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121. 发明专利

TW201030846A 矽氧化膜的形成方法及裝置审中-公开
简体标题：硅氧化膜的形成方法及设备
公开(公告)号：TW201030846A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098132716
申请日：2009-09-28
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：壁義郎 , 中村秀雄 , 北川淳一
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01L21/31662 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/28211 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要：矽氧化膜形成方法是在被處理體(W)的表面露出的矽上形成矽氧化膜。此方法是具備:在處理容器(1)內的載置台(2)上載置被處理體之工程;對處理容器內供給含氧的處理氣體,而產生處理氣體的電漿之工程;對載置台供給高頻電力,而於被處理體施加偏壓之工程;及使電漿作用於施加偏壓後的被處理體,而將矽氧化來形成矽氧化膜之工程。處理氣體中的氧的比例是設定於0.1%以上10%以下的範圍內。在形成矽氧化膜的工程中,處理容器內的壓力是被設定於1.3Pa以上266.6Pa以下的範圍內。高頻電力是被設定成被處理體的每單位面積0.14W/cm2以上2.13W/cm2以下的範圍內的輸出。
简体摘要：硅氧化膜形成方法是在被处理体(W)的表面露出的硅上形成硅氧化膜。此方法是具备:在处理容器(1)内的载置台(2)上载置被处理体之工程;对处理容器内供给含氧的处理气体,而产生处理气体的等离子之工程;对载置台供给高频电力,而于被处理体施加偏压之工程;及使等离子作用于施加偏压后的被处理体,而将硅氧化来形成硅氧化膜之工程。处理气体中的氧的比例是设置于0.1%以上10%以下的范围内。在形成硅氧化膜的工程中,处理容器内的压力是被设置于1.3Pa以上266.6Pa以下的范围内。高频电力是被设置成被处理体的每单位面积0.14W/cm2以上2.13W/cm2以下的范围内的输出。

122. 发明专利

TWI327754B 閘氧化層之製備方法 METHOD FOR PREPARING GATE OXIDE LAYER 有权
简体标题：闸氧化层之制备方法 METHOD FOR PREPARING GATE OXIDE LAYER
公开(公告)号：TWI327754B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW095100262
申请日：2006-01-04
申请人：茂德科技股份有限公司
发明人：陳中怡 , 朱志勳 , 周志文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/7621 , H01L21/28211 , H01L21/2822 , H01L21/28238 , H01L21/76213
摘要：一種閘氧化層製備方法首先形成至少二溝渠於一基板之中，該二溝渠之間形成一主動區域。之後，形成介電區塊於該溝渠之中，該介電區塊之上表面不對齊該基板之上表面。接著，進行一摻雜製程，將一含氮摻質植入該主動區域之基板中，該主動區域中心處之基板內的含氮摻質濃度高於該主動區域邊緣處。然後，進行一熱氧化製程以形成一閘氧化層於該主動區域之基板的上表面。藉由該含氮摻質抑制熱氧化反應速率，即可避免該主動區域邊緣處之閘氧化層厚度小於該主動區域中心處之閘氧化層厚度的情形發生。
简体摘要：一种闸氧化层制备方法首先形成至少二沟渠于一基板之中，该二沟渠之间形成一主动区域。之后，形成介电区块于该沟渠之中，该介电区块之上表面不对齐该基板之上表面。接着，进行一掺杂制程，将一含氮掺质植入该主动区域之基板中，该主动区域中心处之基板内的含氮掺质浓度高于该主动区域边缘处。然后，进行一热氧化制程以形成一闸氧化层于该主动区域之基板的上表面。借由该含氮掺质抑制热氧化反应速率，即可避免该主动区域边缘处之闸氧化层厚度小于该主动区域中心处之闸氧化层厚度的情形发生。

123. 发明专利

TW201003915A 電晶體元件 TRANSISTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：晶体管组件 TRANSISTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201003915A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097125941
申请日：2008-07-09
申请人：南亞科技股份有限公司
发明人：黃才育 , 聶鑫譽 , 張惠嵐
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/0214 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02356 , H01L21/28017 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3141 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/31645
摘要：一種電晶體元件，包含有一半導體基底；一源極摻雜區域以及一汲極摻雜區域，設於該半導體基底中；一閘極通道區域，於該源極摻雜區域與該汲極摻雜區域之間；以及一閘極結構，位於該閘極通道區域的正上方，其中該閘極結構包含有一非晶相表面層、一結晶態的金屬氧化物閘極介電層，以及一閘極導電層。
简体摘要：一种晶体管组件，包含有一半导体基底；一源极掺杂区域以及一汲极掺杂区域，设于该半导体基底中；一闸极信道区域，于该源极掺杂区域与该汲极掺杂区域之间；以及一闸极结构，位于该闸极信道区域的正上方，其中该闸极结构包含有一非晶相表面层、一结晶态的金属氧化物闸极介电层，以及一闸极导电层。

124. 发明专利

TWI306630B 使用前驅物在含矽或含鍺層,尤其是電子元件,形成金屬層或含金屬層之方法 VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER METALLISCHEN ODER METALLHALTIGEN SCHICHT UNTER VERWENDUNG EINES PRAKURSORS AUF EINER SILIZIUM-ODER GERMANIUMHALTIGEN SCHICHT INSBESONDERE EINES ELEKTRONI-SCHEN BAUELEMENTS 失效
简体标题：使用前驱物在含硅或含锗层,尤其是电子组件,形成金属层或含金属层之方法 VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER METALLISCHEN ODER METALLHALTIGEN SCHICHT UNTER VERWENDUNG EINES PRAKURSORS AUF EINER SILIZIUM-ODER GERMANIUMHALTIGEN SCHICHT INSBESONDERE EINES ELEKTRONI-SCHEN BAUELEMENTS
公开(公告)号：TWI306630B
公开(公告)日：2009-02-21
申请号：TW091105004
申请日：2002-03-15
申请人：英飛凌科技股份有限公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：托馬斯.黑赫特 THOMAS HECHT , 安內特.薩恩格爾 ANNETTE SAENGER , 伯恩哈德.塞爾 BERNHARD SELL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28194 , C23C16/0272 , H01L21/28079 , H01L21/28211 , H01L21/28518 , H01L21/3141 , H01L21/31645 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L28/60 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：使用前驅物在含矽或含鍺層上,尤其是電子元件上,形成金屬層或含金屬層的方法,在使用前驅物之曾先在含矽或含鍺層上形成一個中間層,這個中間層至少會對前驅物中可能侵蝕含矽或含鍺層的成分的擴散形成阻擋作用,而且本身也能夠抵抗前驅物的侵蝕。
简体摘要：使用前驱物在含硅或含锗层上,尤其是电子组件上,形成金属层或含金属层的方法,在使用前驱物之曾先在含硅或含锗层上形成一个中间层,这个中间层至少会对前驱物中可能侵蚀含硅或含锗层的成分的扩散形成阻挡作用,而且本身也能够抵抗前驱物的侵蚀。

125. 发明专利

TW200834730A 矽氧化膜之形成方法、電漿處理裝置、及記憶媒體审中-公开
简体标题：硅氧化膜之形成方法、等离子处理设备、及记忆媒体
公开(公告)号：TW200834730A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096136359
申请日：2007-09-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小林岳志 KOBAYASHI, TAKASHI , 鹽澤俊彥 SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 壁義郎 KABE, YOSHIRO , 北川淳一 KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76232 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28211 , H01L21/28247 , H01L21/3143 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L29/4236 , H01L29/66795
摘要：可以維持「低壓力、低氧濃度條件」之電漿氧化處理之優點之同時,可減少膜厚之受圖案疏密之影響,可以均勻膜厚形成矽氧化膜。在電漿處理裝置之處理室內,使處理氣體之電漿作用於具有凹凸圖案之被處理體表面之矽而產生氧化形成矽氧化膜。上述處理氣體中之氧之比例為0.1%以上10%以下、而且壓力為0.133Pa以上133.3Pa以下之條件形成上述電漿。於上述處理室內之電漿產生區域與被處理體之間存在具有多數貫穿開口的板而進行處理。
简体摘要：可以维持“低压力、低氧浓度条件”之等离子氧化处理之优点之同时,可减少膜厚之受图案疏密之影响,可以均匀膜厚形成硅氧化膜。在等离子处理设备之处理室内,使处理气体之等离子作用于具有凹凸图案之被处理体表面之硅而产生氧化形成硅氧化膜。上述处理气体中之氧之比例为0.1%以上10%以下、而且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下之条件形成上述等离子。于上述处理室内之等离子产生区域与被处理体之间存在具有多数贯穿开口的板而进行处理。

126. 发明专利

TW200735224A 凹入式閘極電晶體元件的製作方法 METHOD FOR FABRICATING A RECESSED-GATE MOS TRANSISTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：凹入式闸极晶体管组件的制作方法 METHOD FOR FABRICATING A RECESSED-GATE MOS TRANSISTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200735224A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095108832
申请日：2006-03-15
申请人：南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORP.
发明人：林瑄智 LIN, SHIAN-JYH , 程謙禮 CHENG, CHIEN-LI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28211 , H01L21/28238 , H01L27/10876 , H01L29/66621
摘要：本發明提供一種電晶體元件的製作方法,先於半導體基底中形成閘極溝渠;於溝渠側壁上形成側壁子;再於溝渠底部上形成底部氧化層;隨後去除該側壁子;於溝渠側壁上形成汲極/源極摻雜區;然後去除底部氧化層,以於閘極溝渠內形成弧形溝渠底部;於閘極溝渠的溝渠側壁以及弧形溝渠底部上形成一犧牲氧化層;進行乾蝕刻製程,蝕刻該犧牲氧化層,暴露出弧形溝渠底部;於暴露出來的該弧形溝渠底部上形成閘極介電層;最後於該閘極溝渠填入閘極材料層。
简体摘要：本发明提供一种晶体管组件的制作方法,先于半导体基底中形成闸极沟渠;于沟渠侧壁上形成侧壁子;再于沟渠底部上形成底部氧化层;随后去除该侧壁子;于沟渠侧壁上形成汲极/源极掺杂区;然后去除底部氧化层,以于闸极沟渠内形成弧形沟渠底部;于闸极沟渠的沟渠侧壁以及弧形沟渠底部上形成一牺牲氧化层;进行干蚀刻制程,蚀刻该牺牲氧化层,暴露出弧形沟渠底部;于暴露出来的该弧形沟渠底部上形成闸极介电层;最后于该闸极沟渠填入闸极材料层。

127. 发明专利

TWI283456B 半導體裝置之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：半导体设备之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI283456B
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW091106952
申请日：2002-04-08
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：井上真雄 INOUE, MASAO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28211 , H01L21/28273 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L29/7881
摘要：半導體基板1之活性區域係由溝渠隔離而作電性隔離。該溝渠隔離之構成，係包含有溝3、形成於溝3之內壁的氧化矽膜4、形成於氧化矽膜4與半導體基板1之間的氧化防止膜6及埋設於溝3內的埋設氧化膜7。閘極氧化膜8，係由氫基或氧基之至少一種所產生之氧化力強的氧化所形成。藉此，閘極氧化膜8可由氧化防止膜6之正上方區域的膜厚 TA1與閘極層9之正下方區域的膜厚TB1成為大致相同的均等膜厚所形成。藉此，可獲得具有電晶體特性良好的半導體裝置及其製造方法。
简体摘要：半导体基板1之活性区域系由沟渠隔离而作电性隔离。该沟渠隔离之构成，系包含有沟3、形成于沟3之内壁的氧化硅膜4、形成于氧化硅膜4与半导体基板1之间的氧化防止膜6及埋设于沟3内的埋设氧化膜7。闸极氧化膜8，系由氢基或氧基之至少一种所产生之氧化力强的氧化所形成。借此，闸极氧化膜8可由氧化防止膜6之正上方区域的膜厚 TA1与闸极层9之正下方区域的膜厚TB1成为大致相同的均等膜厚所形成。借此，可获得具有晶体管特性良好的半导体设备及其制造方法。

128. 发明专利

TWI247351B 改變薄膜之蝕刻選擇性之方法 A METHOD OF VARYING ETCH SELECTIVITIES OF A FILM 有权
简体标题：改变薄膜之蚀刻选择性之方法 A METHOD OF VARYING ETCH SELECTIVITIES OF A FILM
公开(公告)号：TWI247351B
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：TW093124988
申请日：2004-08-19
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：賈斯汀K 布雷斯克 BRASK, JUSTIN K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/28079 , H01L21/28194 , H01L21/28211 , H01L21/30612 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/823842 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/785 , Y10S438/924
摘要：一種圖案化結晶薄膜之方法。在一第一區域及一第二區域內提供一具有一包括第一原子之退化晶格(degenerate lattice)之結晶薄膜。摻雜物取代該第一區域中之該等第一原子，以在該第一區域內形成一非退化結晶薄膜。將該第一區域及該第二區域曝露至一濕蝕刻劑，其中該濕蝕刻劑蝕刻該第二區域內之退化晶格而不蝕刻該第一區域內之非退化晶格。
简体摘要：一种图案化结晶薄膜之方法。在一第一区域及一第二区域内提供一具有一包括第一原子之退化晶格(degenerate lattice)之结晶薄膜。掺杂物取代该第一区域中之该等第一原子，以在该第一区域内形成一非退化结晶薄膜。将该第一区域及该第二区域曝露至一湿蚀刻剂，其中该湿蚀刻剂蚀刻该第二区域内之退化晶格而不蚀刻该第一区域内之非退化晶格。

129. 发明专利

TW200537568A 半導體裝置,電子裝置及電子設備 A SEMICONDUCTOR DEVICE, AN ELECTRONIC DEVICE AND AN ELECTRONIC APPARATUS 失效
简体标题：半导体设备,电子设备及电子设备 A SEMICONDUCTOR DEVICE, AN ELECTRONIC DEVICE AND AN ELECTRONIC APPARATUS
公开(公告)号：TW200537568A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094104087
申请日：2005-02-05
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：宮田正靖 MIYATA, MASAYASU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28194 , H01L21/02142 , H01L21/02164 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3003 , H01L21/3105 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要：半導體裝置1包含：主要由一半導體材料所形成之基極2；一閘極電極5；及一設置在基極閘極絕緣膜和閘極電極5之間的閘極絕緣膜3。閘極絕緣膜3由一種絕緣無機材料作為主要材料所形成，該絕緣之無機材料含矽、氧及矽和氧以外之元素X。閘極絕緣膜3之設置與基極2接觸，且含氫原子。閘極絕緣膜3具A和B之滿足以下關係之一區域：在界定該區域中元素X之總濃度為A和界定該區域中氫之總濃度為B之情況下B／A為小或等於10。而且，該區域在其厚度方向至少一為閘極絕緣膜3之一部位。
简体摘要：半导体设备1包含：主要由一半导体材料所形成之基极2；一闸极电极5；及一设置在基极闸极绝缘膜和闸极电极5之间的闸极绝缘膜3。闸极绝缘膜3由一种绝缘无机材料作为主要材料所形成，该绝缘之无机材料含硅、氧及硅和氧以外之元素X。闸极绝缘膜3之设置与基极2接触，且含氢原子。闸极绝缘膜3具A和B之满足以下关系之一区域：在界定该区域中元素X之总浓度为A和界定该区域中氢之总浓度为B之情况下B／A为小或等于10。而且，该区域在其厚度方向至少一为闸极绝缘膜3之一部位。

130. 发明专利

TW200525644A 半導體積體電路裝置之製造方法失效
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法
公开(公告)号：TW200525644A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW094103535
申请日：1998-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：田邊義和 , 酒井哲 , 夏秋信義
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02052 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67219 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L29/42364 , H01L29/518 , Y10S148/023 , Y10S148/116 , Y10S438/935
摘要：為了提供以均勻膜厚再現性良好地形成高品質且膜厚5nm以下的極薄閘氧化膜之技術，本發明供應低濃度含有因觸媒作用而由氫和氧產生之水的氧化種給半導體晶圓主面或其附近，以可確保形成氧化膜的再現性及氧化膜厚的均勻性程度的氧化膜成長速度在半導體晶圓主面形成膜厚5nm以下的氧化膜。
简体摘要：为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶圆主面形成膜厚5nm以下的氧化膜。

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