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11. 发明专利

TWI520141B 記憶體裝置有权
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TWI520141B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102142857
申请日：2009-04-23
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：辛昌熙 , SHIN, CHANG-HEE , 曹基錫 , CHO, KI-SEOK , 吳權泳 , OH, KWON-YOUNG
IPC分类号： G11C17/18 , G02F1/1345
CPC分类号： G09G3/36 , G09G3/3696 , G09G2300/0426 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C7/02 , G11C17/00 , G11C17/16

12. 发明专利

TW201602751A 切換控制電路及使用該切換控制電路之轉換器审中-公开
简体标题：切换控制电路及使用该切换控制电路之转换器
公开(公告)号：TW201602751A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104108522
申请日：2015-03-17
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：崔志遠 , CUI, ZHI YUAN , 柳英起 , RYU, YOUN GGI , 申斗秀 , SHIN, DOO SOO , 黃仁鎬 , HWANG, IN HO
IPC分类号： G05F1/46
CPC分类号： H02M3/156 , G05F1/46 , H02M2003/1555
摘要：一種透過電流控制開關控制流入至負載中之平均電流之切換控制電路，電流控制開關串聯耦合至輸入電力及負載，切換控制電路包含：感測單元，經組態以量測流入至負載中之電流；摺疊器單元，經組態基於第一參考電壓摺疊與所量測電流相關之感測信號基於初始化電壓產生第一及第二摺疊器輸出信號，第一摺疊器輸出信號與第二摺疊器輸出信號彼此對稱；比較單元，經組態比較所產生第一與第二摺疊器輸出信號；及控制單元，經組態根據比較單元中之比較結果控制電流控制開關之操作。此切換控制電路對感測信號及參考信號進行積分及比較以執行平均電流控制。
简体摘要：一种透过电流控制开关控制流入至负载中之平均电流之切换控制电路，电流控制开关串联耦合至输入电力及负载，切换控制电路包含：传感单元，经组态以量测流入至负载中之电流；折叠器单元，经组态基于第一参考电压折叠与所量测电流相关之传感信号基于初始化电压产生第一及第二折叠器输出信号，第一折叠器输出信号与第二折叠器输出信号彼此对称；比较单元，经组态比较所产生第一与第二折叠器输出信号；及控制单元，经组态根据比较单元中之比较结果控制电流控制开关之操作。此切换控制电路对传感信号及参考信号进行积分及比较以运行平均电流控制。

13. 发明专利

TWI501210B 驅動顯示面板的方法及裝置有权
简体标题：驱动显示皮肤的方法及设备
公开(公告)号：TWI501210B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099124964
申请日：2010-07-28
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金範陳 , KIM, BEOM-JIN , 金姬正 , KIM, HEE-JUNG , 林大湖 , LIM, DAE-HO , 曹基錫 , CHO, KI-SEOK
IPC分类号： G09G3/20

14. 发明专利

TWI469146B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI469146B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW097104694
申请日：2008-02-05
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：辛昌熙 , SHIN, CHANG-HEE , 曹基錫 , CHO, KI-SEOK
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： G11C16/0441 , G11C16/10 , G11C16/28

15. 发明专利

TWI463500B 非揮發性記憶體裝置之單位單元和具有其之非揮發性記憶體裝置有权
简体标题：非挥发性内存设备之单位单元和具有其之非挥发性内存设备
公开(公告)号：TWI463500B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098104725
申请日：2009-02-13
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：辛昌熙 , SHIN, CHANG-HEE , 曹基錫 , CHO, KI-SEOK , 全成都 , JEON, SEONG-DO
IPC分类号： G11C17/16
CPC分类号： G11C17/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

16. 发明专利

TW201407781A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201407781A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102117445
申请日：2013-05-16
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：林敏奎 , LIM, MIN GYU , 李楨煥 , LEE, JUNG HWAN , 鄭貳善 , CHUNG, YI SUN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/22
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L27/092 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7817 , H01L29/7835
摘要：本發明提供一半導體裝置及其製造方法。該半導體裝置包含：一P型井區及一N型井區，其形成於一基板中；一閘極絕緣層，其具有一非均勻厚度且形成於該P型井區及該N型井區上；一閘極電極，其形成於該閘極絕緣層上；一P型井拾取區，其形成於該P型井區中；及一場減弱氧化物層，其形成於該N型井區中介於該閘極電極與汲極區之間。
简体摘要：本发明提供一半导体设备及其制造方法。该半导体设备包含：一P型井区及一N型井区，其形成于一基板中；一闸极绝缘层，其具有一非均匀厚度且形成于该P型井区及该N型井区上；一闸极电极，其形成于该闸极绝缘层上；一P型井十取区，其形成于该P型井区中；及一场减弱氧化物层，其形成于该N型井区中介于该闸极电极与汲极区之间。

17. 发明专利

TW201351594A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201351594A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102117446
申请日：2013-05-16
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：韓振宇 , HAN, JIN WOO
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/66666 , H01L29/66734 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：本發明提供一種半導體裝置及其製造方法。該半導體裝置包含：一基板，其包括一溝渠；一第一電極，其安置於該溝渠下面；一第二電極，其安置於該溝渠上面，一第一絕緣層安置於該第一電極與該第二電極之間；一第一觸點，其沿該基板之一第一方向配置且連接至該第一電極；及一第二觸點，其沿不同於該第一方向之第二方向配置，該第二觸點連接至該第二電極。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及其制造方法。该半导体设备包含：一基板，其包括一沟渠；一第一电极，其安置于该沟渠下面；一第二电极，其安置于该沟渠上面，一第一绝缘层安置于该第一电极与该第二电极之间；一第一触点，其沿该基板之一第一方向配置且连接至该第一电极；及一第二触点，其沿不同于该第一方向之第二方向配置，该第二触点连接至该第二电极。

18. 发明专利

TWI404000B 平面板顯示器用之驅動器有权
简体标题：平皮肤显示器用之驱动器
公开(公告)号：TWI404000B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW094107597
申请日：2005-03-11
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：楊珍石 , YANG, JIN-SEOK
IPC分类号： G09G3/00
CPC分类号： G09G3/3283 , G09G3/3208 , G09G2320/0233 , G09G2330/02

19. 发明专利

TW201330690A ＬＥＤ驅動電路及具有該ＬＥＤ驅動電路之發光裝置审中-公开
简体标题：ＬＥＤ驱动电路及具有该ＬＥＤ驱动电路之发光设备
公开(公告)号：TW201330690A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101145721
申请日：2012-12-05
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金賢訂 , KIM, HYUN-JUNG , 柳英起 , RYU, YOUNG-GI
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B37/02 , H05B33/0812 , H05B33/083 , Y02B20/343 , Y02B20/345
摘要：本發明揭示一種發光二極體(LED)驅動電路及一種包含該LED驅動電路之發光裝置。該發光裝置包含一LED陣列、一輸入單元、一整流器及一控制電路。該LED陣列包含彼此串聯連接之LED器件。該輸入單元接收一交流電(AC)電源。該整流器電路全波整流所接收之AC電源信號且將經全波整流之AC電源信號供應至該LED陣列。該控制電路根據經全波整流之AC電源信號之一電壓位準而選擇性導通該等LED器件。該控制電路包含切換元件及比較器。該等切換元件迫使該等LED器件之間之節點選擇性接地。該等比較器根據經全波整流之AC電源信號之該電壓位準而接通該等切換元件之一者。
简体摘要：本发明揭示一种发光二极管(LED)驱动电路及一种包含该LED驱动电路之发光设备。该发光设备包含一LED数组、一输入单元、一整流器及一控制电路。该LED数组包含彼此串联连接之LED器件。该输入单元接收一交流电(AC)电源。该整流器电路全波整流所接收之AC电源信号且将经全波整流之AC电源信号供应至该LED数组。该控制电路根据经全波整流之AC电源信号之一电压位准而选择性导通该等LED器件。该控制电路包含切换组件及比较器。该等切换组件迫使该等LED器件之间之节点击择性接地。该等比较器根据经全波整流之AC电源信号之该电压位准而接通该等切换组件之一者。

20. 发明专利

TWI397166B 靜電放電保護電路有权
简体标题：静电放电保护电路
公开(公告)号：TWI397166B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW098114238
申请日：2009-04-29
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金相更 , KIM, SANG-KYUNG , 姜汰竟 , KANG, TAE-KYOUNG , 金亨奎 , KIM, HYOUNG-KYU
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L27/0251

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