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91. 发明专利

TWI415963B 成膜用材料及成膜用材料的推定方法失效
公开(公告)号：TWI415963B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW095132866
申请日：2006-09-06
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 中山尚三 , NAKAYAMA, SHOZO , 伊藤日藝 , ITO, HIRONORI
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/448 , C23C16/52 , H01L21/205 , H05B33/10
CPC分类号： C23C16/44 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/243 , C23C14/56 , C23C14/562 , H01L51/0008 , H01L51/56

92. 发明专利

TWI411009B 電介質膜及其形成方法失效
简体标题：电介质膜及其形成方法
公开(公告)号：TWI411009B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW095103702
申请日：2006-02-03
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA , 河瀨和雅 , KAWASE, KAZUMASA
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L29/518 , Y10T428/265

93. 发明专利

TWI397153B 半導體記憶裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI397153B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW094134323
申请日：2005-09-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/792 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L29/513

94. 发明专利

TWI391998B 頂板及利用此頂板之電漿處理裝置失效
简体标题：顶板及利用此顶板之等离子处理设备
公开(公告)号：TWI391998B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW097132658
申请日：2008-08-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA , 大見忠弘 , OHMI, TEDAHIRO , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA , 桶作正廣 , OKESAKU, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/455 , C23C16/511
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T83/0481

95. 发明专利

TW201251005A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201251005A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101102887
申请日：2012-01-30
申请人：國立大學法人東北大學 , 下一代動力設備技術研究組合 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：寺本章伸 , 神林宏 , 上田博一 , 兩角友一朗 , 原田豪繁 , 長谷部一秀 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02274 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/0254 , H01L21/28264 , H01L23/564 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明旨在提供一種半導體裝置之製造方法,該半導體裝置具有構成半導體層之GaN(氮化鎵),其中,該半導體裝置之製造方法包含閘絕緣膜形成程序(F),該閘絕緣膜形成程序在具有GaN之氮化物層上,使用微波電漿,形成SiO2膜及Al2O3膜所構成之群組中至少一者,以形成之膜作為閘絕緣膜至少一部分。
简体摘要：本发明旨在提供一种半导体设备之制造方法,该半导体设备具有构成半导体层之GaN(氮化镓),其中,该半导体设备之制造方法包含闸绝缘膜形成进程(F),该闸绝缘膜形成进程在具有GaN之氮化物层上,使用微波等离子,形成SiO2膜及Al2O3膜所构成之群组中至少一者,以形成之膜作为闸绝缘膜至少一部分。

96. 发明专利

TWI367130B 膜塗布裝置及膜塗布方法 FILM COATING APPARATUS AND FILM COATING METHOD 失效
简体标题：膜涂布设备及膜涂布方法 FILM COATING APPARATUS AND FILM COATING METHOD
公开(公告)号：TWI367130B
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW096136251
申请日：2007-09-28
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
IPC分类号： B05B , B05C
CPC分类号： G11B7/266 , B05D1/002 , G11B5/842
摘要：本發明係一種膜塗布裝置，包含：塗布容器，用以將被塗布基板導入內部，對此基板進行膜塗布；塗布液容器，用以保存塗布液；及液體輸送系統，將塗布液自該塗布液容器輸送至該塗布容器；其中具有一機構，可抑制經塗布之膜內含有氧及水分其中至少一者。
简体摘要：本发明系一种膜涂布设备，包含：涂布容器，用以将被涂布基板导入内部，对此基板进行膜涂布；涂布液容器，用以保存涂布液；及液体输送系统，将涂布液自该涂布液容器输送至该涂布容器；其中具有一机构，可抑制经涂布之膜内含有氧及水分其中至少一者。

97. 发明专利

TW201224197A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201224197A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100124857
申请日：2011-07-14
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： C23C , H05H , H01L
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , H01J37/32082 , H01J37/32229 , H01J37/32541
摘要：本發明提供一種可激發均勻的電漿之電漿處理裝置。該電漿處理裝置具備有：於內部載置被處理體之真空容器；具有2個電極部，而於真空容器內部設有間隙所加以配列之複數電極對；以及，將電漿激發用電磁波供應至真空容器內部之傳送路徑。其中複數電極對係分別具有形成於2個電極部間，且連接於該傳送路徑，而朝向電漿空間具有狹縫狀開口之導波管；與插入至導波管，而露出於該電漿空間之介電體板。從傳送路徑所供應之電磁波係在導波管傳輸後，從介電體板的電漿露出面放出至真空容器內而激發電漿。
简体摘要：本发明提供一种可激发均匀的等离子之等离子处理设备。该等离子处理设备具备有：于内部载置被处理体之真空容器；具有2个电极部，而于真空容器内部设有间隙所加以配列之复数电极对；以及，将等离子激发用电磁波供应至真空容器内部之发送路径。其中复数电极对系分别具有形成于2个电极部间，且连接于该发送路径，而朝向等离子空间具有狭缝状开口之导波管；与插入至导波管，而露出于该等离子空间之介电体板。从发送路径所供应之电磁波系在导波管传输后，从介电体板的等离子露出面放出至真空容器内而激发等离子。

98. 发明专利

TWI353630B 簇射板及使用該板之電漿處理裝置，電漿處理方法及電子裝置之製造方法失效
简体标题：簇射板及使用该板之等离子处理设备，等离子处理方法及电子设备之制造方法
公开(公告)号：TWI353630B
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW096121393
申请日：2007-06-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：桶作正廣 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244
摘要：本發明係提供一種不須蓋板之簇射板。在配置於電漿處理裝置之處理室102，並供於處理室102產生電漿而放出電漿激發用氣體的簇射板105中，以簇射板105為一體物，於此簇射板105設有自電漿處理裝置之氣體導入口110導入電漿激發用氣體的橫孔111，以及連通此橫孔111的縱孔112。
简体摘要：本发明系提供一种不须盖板之簇射板。在配置于等离子处理设备之处理室102，并供于处理室102产生等离子而放出等离子激发用气体的簇射板105中，以簇射板105为一体物，于此簇射板105设有自等离子处理设备之气体导入口110导入等离子激发用气体的横孔111，以及连通此横孔111的纵孔112。

99. 发明专利

TW201140795A 層間絕緣膜及配線構造與此等之製造方法 INTERLAYER INSULATION FILM AND WIRING STRUCTURE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 失效
简体标题：层间绝缘膜及配线构造与此等之制造方法 INTERLAYER INSULATION FILM AND WIRING STRUCTURE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW201140795A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100117287
申请日：2006-06-20
申请人：國立大學法人東北大學 , 財團法人國際科學振興財團
发明人：大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49894 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02329 , H01L21/0234 , H01L21/02362 , H01L21/3127 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種低介電常數且不產生CFx、SiF4等氣體之安定之半導體裝置的層間絕緣膜及具有該等層間絕緣膜之配線構造。於具有形成在底層上之絕緣膜的層間絕緣膜，前述層間絕緣膜的有效介電常數為3以下。配線構造具有：層間絕緣膜；形成於層間絕緣膜之接觸孔；以及充填於前述接觸孔內之金屬；並且前述絕緣膜具有：形成於前述底層上之表面氮化之氟化碳膜。
简体摘要：一种低介电常数且不产生CFx、SiF4等气体之安定之半导体设备的层间绝缘膜及具有该等层间绝缘膜之配线构造。于具有形成在底层上之绝缘膜的层间绝缘膜，前述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。配线构造具有：层间绝缘膜；形成于层间绝缘膜之接触孔；以及充填于前述接触孔内之金属；并且前述绝缘膜具有：形成于前述底层上之表面氮化之氟化碳膜。

100. 发明专利

TW201131007A 基板處理裝置、演算控制機構、排氣閥及壓力控制方法审中-公开
简体标题：基板处理设备、演算控制机构、排气阀及压力控制方法
公开(公告)号：TW201131007A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099127508
申请日：2010-08-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：田中宏治 , 井之口敦智 , 白井泰雪 , 大見忠弘
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/67253
摘要：本發明係提供一種於連續地進行複數種處理製程(process)之基板處理裝置中，可對應於處理室內之處理氣體流量或處理氣體壓力之大幅度變動而於短時間內連續地進行可反饋式壓力控制的演算控制機構、排氣閥以及壓力控制方法，並提供一種具備該演算控制機構的基板處理裝置。其係提供一種於供給有處理氣體之減壓狀態處理室內進行複數種處理製程的基板處理裝置，具備有：處理氣體供給機構，係將處理氣體供給至處理室；排氣機構，係對處理室內部進行排氣；排氣閥，係調節排氣機構之排氣量；以及演算控制機構，係具有複數個計算複數種處理製程各自之最佳處理氣體壓力用的演算表，且根據演算表來控制排氣閥之開關度。
简体摘要：本发明系提供一种于连续地进行复数种处理制程(process)之基板处理设备中，可对应于处理室内之处理气体流量或处理气体压力之大幅度变动而于短时间内连续地进行可反馈式压力控制的演算控制机构、排气阀以及压力控制方法，并提供一种具备该演算控制机构的基板处理设备。其系提供一种于供给有处理气体之减压状态处理室内进行复数种处理制程的基板处理设备，具备有：处理气体供给机构，系将处理气体供给至处理室；排气机构，系对处理室内部进行排气；排气阀，系调节排气机构之排气量；以及演算控制机构，系具有复数个计算复数种处理制程各自之最佳处理气体压力用的演算表，且根据演算表来控制排气阀之开关度。

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