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101. 发明专利

TW201334379A 電晶體保護電路审中-公开
简体标题：晶体管保护电路
公开(公告)号：TW201334379A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101140411
申请日：2012-10-31
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 國立大學法人豐橋技術科學大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
发明人：藤川一洋 , FUJIKAWA, KAZUHIRO , 志賀信夫 , SHIGA, NOBUO , 大平孝 , OHIRA, TAKASHI , 和田和千 , WADA, KAZUYUKI , 烏仁圖雅 , WUREN, TUYA
IPC分类号： H02M1/34
CPC分类号： H02M1/08 , H02M1/32 , H03K17/0822 , H03K17/163 , H03K17/168 , H03K2217/0081
摘要： [問題]本發明之一目的係提供一種能夠甚至在一切換頻率係高時亦適當地保護一電晶體之電晶體保護電路。[解決手段]本發明提供一種能夠甚至在一切換頻率係高時亦適當地保護一電晶體之電晶體保護電路。一種根據本發明之一實施例之電晶體保護電路係一種用於保護一電壓驅動電晶體之電晶體保護電路，該電晶體係藉由由一驅動電路將一電源供應器之一高電位側電壓或低電位側電壓施加至該電晶體之一閘極端子而受開關控制。該電晶體保護電路具有在接收到執行保護該電晶體之一保護命令之後旋即逐漸降低該電源供應器之該高電位側電壓之一電源供應器控制器。
简体摘要： [问题]本发明之一目的系提供一种能够甚至在一切换频率系高时亦适当地保护一晶体管之晶体管保护电路。[解决手段]本发明提供一种能够甚至在一切换频率系高时亦适当地保护一晶体管之晶体管保护电路。一种根据本发明之一实施例之晶体管保护电路系一种用于保护一电压驱动晶体管之晶体管保护电路，该晶体管系借由由一驱动电路将一电源供应器之一高电位侧电压或低电位侧电压施加至该晶体管之一闸极端子而受开关控制。该晶体管保护电路具有在接收到运行保护该晶体管之一保护命令之后旋即逐渐降低该电源供应器之该高电位侧电压之一电源供应器控制器。

102. 发明专利

TWI405254B 第三族氮化物基板之製造方法失效
简体标题：第三族氮化物基板之制造方法
公开(公告)号：TWI405254B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW094147808
申请日：2005-12-30
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B27/06
CPC分类号： H01L21/02027 , B28D5/045 , C09G1/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/302 , H01L29/2003 , Y10T83/9292

103. 发明专利

TWI402863B 同軸線束失效
简体标题：同轴线束
公开(公告)号：TWI402863B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW099124244
申请日：2010-07-23
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：山崎信之 , YAMAZAKI, NOBUYUKI , 石元健輝 , ISHIMOTO, TAKEKI
IPC分类号： H01B9/04
CPC分类号： H01B11/203 , H01B7/0045 , H01B7/0892

104. 发明专利

TW201326932A 光纜审中-公开
简体标题：光缆
公开(公告)号：TW201326932A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101142695
申请日：2012-11-15
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：本間祐也 , HOMMA, YUYA , 阪部至 , SAKABE, ITARU , 相馬一之 , SOHMA, KAZUYUKI
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/44
CPC分类号： G02B6/4403 , G02B6/4401 , G02B6/4416 , G02B6/443
摘要：本發明之光纜具備光纖帶狀芯線、抗拉體及外殼。光纖帶狀芯線由複數個光纖並列配置並一體化而構成。以包圍該光纖帶狀芯線之方式設置有外殼。外殼係用於保護光纜者。於該外殼所包圍之內部空間內扭轉自如地配置有一個光纖帶狀芯線。
简体摘要：本发明之光缆具备光纤带状芯线、抗拉体及外壳。光纤带状芯线由复数个光纤并列配置并一体化而构成。以包围该光纤带状芯线之方式设置有外壳。外壳系用于保护光缆者。于该外壳所包围之内部空间内扭转自如地配置有一个光纤带状芯线。

105. 发明专利

TWI397576B 難燃性樹脂組成物及使用它之絕緣電線、絕緣保護電線、絕緣電纜與絕緣管有权
简体标题：难燃性树脂组成物及使用它之绝缘电线、绝缘保护电线、绝缘电缆与绝缘管
公开(公告)号：TWI397576B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW095142919
申请日：2006-11-21
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：森內清晃 , MORIUCHI, KIYOAKI , 早味宏 , HAYAMI, HIROSHI , 山崎智 , YAMAZAKI, SATOSHI , 八木澤丈 , YAGISAWA, JO
IPC分类号： C09K21/14 , C08L75/04 , C08L23/08 , C08L33/04 , H01B7/295
CPC分类号： C08L75/06 , C08K3/016 , C08K3/22 , C08L23/0853 , C08L31/04 , C08L51/06 , C08L75/08 , C08L2201/02 , C08L2203/202 , H01B3/302 , H01B3/441 , H01B3/448 , H01B7/295 , C08L2666/02 , C08L2666/20 , C08L2666/14 , C08L2666/04

106. 发明专利

TW201319653A 光纖审中-公开
简体标题：光纤
公开(公告)号：TW201319653A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101136380
申请日：2012-10-02
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：本間祐也 , HOMMA, YUYA , 相馬一之 , SOHMA, KAZUYUKI , 阪部至 , SAKABE, ITARU
IPC分类号： G02B6/44
CPC分类号： G02B6/02033 , G02B6/02038
摘要：本發明之光纖1包括：纖芯10，其包含玻璃；包層20，其包含具有較纖芯10之折射率低之折射率之樹脂，且覆蓋纖芯10之周圍；及保護層30，其包含紫外線硬化型樹脂，且覆蓋包層20之周圍。光纖1之數值孔徑NA為0.25~0.45。光纖1之彎曲剛度為1.5 N‧mm2以下。於將光纖1之數值孔徑NA設為Y，將光纖1之彎曲剛度設為X[N‧mm2]時，該等X、Y滿足Y＞-1.066X+0.503之關係式。
简体摘要：本发明之光纤1包括：纤芯10，其包含玻璃；包层20，其包含具有较纤芯10之折射率低之折射率之树脂，且覆盖纤芯10之周围；及保护层30，其包含紫外线硬化型树脂，且覆盖包层20之周围。光纤1之数值孔径NA为0.25~0.45。光纤1之弯曲刚度为1.5 N‧mm2以下。于将光纤1之数值孔径NA设为Y，将光纤1之弯曲刚度设为X[N‧mm2]时，该等X、Y满足Y＞-1.066X+0.503之关系式。

107. 发明专利

TWI391542B ＧａＮ結晶基板失效
简体标题：ＧａＮ结晶基板
公开(公告)号：TWI391542B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW096109143
申请日：2007-03-16
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤田俊介 , FUJITA, SHUNSUKE , 笠井仁 , KASAI, HITOSHI
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B29/406 , C30B33/00 , Y10S117/902

108. 发明专利

TW201315066A 製作ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法审中-公开
简体标题：制作ＩＩＩ族氮化物半导体激光组件之方法
公开(公告)号：TW201315066A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130531
申请日：2012-08-22
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：高木慎平 , TAKAGI, SHIMPEI
IPC分类号： H01S5/22 , H01L21/304
CPC分类号： H01S5/0202 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333
摘要：本發明係一種使用半極性面之III族氮化物半導體雷射元件之製作方法，其穩定地供給可降低振盪閾值電流之共振器鏡面。對第1區域ER1抵壓刀片5g，將第1區域ER1與包含於保護片材TF且接觸於第1區域ER1之部分一併壓入至支持構件H2與可動構件H1之間，直至第1區域ER1之端面EG1之半極性主面SF自第2區域ER2之半極性主面SF形成彎曲角THETA之傾斜為止，一面維持該狀態，一面於該狀態下，使用可動構件H1增加在包含於保護片材TF且接觸於第1區域ER1之部分產生之張力，於第1區域ER1產生與刀片5g被抵壓於第1區域ER1之方向為相反方向之作用。例如，角度ALPHA為71度~79度，且彎曲角THETA為11度~19度。
简体摘要：本发明系一种使用半极性面之III族氮化物半导体激光组件之制作方法，其稳定地供给可降低振荡阈值电流之共振器镜面。对第1区域ER1抵压刀片5g，将第1区域ER1与包含于保护片材TF且接触于第1区域ER1之部分一并压入至支持构件H2与可动构件H1之间，直至第1区域ER1之端面EG1之半极性主面SF自第2区域ER2之半极性主面SF形成弯曲角THETA之倾斜为止，一面维持该状态，一面于该状态下，使用可动构件H1增加在包含于保护片材TF且接触于第1区域ER1之部分产生之张力，于第1区域ER1产生与刀片5g被抵压于第1区域ER1之方向为相反方向之作用。例如，角度ALPHA为71度~79度，且弯曲角THETA为11度~19度。

109. 发明专利

TW201315065A 製作ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法审中-公开
简体标题：制作ＩＩＩ族氮化物半导体激光组件之方法
公开(公告)号：TW201315065A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130530
申请日：2012-08-22
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：高木慎平 , TAKAGI, SHIMPEI
IPC分类号： H01S5/22 , H01L21/304
CPC分类号： H01S5/0202 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/34333
摘要：本發明係一種使用半極性面之III族氮化物半導體雷射元件之製作方法，其穩定地供給可降低振盪閾值電流之共振器鏡面。使按壓方向PR與支持板H之正面Ha成正交之狀態後，於c-m面內自m軸朝向由按壓方向PR與a軸所規定之基準面Ab對支持板H施加角度THETA之傾斜，進而，以重疊於包含複數個刻劃標記5b中位於最端部之刻劃標記5b1與基板產物5之正面5a之交叉部P1且沿按壓方向PR延伸之面之方式進行刀片5g之定位。於角度ALPHA處於71度以上且79度以下之範圍與101度以上且109度以下之範圍之任一範圍內之情形時，由於角度THETA成為11度以上且19度以下之範圍，故而沿按壓方向PR延伸之基準面Ab係沿與c軸正交之c面延伸。
简体摘要：本发明系一种使用半极性面之III族氮化物半导体激光组件之制作方法，其稳定地供给可降低振荡阈值电流之共振器镜面。使按压方向PR与支持板H之正面Ha成正交之状态后，于c-m面内自m轴朝向由按压方向PR与a轴所规定之基准面Ab对支持板H施加角度THETA之倾斜，进而，以重叠于包含复数个刻划标记5b中位于最端部之刻划标记5b1与基板产物5之正面5a之交叉部P1且沿按压方向PR延伸之面之方式进行刀片5g之定位。于角度ALPHA处于71度以上且79度以下之范围与101度以上且109度以下之范围之任一范围内之情形时，由于角度THETA成为11度以上且19度以下之范围，故而沿按压方向PR延伸之基准面Ab系沿与c轴正交之c面延伸。

110. 发明专利

TWI387776B 風速雷達有权
简体标题：风速雷达
公开(公告)号：TWI387776B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW096102588
申请日：2007-01-24
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：今井克之 , IMAI, KATSUYUKI , 中川貴央 , NAKAGAWA, TAKAO
IPC分类号： G01W1/02
CPC分类号： G01S13/951 , H01Q15/08 , H01Q19/062 , H01Q25/007 , Y02A90/18

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