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91. 发明专利

TWI638051B 鎳粉末有权
简体标题：镍粉末
公开(公告)号：TWI638051B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW104108717
申请日：2015-03-19
申请人：東邦鈦股份有限公司 , TOHO TITANIUM CO., LTD.
发明人：六角廣介 , ROKKAKU, HIROSUKE , 淺井剛 , ASAI, TSUYOSHI
IPC分类号： C22C19/03 , B22F1/00 , H01B1/02 , H01G4/008 , H01G4/30

92. 发明专利

TW201835952A 積層陶瓷電容器及其製造方法审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容器及其制造方法
公开(公告)号：TW201835952A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107106108
申请日：2018-02-23
申请人：日商太陽誘電股份有限公司 , TAIYO YUDEN CO., LTD.
发明人：坂手大輔 , SAKATE, DAISUKE , 水野高太郎 , MIZUNO, KOTARO
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/228 , H01G4/12
摘要：本發明提供一種能夠不損害電容及燒結性地獲得較高之可靠性之積層陶瓷電容器。本發明之積層陶瓷電容器具備積層部、側邊緣部、及接合部。上述積層部具有：複數個陶瓷層，其等於第1方向上積層；及複數個內部電極，其等配置於上述複數個陶瓷層之間，且以鎳為主成分。上述側邊緣部自與上述第1方向正交之第2方向覆蓋上述積層部。上述接合部配置於上述積層部與上述側邊緣部之間，且鎂濃度高於上述複數個陶瓷層及上述側邊緣部。
简体摘要：本发明提供一种能够不损害电容及烧结性地获得较高之可靠性之积层陶瓷电容器。本发明之积层陶瓷电容器具备积层部、侧边缘部、及接合部。上述积层部具有：复数个陶瓷层，其等于第1方向上积层；及复数个内部电极，其等配置于上述复数个陶瓷层之间，且以镍为主成分。上述侧边缘部自与上述第1方向正交之第2方向覆盖上述积层部。上述接合部配置于上述积层部与上述侧边缘部之间，且镁浓度高于上述复数个陶瓷层及上述侧边缘部。

93. 发明专利

TW201821387A 介電體磁器組成物及陶瓷電子零件审中-公开
简体标题：介电体磁器组成物及陶瓷电子零件
公开(公告)号：TW201821387A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106135339
申请日：2017-10-16
申请人：日商昭榮化學工業股份有限公司 , SHOEI CHEMICAL INC.
发明人：野村武史 , NOMURA, TAKESHI , 根本淳史 , NEMOTO, ATSUSHI , 佐佐木紫 , SASAKI, YUKARI , 竹本和彥 , TAKEMOTO, KAZUHIKO , 木下菜緒美 , KINOSHITA, NAOMI , 高橋由美 , TAKAHASHI, YUMI
IPC分类号： C04B35/00 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要：本發明係一種介電體磁器組成物，其特徵在於：包含第一成分與第二成分，第一成分包含相對於氧化物換算之第一成分之合計mol數之含有比率為0~35.85mol%的Ca之氧化物、0~47.12mol%之Sr之氧化物、0~51.22mol%之Ba之氧化物、0~17.36mol%之Ti之氧化物、0~17.36mol%之Zr之氧化物、0~2.60mol%之Sn之氧化物、0~35.32mol%之Nb之氧化物、0~35.32mol%之Ta之氧化物、0~2.65mol%之V之氧化物，該第一成分含有選自Ca之氧化物、Sr之氧化物及Ba之氧化物中之至少1種、選自Ti之氧化物及Zr之氧化物中之至少1種、及選自Nb之氧化物及Ta之氧化物中之至少1種作為必須成分，且相對於氧化物換算之第一成分之合計mol數，CaO換算之Ca之氧化物、SrO換算之Sr之氧化物及BaO換算之Ba之氧化物的合計之含有比率為48.72~51.22mol%，TiO2換算之Ti之氧化物、ZrO2換算之Zr氧化物及SnO2換算之Sn之氧化物的合計之含有比率為15.97~17.36mol%，Nb2O5換算之Nb之氧化物、Ta2O5換算之Ta氧化物及V2O5換算之V之氧化物的合計之含有比率為31.42~35.31mol%，且該介電體磁器組成物至少含有Mn之氧化物作為第二成分。根據本發明，可提供一種能夠於還原氛圍下燒成，相對介電常數較高，於用作積層陶瓷電容器等陶瓷電子零件之介電體層之情形時，即便在150~200℃之條件下靜電電容之變化亦較少，且25℃及200℃下之介電損失較小之介電體磁器組成物。
简体摘要：本发明系一种介电体磁器组成物，其特征在于：包含第一成分与第二成分，第一成分包含相对于氧化物换算之第一成分之合计mol数之含有比率为0~35.85mol%的Ca之氧化物、0~47.12mol%之Sr之氧化物、0~51.22mol%之Ba之氧化物、0~17.36mol%之Ti之氧化物、0~17.36mol%之Zr之氧化物、0~2.60mol%之Sn之氧化物、0~35.32mol%之Nb之氧化物、0~35.32mol%之Ta之氧化物、0~2.65mol%之V之氧化物，该第一成分含有选自Ca之氧化物、Sr之氧化物及Ba之氧化物中之至少1种、选自Ti之氧化物及Zr之氧化物中之至少1种、及选自Nb之氧化物及Ta之氧化物中之至少1种作为必须成分，且相对于氧化物换算之第一成分之合计mol数，CaO换算之Ca之氧化物、SrO换算之Sr之氧化物及BaO换算之Ba之氧化物的合计之含有比率为48.72~51.22mol%，TiO2换算之Ti之氧化物、ZrO2换算之Zr氧化物及SnO2换算之Sn之氧化物的合计之含有比率为15.97~17.36mol%，Nb2O5换算之Nb之氧化物、Ta2O5换算之Ta氧化物及V2O5换算之V之氧化物的合计之含有比率为31.42~35.31mol%，且该介电体磁器组成物至少含有Mn之氧化物作为第二成分。根据本发明，可提供一种能够于还原氛围下烧成，相对介电常数较高，于用作积层陶瓷电容器等陶瓷电子零件之介电体层之情形时，即便在150~200℃之条件下静电电容之变化亦较少，且25℃及200℃下之介电损失较小之介电体磁器组成物。

94. 发明专利

TWI625747B 積層陶瓷電子元件之製造方法及其裝置有权
简体标题：积层陶瓷电子组件之制造方法及其设备
公开(公告)号：TWI625747B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW104100525
申请日：2015-01-08
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：孫思隆 , SUN, SZU LUNG , 黃泓謀 , HUANG, HUNG MOU , 凌溢駿 , LING, I CHUN
IPC分类号： H01G4/228 , H01G4/30 , H01G4/12

95. 发明专利

TW201816809A 積層陶瓷電容审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容
公开(公告)号：TW201816809A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106123337
申请日：2017-07-12
申请人：太陽誘電股份有限公司 , TAIYO YUDEN CO., LTD.
发明人：佐藤壮 , SATO, SO , 飯島淑明 , IIJIMA, YOSHIAKI , 笹木隆 , SASAKI, TAKASHI
IPC分类号： H01G4/232 , H01G4/30
摘要：本發明係提供一種即便於電容本體於其至少高度方向一面具有將各外部電極之環繞部之間覆蓋之介電層之情形時，亦可減小因各外部電極之環繞部與介電層之間之間隙導致耐濕性下降之擔憂之積層陶瓷電容。積層陶瓷電容10具有輔助介電層11d，該輔助介電層11d係以與該第1基底導體膜11c各者之間空出間隙CL之方式覆蓋電容元件11'之高度方向兩面各自之2個第1基底導體膜11c之間。各外部電極12及13具有第2基底導體膜12a及13a、及表面導體膜12b及13b，且各表面導體膜12b及13b之環繞部位12b1及13b1具有嵌入至上述間隙CL之插入部12b2及13b2。
简体摘要：本发明系提供一种即便于电容本体于其至少高度方向一面具有将各外部电极之环绕部之间覆盖之介电层之情形时，亦可减小因各外部电极之环绕部与介电层之间之间隙导致耐湿性下降之担忧之积层陶瓷电容。积层陶瓷电容10具有辅助介电层11d，该辅助介电层11d系以与该第1基底导体膜11c各者之间空出间隙CL之方式覆盖电容组件11'之高度方向两面各自之2个第1基底导体膜11c之间。各外部电极12及13具有第2基底导体膜12a及13a、及表面导体膜12b及13b，且各表面导体膜12b及13b之环绕部位12b1及13b1具有嵌入至上述间隙CL之插入部12b2及13b2。

96. 发明专利

TWI621143B 薄膜電容器及其製作方法有权
简体标题：薄膜电容器及其制作方法
公开(公告)号：TWI621143B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW105125433
申请日：2016-08-10
申请人：鈺邦科技股份有限公司 , APAQ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：錢明谷 , CHIEN, MING GOO , 鄭敦仁 , CHENG, DUEN JEN
IPC分类号： H01G4/30
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/005 , H01G4/018 , H01G4/248 , H01G13/006

97. 实用新型

TWM556917U 具電感的電容器有权
简体标题：具电感的电容器
公开(公告)号：TWM556917U
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW106216848
申请日：2017-11-13
申请人：盛昌科技有限公司
发明人：蘇文通
IPC分类号： H01G4/30

98. 发明专利

TW201805954A 導電性糊、電子零件及積層陶瓷電容器审中-公开
简体标题：导电性煳、电子零件及积层陶瓷电容器
公开(公告)号：TW201805954A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106106596
申请日：2017-03-01
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：中家香織 , NAKAIE, KAORI
IPC分类号： H01B1/22 , H01G4/232 , H01G4/30
CPC分类号： H01B1/22 , H01G4/232 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種接著強度極為優異之導電性糊等。本發明所提供之導電性糊等係包含導電性粉末、陶瓷粉末、分散劑、黏合劑樹脂及有機溶劑之導電性糊，分散劑係包含分子量500以下之酸系分散劑，酸系分散劑係具有含1個以上之分支鏈的分支烴基。
简体摘要：本发明提供一种接着强度极为优异之导电性煳等。本发明所提供之导电性煳等系包含导电性粉末、陶瓷粉末、分散剂、黏合剂树脂及有机溶剂之导电性煳，分散剂系包含分子量500以下之酸系分散剂，酸系分散剂系具有含1个以上之分支链的分支烃基。

99. 发明专利

TW201804488A 新型電容器封裝結構审中-公开
简体标题：新型电容器封装结构
公开(公告)号：TW201804488A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105124098
申请日：2016-07-29
申请人：鈺邦科技股份有限公司 , APAQ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：錢明谷 , CHIEN, MING GOO , 陳明宗 , CHEN, MING TSUNG , 林清封 , LIN, CHING FENG
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/33 , H01G9/00
CPC分类号： H01G4/306 , H01G4/008 , H01G4/14 , H01G4/224 , H01G4/228 , H01G4/33
摘要：本發明公開一種新型電容器封裝結構，其包括一積層薄膜電容器、一封裝單元、一第一引出端子及一第二引出端子，積層薄膜電容器包括兩個端電極及一設置於兩個端電極之間的積層體，其中積層體為多個金屬層及多個介電層交互堆疊而成，封裝單元包覆積層薄膜電容器，第一引出端子及第二引出端子分別與積層薄膜電容器的兩個端電極電性連接。
简体摘要：本发明公开一种新型电容器封装结构，其包括一积层薄膜电容器、一封装单元、一第一引出端子及一第二引出端子，积层薄膜电容器包括两个端电极及一设置于两个端电极之间的积层体，其中积层体为多个金属层及多个介电层交互堆栈而成，封装单元包覆积层薄膜电容器，第一引出端子及第二引出端子分别与积层薄膜电容器的两个端电极电性连接。

100. 发明专利

TWI598906B 多層陶瓷電容器及用來安裝該陶瓷電容器的板件有权
简体标题：多层陶瓷电容器及用来安装该陶瓷电容器的板件
公开(公告)号：TWI598906B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW104116405
申请日：2013-03-12
申请人：三星電機股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：朴珉哲 , PARK, MIN CHEOL , 朴祥秀 , PARK, SANG SOO , 安永圭 , AHN, YOUNG GHYU , 李炳華 , LEE, BYOUNG HWA
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30 , H05K1/18
CPC分类号： H01G4/12 , H01G2/06 , H01G4/012 , H05K1/181 , H05K3/3442 , H05K2201/10015 , H05K2201/10636 , H05K2201/2045 , Y02P70/611

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