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111. 发明专利

TW200927972A 氧化銦系透明導電膜之製造方法 METHOD FOR MAKING INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜之制造方法 METHOD FOR MAKING INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM
公开(公告)号：TW200927972A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097138076
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： C23C , H01B
CPC分类号： C04B35/457 , C01G15/00 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C04B35/01 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種透明導電膜之製造方法,其特徵為:當使用具備:含有氧化銦與需要時之錫同時含有添加元素之氧化物燒結體之濺鍍靶以形成膜而製造含有氧化銦與需要時之錫同時含有添加元素且為非晶形的透明導電膜時,將成膜時的水之分壓設成1�10^-5Pa以下。
简体摘要：本发明提供一种透明导电膜之制造方法,其特征为:当使用具备:含有氧化铟与需要时之锡同时含有添加元素之氧化物烧结体之溅镀靶以形成膜而制造含有氧化铟与需要时之锡同时含有添加元素且为非晶形的透明导电膜时,将成膜时的水之分压设成1�10^-5Pa以下。

112. 发明专利

TW200927658A 氧化銦系靶 INDIUM OXIDE TARGET 审中-公开
简体标题：氧化铟系靶 INDIUM OXIDE TARGET
公开(公告)号：TW200927658A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097138074
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： C01G , C23C
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：一種具備含有氧化銦與錫同時也含有鎂的氧化物燒結體之氧化銦系靶,其中,錫及鎂的含量係相對於1莫耳銦的錫之莫耳比y在以相對於1莫耳銦的鎂之莫耳比x表示的(-4.1�10^-2Ln(x)-9.3�10^-2)之値以上,且在(-2.5�10^-1Ln(x)-5.7�10^-1)的値以下之範圍。
简体摘要：一种具备含有氧化铟与锡同时也含有镁的氧化物烧结体之氧化铟系靶,其中,锡及镁的含量系相对于1莫耳铟的锡之莫耳比y在以相对于1莫耳铟的镁之莫耳比x表示的(-4.1�10^-2Ln(x)-9.3�10^-2)之値以上,且在(-2.5�10^-1Ln(x)-5.7�10^-1)的値以下之范围。

113. 发明专利

TW200926207A 氧化銦系透明導電膜及其製造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
简体标题：氧化铟系透明导电膜及其制造方法 INDIUM OXIDE TRANPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW200926207A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097138068
申请日：2008-10-03
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 宮下德彥 MIYASHITA, NORIHIKO
IPC分类号： H01B , C23C , C01G
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種透明導電膜,為使用具備氧化物燒結體之濺鍍靶材而形成作為非晶膜之膜者,此氧化物燒結體係含有氧化銦以及因應必要之錫,並且對1莫耳的銦含有0.0001莫耳以上且未滿0.10莫耳之氧鍵結能量(oxygen binding energy)位於100至350kJ/mol的範圍之添加元素(惟Ba(鋇)、Mg(鎂)、Y(釔)除外),其特徵係含有氧化銦以及因應必要之錫,並且含有前述之添加元素。
简体摘要：本发明提供一种透明导电膜,为使用具备氧化物烧结体之溅镀靶材而形成作为非晶膜之膜者,此氧化物烧结体系含有氧化铟以及因应必要之锡,并且对1莫耳的铟含有0.0001莫耳以上且未满0.10莫耳之氧键结能量(oxygen binding energy)位于100至350kJ/mol的范围之添加元素(惟Ba(钡)、Mg(镁)、Y(钇)除外),其特征系含有氧化铟以及因应必要之锡,并且含有前述之添加元素。

114. 发明专利

TWI308172B 導電性墨水有权
简体标题：导电性墨水
公开(公告)号：TWI308172B
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097126933
申请日：2005-10-07
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：上郡山洋一 , 尾形純和 , 穴井圭 , 澤本裕樹
IPC分类号： C09D , H01B , H05K
CPC分类号： H01B1/22 , C09D11/30 , H05K1/097 , H05K3/125 , H05K2201/0239 , H05K2203/013
摘要：提供一種和玻璃基板等之各種基材間之密合性良好並且能夠形成微細之配線或電極之導電性金屬墨水。其目的係提供一種能夠同時使用於噴墨方式等之導電性墨水。為了達成該目的,因此,採用一種導電性墨水,其特徵在於:成為包含溶媒、鎳粉和密合性提升劑之導電性墨水,前述溶媒包含以及常壓之沸點成為300℃以下之醇類與飽和烴類所構成之群組而選出之1種或2種以上,前述密合性提升劑係由矽烷偶合劑、鈦偶合劑、氧化鋯偶合劑和鋁偶合劑所構成之群組而選出之1種或2種以上,導電性墨水在25℃之黏度係60cP以下。此外,前述溶媒係藉由使用表面張力調整劑而調整表面張力成為15mN/m~50mN/m之範圍,來成為適合於噴墨方式等之使用之導電性墨水。
简体摘要：提供一种和玻璃基板等之各种基材间之密合性良好并且能够形成微细之配线或电极之导电性金属墨水。其目的系提供一种能够同时使用于喷墨方式等之导电性墨水。为了达成该目的,因此,采用一种导电性墨水,其特征在于:成为包含溶媒、镍粉和密合性提升剂之导电性墨水,前述溶媒包含以及常压之沸点成为300℃以下之醇类与饱和烃类所构成之群组而选出之1种或2种以上,前述密合性提升剂系由硅烷偶合剂、钛偶合剂、氧化锆偶合剂和铝偶合剂所构成之群组而选出之1种或2种以上,导电性墨水在25℃之黏度系60cP以下。此外,前述溶媒系借由使用表面张力调整剂而调整表面张力成为15mN/m~50mN/m之范围,来成为适合于喷墨方式等之使用之导电性墨水。

115. 发明专利

TW200915932A 具有介電層之銅箔审中-公开
简体标题：具有介电层之铜箔
公开(公告)号：TW200915932A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097126046
申请日：2008-07-10
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：金尾義則 , 佐藤哲朗
IPC分类号： H05K , C08L , C08K
CPC分类号： H05K1/162 , C08G59/38 , C08G59/686 , C08L29/14 , C08L63/00 , C08L63/04 , C08L67/00 , H05K2201/0209 , H05K2201/0355 , C08L2666/02
摘要：以提供為了形成使內層核心材的內層電路表面與介電層的密著性提高,且具備低介電正接(Dissipation Factor)之電容電路層之具有介電層之銅箔為目的。為達成此目的,為了以在基材樹脂內配置埋設了使電路上面與基材表面位於略為同一平面的電路之具有埋設電路之印刷電路板的表面上貼合之為形成電容電路層之具有介電層之銅箔來達到上述目的,該具有介電層之銅箔1,係在銅箔2之單面上具備以含有介電體粉3之半硬化樹脂來形成之介電層4,其特徵在於:係採用該介電層係由含有環氧樹脂、活性酯樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、硬化促進劑之樹脂組合物中分散含有介電體粉末成為半硬化狀態之介電體粉末含有樹脂層之印刷電路板製造用具有介電層之銅箔。
简体摘要：以提供为了形成使内层内核材的内层电路表面与介电层的密着性提高,且具备低介电正接(Dissipation Factor)之电容电路层之具有介电层之铜箔为目的。为达成此目的,为了以在基材树脂内配置埋设了使电路上面与基材表面位于略为同一平面的电路之具有埋设电路之印刷电路板的表面上贴合之为形成电容电路层之具有介电层之铜箔来达到上述目的,该具有介电层之铜箔1,系在铜箔2之单面上具备以含有介电体粉3之半硬化树脂来形成之介电层4,其特征在于:系采用该介电层系由含有环氧树脂、活性酯树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、硬化促进剂之树脂组合物中分散含有介电体粉末成为半硬化状态之介电体粉末含有树脂层之印刷电路板制造用具有介电层之铜箔。

116. 发明专利

TW200900520A SnO系濺鍍靶及濺鍍膜审中-公开
简体标题： SnO系溅镀靶及溅镀膜
公开(公告)号：TW200900520A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097111191
申请日：2008-03-28
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：森中泰三 MORINAKA, TAIZO
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B2235/3251 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C23C14/086
摘要：揭示著可得到一面減低濺鍍中的異常放電,一面即使沒有加熱處理也具有低膜電阻係數,而且其後的加熱處理的電阻係數變化小,耐熱性上優異的濺鍍膜的抗彎强度優異且實質上沒有凝聚相的SnO2系濺鍍靶。本發明的SnO2系濺鍍靶,是含有1.5至3.5質量%的Ta2O5,及0.25至2質量%的Nb2O5,及作為剩餘部分的SnO2及不可避免的雜質所成的燒結體所構成。
简体摘要：揭示着可得到一面减低溅镀中的异常放电,一面即使没有加热处理也具有低膜电阻系数,而且其后的加热处理的电阻系数变化小,耐热性上优异的溅镀膜的抗弯强度优异且实质上没有凝聚相的SnO2系溅镀靶。本发明的SnO2系溅镀靶,是含有1.5至3.5质量%的Ta2O5,及0.25至2质量%的Nb2O5,及作为剩余部分的SnO2及不可避免的杂质所成的烧结体所构成。

117. 发明专利

TWI302168B 濺鍍靶 SPUTTERING TARGET 有权
简体标题：溅镀靶 SPUTTERING TARGET
公开(公告)号：TWI302168B
公开(公告)日：2008-10-21
申请号：TW093124501
申请日：2004-08-16
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：尾野直紀 ONO, NAOKI
IPC分类号： C23C
摘要：本發明的課題在於提供可抑制球粒(Nodule)的產生而
顯著提升初期安定性,且可以低成本來製造之濺鍍靶。
本發明的解決手段係在由以氧化銦為主成分的氧化物
燒結體所組成的濺鍍靶當中,使上述氧化物燒結體的阿基
米德(Archimedes)密度AD(g/cm3)與由X射線繞射求得的晶
格常數(Lattice Constant)所算出的理論密度TD(g/cm3)
之間,滿足AD/TD>0.995的關係,且上述晶格常數為
1.01285nm以下,且上述氧化物燒結體的體電阻為1.5�10-4��‧
cm以上。
简体摘要：本发明的课题在于提供可抑制球粒(Nodule)的产生而显着提升初期安定性,且可以低成本来制造之溅镀靶。本发明的解决手段系在由以氧化铟为主成分的氧化物烧结体所组成的溅镀靶当中,使上述氧化物烧结体的阿基米德(Archimedes)密度AD(g/cm3)与由X射线绕射求得的晶格常数(Lattice Constant)所算出的理论密度TD(g/cm3) 之间,满足AD/TD>0.995的关系,且上述晶格常数为 1.01285nm以下,且上述氧化物烧结体的体电阻为1.5�10-4��‧ cm以上。

118. 发明专利

TW200837852A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200837852A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096125971
申请日：2007-07-17
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：田中泰正 TANAKA, YASUMASA , 八木輝明 YAGI, TERUAKI , 安井直哉 YASUI, NAOYA , 岩田紀明 IWATA, NORIAKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種使用了不需變更現行的接合條件即可確立具有可靠性之細間距ILB(內引線接合)的可撓性配線基材的半導體裝置及其製造方法。本發明之半導體裝置係在可撓性配線基材10裝設有由電子零件或配線基材所構成之安裝零件,該可撓性基材係具備:絕緣基材11;包含將形成於此絕緣基材11之一面之含銅導電體層予以圖案化的導電體圖案的配線圖案;以及覆蓋此配線圖案之至少除了端子部以外之表面的防焊劑層;前述配線圖案的端子部於前述導電體層21上施有鍍錫層,並且在各端子的間距大於20��m小於30��m,在該半導體裝置中:使前述端子部的各端子與前述安裝零件的凸塊接合而形成接合部,在該接合部中,前述端子的橫剖面是下邊側的寬度為12至15��m且上邊側的寬度為3至5��m的梯形,且利用共晶接合形成的合金是以填埋由前述端子之側面及前述安裝零件之凸塊之表面所形成的凹部之方式而存在者。
简体摘要：本发明提供一种使用了不需变更现行的接合条件即可确立具有可靠性之细间距ILB(内引线接合)的可挠性配线基材的半导体设备及其制造方法。本发明之半导体设备系在可挠性配线基材10装设有由电子零件或配线基材所构成之安装零件,该可挠性基材系具备:绝缘基材11;包含将形成于此绝缘基材11之一面之含铜导电体层予以图案化的导电体图案的配线图案;以及覆盖此配线图案之至少除了端子部以外之表面的防焊剂层;前述配线图案的端子部于前述导电体层21上施有镀锡层,并且在各端子的间距大于20��m小于30��m,在该半导体设备中:使前述端子部的各端子与前述安装零件的凸块接合而形成接合部,在该接合部中,前述端子的横剖面是下边侧的宽度为12至15��m且上边侧的宽度为3至5��m的梯形,且利用共晶接合形成的合金是以填埋由前述端子之侧面及前述安装零件之凸块之表面所形成的凹部之方式而存在者。

119. 发明专利

TW200837171A 紅色螢光體、紅色發光元件及裝置,以及白色發光元件及裝置 RED LIGHT FLUORESCENT SUBSTANCE, RED LIGHT LUMINESCENT ELEMENT AND DEVICE, AND WHITE LIGHT LUMINESCENT ELEMENT AND DEVICE 审中-公开
简体标题：红色萤光体、红色发光组件及设备,以及白色发光组件及设备 RED LIGHT FLUORESCENT SUBSTANCE, RED LIGHT LUMINESCENT ELEMENT AND DEVICE, AND WHITE LIGHT LUMINESCENT ELEMENT AND DEVICE
公开(公告)号：TW200837171A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW097102293
申请日：2008-01-22
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：伊東純一 ITOH, JUNICHI , 口誠 HIGUCHI, MAKOTO , 篠倉明日香 SASAKURA, ASUKA
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C09K11/7731 , H01L33/502 , Y02B20/181
摘要：本發明有關(Ca,Sr)S:Eu系紅色螢光體,而提供能更充分增高亮度之新穎紅色螢光體。詳言之,本發明提供一種紅色螢光體,係一般式:(Ca1-xSrx)S:Eu,In(在此,式中的x為0至1的數)所表示之紅色螢光體,其特徵為:按0.05至4.0莫耳%之方式含有In。於(Ca,Sr)S:Eu系紅色螢光體中,如調配In為0.05莫耳%以上,則可使該母體的缺陷所引起之發光峰値消失而獲得單峰性的非常强的紅色發光光譜,可顯著增高紅色發光强度及亮度。
简体摘要：本发明有关(Ca,Sr)S:Eu系红色萤光体,而提供能更充分增高亮度之新颖红色萤光体。详言之,本发明提供一种红色萤光体,系一般式:(Ca1-xSrx)S:Eu,In(在此,式中的x为0至1的数)所表示之红色萤光体,其特征为:按0.05至4.0莫耳%之方式含有In。于(Ca,Sr)S:Eu系红色萤光体中,如调配In为0.05莫耳%以上,则可使该母体的缺陷所引起之发光峰値消失而获得单峰性的非常强的红色发光光谱,可显着增高红色发光强度及亮度。

120. 发明专利

TW200836605A 多層印刷電路板用電容層形成材料以及電容層形成材料之製造方法审中-公开
简体标题：多层印刷电路板用电容层形成材料以及电容层形成材料之制造方法
公开(公告)号：TW200836605A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW096144495
申请日：2007-11-23
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：小澤行弘 , 杉岡晶子 , 阿部直彥 , 菅野明弘
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/162 , H01G2/06 , H01G4/008 , H01G4/33 , H05K3/384 , H05K3/388 , H05K2201/0355 , H05K2203/0315
摘要：包含於下部電極電路形成用導電層而以銅為主成分的電容層形成材,發揮良好且穩定的介電特性的產品為目的。為達成該目的,採用一種多層印刷電路板的內藏電容層形成用的電容層形成材料,在上部電極電路形成用導電層與下部電極電路形成用導電層之間具備介電層,其中上述下部電極電路形成用導電層為銅層,而且在與該介電層相向的面上具有亞鉛含有層。又,該電容層形成材的製造方法是在上部電極電路形成用導電層上設置亞鉛層,將其以氧化雰圍氣做熱處理,將亞鉛成分轉化成氧化亞鉛而得到下部電極電路形成用導電層,在該亞鉛含有層上形成介電層,在該介電層上形成上部電極電路形成用導電層。
简体摘要：包含于下部电极电路形成用导电层而以铜为主成分的电容层形成材,发挥良好且稳定的介电特性的产品为目的。为达成该目的,采用一种多层印刷电路板的内藏电容层形成用的电容层形成材料,在上部电极电路形成用导电层与下部电极电路形成用导电层之间具备介电层,其中上述下部电极电路形成用导电层为铜层,而且在与该介电层相向的面上具有亚铅含有层。又,该电容层形成材的制造方法是在上部电极电路形成用导电层上设置亚铅层,将其以氧化雰围气做热处理,将亚铅成分转化成氧化亚铅而得到下部电极电路形成用导电层,在该亚铅含有层上形成介电层,在该介电层上形成上部电极电路形成用导电层。

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