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91. 发明专利

TWI485811B 半導體結構的製造方法有权
简体标题：半导体结构的制造方法
公开(公告)号：TWI485811B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101125879
申请日：2012-07-18
申请人：鉅晶電子股份有限公司 , MAXCHIP ELECTRONICS CORP.
发明人：徐震球 , HSU, CHEN CHIU , 賴東明 , LAI, TUNG MING , 薛凱安 , HSUEH, KAI AN , 黃銘德 , HUANG, MING DE
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/11541 , H01L27/0629 , H01L27/11524 , H01L27/11543 , H01L28/20 , H01L28/40

92. 发明专利

TW201519412A 紙上的非揮發性記憶體及其製作方法审中-公开
简体标题：纸上的非挥发性内存及其制作方法
公开(公告)号：TW201519412A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102141001
申请日：2013-11-12
申请人：國立台灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：何志浩 , HE, JR HAU , 連德軒 , LIEN, DER HSIEN
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要：本發明揭露一種紙上的非揮發性記憶體及其製作方法。其中，紙上的非揮發性記憶體包含一基底紙、一下電極層、一主動層、以及一上電極層。其中該下電極層設置於該基底紙之上，該主動層設置於該下電極層之上，該上電極層設置於該主動層之上。
简体摘要：本发明揭露一种纸上的非挥发性内存及其制作方法。其中，纸上的非挥发性内存包含一基底纸、一下电极层、一主动层、以及一上电极层。其中该下电极层设置于该基底纸之上，该主动层设置于该下电极层之上，该上电极层设置于该主动层之上。

93. 发明专利

TW201519370A 非揮發性半導體儲存裝置审中-公开
简体标题：非挥发性半导体存储设备
公开(公告)号：TW201519370A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103106118
申请日：2014-02-24
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：永島賢史 , NAGASHIMA, SATOSHI , 山脇秀之 , YAMAWAKI, HIDEYUKI , 織田達廣 , ODA, TATSUHIRO , 福村達也 , FUKUMURA, TATSUYA
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11524 , H01L29/66825 , H01L29/7881
摘要：本發明係關於一種非揮發性半導體儲存裝置，其包含：一NAND串，其包含以一第一方向安置之記憶體單元，及鄰近於定位在該等記憶體單元之一端處之一第一記憶體單元之以第一方向安置之一選擇閘極。一第一間隙安置在該等記憶體單元之間，且一第二間隙安置在該第一記憶體單元與該選擇閘極之間。再者，在一橫截面形狀中，該第二間隙之一頂端高於一第一間隙之一頂端，且該第二間隙之一頂部係彎曲的。
简体摘要：本发明系关于一种非挥发性半导体存储设备，其包含：一NAND串，其包含以一第一方向安置之内存单元，及邻近于定位在该等内存单元之一端处之一第一内存单元之以第一方向安置之一选择闸极。一第一间隙安置在该等内存单元之间，且一第二间隙安置在该第一内存单元与该选择闸极之间。再者，在一横截面形状中，该第二间隙之一顶端高于一第一间隙之一顶端，且该第二间隙之一顶部系弯曲的。

94. 发明专利

TW201515239A 非揮發性記憶體結構审中-公开
简体标题：非挥发性内存结构
公开(公告)号：TW201515239A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103132501
申请日：2014-09-19
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE HSUN , 陳緯仁 , CHEN, WEI REN , 陳學威 , CHEN, HSUEN WEI , 曹沐瀠 , TSAO, MU YING , 陳英哲 , CHEN, YING JE
IPC分类号： H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11558 , G11C5/147 , G11C7/12 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/28 , G11C16/30 , H01L21/28273 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42328 , H01L29/4916
摘要：一種非揮發性記憶體結構，包含有一P型基底；一N型井，設於該P型基底中；以及一PMOS儲存電晶體，設於該N型井上。該PMOS儲存電晶體包含有一浮置閘極以及一輔助閘極，緊鄰著該浮置閘極的一側設置，其中該浮置閘極以及該輔助閘極共同位於該PMOS儲存電晶體的一浮置閘極通道上。該輔助閘極與該浮置閘極之間有一空隙，使得該輔助閘極與該浮置閘極至少在該浮置閘極通道正上方是彼此不相連、互相分隔開來。
简体摘要：一种非挥发性内存结构，包含有一P型基底；一N型井，设于该P型基底中；以及一PMOS存储晶体管，设于该N型井上。该PMOS存储晶体管包含有一浮置闸极以及一辅助闸极，紧邻着该浮置闸极的一侧设置，其中该浮置闸极以及该辅助闸极共同位于该PMOS存储晶体管的一浮置闸极信道上。该辅助闸极与该浮置闸极之间有一空隙，使得该辅助闸极与该浮置闸极至少在该浮置闸极信道正上方是彼此不相连、互相分隔开来。

95. 发明专利

TWI479609B 快閃記憶體之製作方法有权
简体标题：闪存之制作方法
公开(公告)号：TWI479609B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW099115911
申请日：2010-05-19
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：蔣汝平 , CHIANG, LU PING , 韋承宏 , WEI, CHENG HONG , 廖修漢 , LIAO, HSIU HAN , 廖振剛 , LIAO, CHENG KANG
IPC分类号： H01L21/8247

96. 发明专利

TWI478323B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI478323B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW097137135
申请日：2008-09-26
申请人：史班遜有限公司 , SPANSION LLC
发明人：丸山貴之 , MARUYAMA, TAKAYUKI , 井上文彥 , INOUE, FUMIHIKO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/115 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/42332 , H01L29/42348 , H01L29/7887 , H01L29/7923

97. 发明专利

TWI474443B 一次OTP可編程器件及用於利用雙FINFET一次可編程器件的方法有权
简体标题：一次OTP可编程器件及用于利用双FINFET一次可编程器件的方法
公开(公告)号：TWI474443B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101129535
申请日：2012-08-15
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：夏維 , XIA, WEI , 陳向東 , CHEN, XIANDONG
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/7855 , G11C11/34 , G11C17/12 , H01L23/5252 , H01L27/11206 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

98. 发明专利

TWI474384B 半導體元件的製造方法有权
简体标题：半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TWI474384B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101124962
申请日：2012-07-11
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：廖修漢 , LIAO, HSIU HAN , 蔣汝平 , CHIANG, LU PING , 謝榮源 , HSIEH, JUNG YUAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8247

99. 发明专利

TW201505129A 嵌入式記憶元件及其製造方法审中-公开
简体标题：嵌入式记忆组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201505129A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102126707
申请日：2013-07-25
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：廖修漢 , LIAO, HSIU HAN , 莊哲輔 , CHUANG, CHE FU
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
摘要：一種嵌入式記憶元件，包括閘極結構位於基底的晶胞區上。源極區與汲極區分別位於晶胞區的閘極結構的兩側的基底中。第一接觸窗插塞位於基底上，與源極區接觸。第二接觸窗插塞位於基底上，與汲極區接觸。第一接觸窗插塞的頂面高度低於第二接觸窗插塞的頂面高度。介電層在第一接觸窗插塞以及第二接觸窗插塞周圍，且介電層中具有凹陷，裸露出第一接觸窗插塞。填充層位於凹陷中。導體層位於基底上，導體層與第二接觸窗插塞接觸，且導體層藉由填充層與第一接觸窗電性隔絕。
简体摘要：一种嵌入式记忆组件，包括闸极结构位于基底的晶胞区上。源极区与汲极区分别位于晶胞区的闸极结构的两侧的基底中。第一接触窗插塞位于基底上，与源极区接触。第二接触窗插塞位于基底上，与汲极区接触。第一接触窗插塞的顶面高度低于第二接触窗插塞的顶面高度。介电层在第一接触窗插塞以及第二接触窗插塞周围，且介电层中具有凹陷，裸露出第一接触窗插塞。填充层位于凹陷中。导体层位于基底上，导体层与第二接触窗插塞接触，且导体层借由填充层与第一接触窗电性隔绝。

100. 发明专利

TWI469269B 嵌入式快閃記憶體之字元線的製造方法有权
简体标题：嵌入式闪存之字符线的制造方法
公开(公告)号：TWI469269B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW100142256
申请日：2011-11-18
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：倪志榮 , NI, CHIH JUNG , 楊長亮 , YANG, CHANG LIANG
IPC分类号： H01L21/8247

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