物、包含醇溶媒之醇溶液、以及水或酸性水溶液混合而成者,该斥水性化合物系在洗净液B之总量100质量%中,混合成占0.2~20质量%。借由该洗净剂,可改善易引起图案损坏之洗净步骤。

13. 发明专利

TW201033358A 矽晶圓用洗淨劑审中-公开
简体标题：硅晶圆用洗净剂
公开(公告)号：TW201033358A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099101652
申请日：2010-01-21
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：公文創一 , 齋藤真規 , 齋尾崇 , 七井秀壽 , 赤松佳則
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/30 , C11D7/3209 , C11D11/0064 , C11D11/007 , H01L21/02052
摘要：一種矽晶圓用洗淨劑，其至少包含水系洗淨液、以及用以於洗淨過程中使凹凸圖案之至少凹部斥水化之斥水性洗淨液。該斥水性洗淨液係設為包含含有可與矽晶圓之Si進行化學鍵結之反應性部位與疏水性基的斥水性化合物者、或者相對於該斥水性洗淨液之總量100質量％而混合包含0.1質量％以上之該斥水性化合物與有機溶劑者。藉由該洗淨劑，可改善容易引起圖案崩塌之洗淨步驟。
简体摘要：一种硅晶圆用洗净剂，其至少包含水系洗净液、以及用以于洗净过程中使凹凸图案之至少凹部斥水化之斥水性洗净液。该斥水性洗净液系设为包含含有可与硅晶圆之Si进行化学键结之反应性部位与疏水性基的斥水性化合物者、或者相对于该斥水性洗净液之总量100质量％而混合包含0.1质量％以上之该斥水性化合物与有机溶剂者。借由该洗净剂，可改善容易引起图案崩塌之洗净步骤。

14. 发明专利

TW200403194A 水滴極容易由物品表面滑落之物品及製造該物品之方法失效
简体标题：水滴极容易由物品表面滑落之物品及制造该物品之方法
公开(公告)号：TW200403194A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092120887
申请日：2003-07-30
申请人：中央硝子股份有限公司 CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：赤松佳則 , 公文創一 , 中要 , 倉增春喜 , 荒井宏明 , 濱口滋生
IPC分类号： C03C , C09K , B60J
CPC分类号： C03C19/00 , C03C17/002 , C03C17/009 , C03C17/25 , C03C17/30 , C03C2217/211 , C03C2217/213 , C03C2217/76 , C03C2218/113 , C09D183/04 , C09D183/08 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
摘要：本發明係有關水滴極容易由物品表面滑落之物品。該物品可由（a）使氧化矽前驅物溶膠、（i）一般式〔1〕所示，且以上述氧化矽前驅物所生成氧化矽總量為基準的0.1重量％至10重量％之烷氧基末端基之二甲基聚矽氧及（ii）一般式〔2〕所示之氟烷基矽烷，予以混合來製成塗布液；以及（b）塗布上述塗布液於基板等過程所成之第一方法製造。092120887p01.bmp
简体摘要：本发明系有关水滴极容易由物品表面滑落之物品。该物品可由（a）使氧化硅前驱物溶胶、（i）一般式〔1〕所示，且以上述氧化硅前驱物所生成氧化硅总量为基准的0.1重量％至10重量％之烷氧基末端基之二甲基聚硅氧及（ii）一般式〔2〕所示之氟烷基硅烷，予以混合来制成涂布液；以及（b）涂布上述涂布液于基板等过程所成之第一方法制造。092120887p01.bmp

15. 发明专利

TW201231633A 保護膜形成用藥液审中-公开
简体标题：保护膜形成用药液
公开(公告)号：TW201231633A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW101100213
申请日：2012-01-03
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：齋尾崇 , 公文創一 , 齋藤真規 , 荒田忍 , 七井秀壽 , 赤松佳則
IPC分类号： C09K , C07F , H01L
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D11/0047
摘要：本發明提供一種形成撥水性保護膜之保護膜形成用藥液，其係用以改善容易誘發在表面形成凹凸圖案並於該凹凸圖案之凹部表面具有鈦、鎢、鋁、銅、錫、鉭、及釕中之至少一種元素的晶圓(金屬系晶圓)之圖案崩塌的洗淨步驟。本發明之撥水性保護膜形成用藥液之特徵在於：其係含有用以於上述金屬系晶圓之洗淨步驟之後、乾燥步驟之前，於至少凹部表面形成撥水性保護膜之撥水性保護膜形成劑及溶劑之藥液，且該撥水性保護膜形成劑為通式[1]所表示之化合物。
(R 1 為可將一部分或全部之氫元素取代為氟元素之碳數為1~18之一價之烴基，R 2 各自相互獨立，為含有可將一部分或全部之氫元素取代為氟元素之碳數為1~18之烴基的一價之有機基，a為0~2之整數。)
简体摘要：本发明提供一种形成拨水性保护膜之保护膜形成用药液，其系用以改善容易诱发在表面形成凹凸图案并于该凹凸图案之凹部表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽、及钌中之至少一种元素的晶圆(金属系晶圆)之图案崩塌的洗净步骤。本发明之拨水性保护膜形成用药液之特征在于：其系含有用以于上述金属系晶圆之洗净步骤之后、干燥步骤之前，于至少凹部表面形成拨水性保护膜之拨水性保护膜形成剂及溶剂之药液，且该拨水性保护膜形成剂为通式[1]所表示之化合物。 (R 1 为可将一部分或全部之氢元素取代为氟元素之碳数为1~18之一价之烃基，R 2 各自相互独立，为含有可将一部分或全部之氢元素取代为氟元素之碳数为1~18之烃基的一价之有机基，a为0~2之整数。)

16. 发明专利

TW201211228A 保護膜形成用藥液审中-公开
简体标题：保护膜形成用药液
公开(公告)号：TW201211228A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100117675
申请日：2011-05-19
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：公文創一 , 齋尾崇 , 荒田忍 , 齋藤真規 , 兩川敦 , 山田周平 , 七井秀壽 , 赤松佳則
IPC分类号： C09K , C07F , H01L
CPC分类号： H01L21/02057 , C09D183/08 , H01L21/0206 , H01L21/302 , H01L21/3105
摘要：本發明揭示一種保護膜形成用藥液，其係於將表面上具有微細凹凸圖案且該凹凸圖案之至少一部分含有矽元素之晶圓之洗淨時，用以於該凹凸圖案之至少凹部表面形成斥水性保護膜之藥液。該藥液包含通式R 1 aSi(H)b(X)4-a-b所示之矽化合物A及酸、或通式R 7 gSi(H)h(CH3)w(Z)4-g-h-w所示之矽化合物C及水之含量為35質量%以下的鹼，上述藥液之起始原料中之水分總量相對於該原料總量為5000質量ppm以下。該藥液可改善易於引發圖案崩塌之洗淨步驟。
简体摘要：本发明揭示一种保护膜形成用药液，其系于将表面上具有微细凹凸图案且该凹凸图案之至少一部分含有硅元素之晶圆之洗净时，用以于该凹凸图案之至少凹部表面形成斥水性保护膜之药液。该药液包含通式R 1 aSi(H)b(X)4-a-b所示之硅化合物A及酸、或通式R 7 gSi(H)h(CH3)w(Z)4-g-h-w所示之硅化合物C及水之含量为35质量%以下的碱，上述药液之起始原料中之水分总量相对于该原料总量为5000质量ppm以下。该药液可改善易于引发图案崩塌之洗净步骤。

17. 发明专利

TWI227706B 水滴極容易由物品表面滑落之物品及製造該物品之方法失效
简体标题：水滴极容易由物品表面滑落之物品及制造该物品之方法
公开(公告)号：TWI227706B
公开(公告)日：2005-02-11
申请号：TW092120887
申请日：2003-07-30
申请人：中央硝子股份有限公司 CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：赤松佳則 , 公文創一 , 中要 , 倉增春喜 , 荒井宏明 , 濱口滋生
IPC分类号： C03C , C09K , B60J
CPC分类号： C03C19/00 , C03C17/002 , C03C17/009 , C03C17/25 , C03C17/30 , C03C2217/211 , C03C2217/213 , C03C2217/76 , C03C2218/113 , C09D183/04 , C09D183/08 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
摘要：本發明係有關水滴極容易由物品表面滑落之物品。該物品可由(a)使氧化矽前驅物溶膠、(i)一般式〔1〕所示，且以上述氧化矽前驅物所生成氧化矽總量為基準的0.1重量%至10重量%之烷氧基末端基之二甲基聚矽氧及(ii)一般式〔2〕所示之氟烷基矽烷，予以混合來製成塗布液；以及(b)塗布上述塗布液於基板等過程所成之第一方法製造。
简体摘要：本发明系有关水滴极容易由物品表面滑落之物品。该物品可由(a)使氧化硅前驱物溶胶、(i)一般式〔1〕所示，且以上述氧化硅前驱物所生成氧化硅总量为基准的0.1重量%至10重量%之烷氧基末端基之二甲基聚硅氧及(ii)一般式〔2〕所示之氟烷基硅烷，予以混合来制成涂布液；以及(b)涂布上述涂布液于基板等过程所成之第一方法制造。

18. 发明专利

TWI342870B 熱線遮蔽膜形成基材之製法失效
简体标题：热线屏蔽膜形成基材之制法
公开(公告)号：TWI342870B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW095139578
申请日：2006-10-26
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：齋藤真規 , 濱口滋生 , 赤松佳則 , 公文創一
IPC分类号： C03C , C09D
CPC分类号： C09D5/32 , C03C17/008 , C03C17/009 , C03C17/30 , C03C2217/445 , C03C2217/452 , C03C2217/475 , C03C2217/476 , C03C2217/485 , C03C2218/113 , C08K3/22 , C09D1/00 , C09D7/20 , C09D7/47 , C09D7/61 , C09D183/04
摘要：本發明係提供一種熱線遮蔽膜形成基材之製法，包含：將三烷氧基矽烷或三烷氧基矽烷與四烷氧基矽烷為起始原料所形成之溶膠溶液，以及分散有摻雜錫之氧化銦的超微粒子之溶液混合，作為處理劑的步驟；以及將處理劑塗佈於基材的塗佈步驟。於該製法，上述處理劑為具有沸點為100至200℃的有機溶劑作為分散媒之處理劑，上述塗佈步驟的塗佈，係由使保持處理劑的構件接觸基材的手段，或藉由處理劑的噴霧之手段，使所形成的膜的霧度值為0.5%以下。
简体摘要：本发明系提供一种热线屏蔽膜形成基材之制法，包含：将三烷氧基硅烷或三烷氧基硅烷与四烷氧基硅烷为起始原料所形成之溶胶溶液，以及分散有掺杂锡之氧化铟的超微粒子之溶液混合，作为处理剂的步骤；以及将处理剂涂布于基材的涂布步骤。于该制法，上述处理剂为具有沸点为100至200℃的有机溶剂作为分散媒之处理剂，上述涂布步骤的涂布，系由使保持处理剂的构件接触基材的手段，或借由处理剂的喷雾之手段，使所形成的膜的雾度值为0.5%以下。

19. 发明专利

TW201100535A 矽晶圓用洗淨劑审中-公开
简体标题：硅晶圆用洗净剂
公开(公告)号：TW201100535A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099112885
申请日：2010-04-23
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：公文創一 , 齋尾崇 , 荒田忍 , 七井秀壽 , 赤松佳則
IPC分类号： C11D
CPC分类号： H01L21/02057 , C11D3/162 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/5022 , C11D11/0047
摘要：本發明提供一種矽晶圓用洗淨劑,其至少包含水系洗淨液、及用以在洗淨過程中使凹凸圖案之至少凹部斥水化之斥水性洗淨液,並且,該斥水性洗淨液係混合含有:包含可與矽晶圓之Si化學鍵結之反應性部位及疏水性基之斥水性化合物、及包含至少醇溶劑之有機溶劑。利用該洗淨劑可改善容易引起圖案崩塌之洗淨步驟。
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆用洗净剂,其至少包含水系洗净液、及用以在洗净过程中使凹凸图案之至少凹部斥水化之斥水性洗净液,并且,该斥水性洗净液系混合含有:包含可与硅晶圆之Si化学键结之反应性部位及疏水性基之斥水性化合物、及包含至少醇溶剂之有机溶剂。利用该洗净剂可改善容易引起图案崩塌之洗净步骤。

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