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1. 发明专利

TW201700615A 低折射率膜形成用液體組成物审中-公开
简体标题：低折射率膜形成用液体组成物
公开(公告)号：TW201700615A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105101736
申请日：2016-01-20
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：日向野怜子 , HIGANO, SATOKO , 山崎和彦 , YAMASAKI, KAZUHIKO , 米澤岳洋 , YONEZAWA, TAKEHIRO
IPC分类号： C08L83/02 , C08K5/06 , C08K3/36 , C09D183/02 , C09D7/12 , C09D5/00 , C08J5/18 , B32B7/02 , B32B27/00 , G02B1/111
摘要：本發明提供一種低折射率膜形成用液組成物，其係混合藉由對作為矽烷氧化物的四甲氧矽烷或四乙氧矽烷之醇溶液添加水與硝酸之混合物並攪拌而製得之矽烷氧化物之水解物與液體介質中分散串珠狀膠體二氧化矽粒子後之矽溶膠，進一步混合有機溶劑之乙二醇醚而製備。前述乙二醇醚具有140℃以上160℃以下之閃點的溶劑。
简体摘要：本发明提供一种低折射率膜形成用液组成物，其系混合借由对作为硅烷氧化物的四甲氧硅烷或四乙氧硅烷之醇溶液添加水与硝酸之混合物并搅拌而制得之硅烷氧化物之水解物与液体介质中分散串珠状胶体二氧化硅粒子后之硅溶胶，进一步混合有机溶剂之乙二醇醚而制备。前述乙二醇醚具有140℃以上160℃以下之闪点的溶剂。

2. 发明专利

TWI428282B 金屬氧化物複合溶膠，塗佈組成物及光學構件失效
简体标题：金属氧化物复合溶胶，涂布组成物及光学构件
公开(公告)号：TWI428282B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW097138214
申请日：2008-10-03
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：小山欣也 , KOYAMA, YOSHINARI , 淺田根子 , ASADA, MOTOKO
IPC分类号： C01G41/00 , C01G25/00 , C01G23/00 , C01G19/00 , B01J13/02 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D7/12 , G02B1/10
CPC分类号： G02B1/14 , B82Y30/00 , C01G25/006 , C01G30/005 , C01G41/006 , C01G41/02 , C01P2002/50 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/10 , C01P2006/22 , C01P2006/60 , C01P2006/82 , C09C1/0081 , G02B1/105 , G02B1/11 , Y10T428/2982

3. 发明专利

TWI404777B 被膜形成用塗佈液、其製造方法、其被膜、及防反射材料有权
简体标题：被膜形成用涂布液、其制造方法、其被膜、及防反射材料
公开(公告)号：TWI404777B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW096107850
申请日：2007-03-07
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：谷好浩 , TANI, YOSHIHIRO , 元山賢一 , MOTOYAMA, KENICHI
IPC分类号： C09D183/08 , B05D5/06 , B05D7/24 , C08J7/04 , C09D5/00 , C09D183/02 , G02B1/11
CPC分类号： G02B1/111 , C08K5/17 , C09D183/08 , G02B1/105 , G02B1/14 , C08L83/00

4. 发明专利

TWI701456B 低反射塗層、玻璃板、玻璃基板、及光電轉換裝置有权
简体标题：低反射涂层、玻璃板、玻璃基板、及光电转换设备
公开(公告)号：TWI701456B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW104132075
申请日：2015-09-30
申请人：日商日本板硝子股份有限公司 , NIPPON SHEET GLASS CO., LTD.
发明人：小用瑞穗 , KOYO, MIZUHO , 河津光宏 , KAWAZU, MITSUHIRO
IPC分类号： G02B1/111 , B32B5/16 , B32B9/00 , C03C17/25 , C03C17/34 , C09D7/40 , C09D183/02 , C09D183/04 , G02B1/18 , H01L31/0392

5. 发明专利

TWI684616B 含觸媒金屬之矽寡聚物、其製造方法以及含觸媒金屬之矽寡聚物之用途有权
简体标题：含触媒金属之硅寡聚物、其制造方法以及含触媒金属之硅寡聚物之用途
公开(公告)号：TWI684616B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW104124915
申请日：2015-07-31
申请人：日商傑希優股份有限公司 , JCU CORPORATION
发明人：佐土原大祐 , SADOHARA, DAISUKE , 西川賢一 , NISHIKAWA, KENICHI , 根道靖丈 , NEMICHI, YASUTAKE , 下田勝己 , SHIMODA, KATSUMI , 泉谷美代子 , IZUMITANI, MIYOKO
IPC分类号： C08G77/02 , C08G79/00 , C09D183/02 , C09D185/00 , C09D5/00 , C23C18/30

6. 发明专利

TWI433816B 改性金屬氧化物複合溶膠，塗覆組成物及光學構件失效
简体标题：改性金属氧化物复合溶胶，涂覆组成物及光学构件
公开(公告)号：TWI433816B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW097138212
申请日：2008-10-03
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：小山欣也 , KOYAMA, YOSHINARI , 淺田根子 , ASADA, MOTOKO
IPC分类号： C01G41/00 , C01G25/00 , C01G23/00 , C01G19/00 , B01J13/02 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D7/12 , G02B1/10
CPC分类号： C01G41/006 , B82Y30/00 , C01G25/006 , C01G30/005 , C01G41/02 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/10 , C01P2006/22 , C01P2006/60 , C01P2006/82 , C09C1/0081

7. 发明专利

TWI389993B 半導體加工用保護膜形成用之塗佈液、其調製方法、及藉此所得到之半導體加工用保護膜有权
简体标题：半导体加工用保护膜形成用之涂布液、其调制方法、及借此所得到之半导体加工用保护膜
公开(公告)号：TWI389993B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW094135583
申请日：2005-10-12
申请人：日揮觸媒化成股份有限公司 , JGC CATALYSTS AND CHEMICALS LTD.
发明人：江上美紀 , EGAMI MIKI , 荒尾弘樹 , ARAO, HIROKI , 中島昭 , AKIRA NAKASHIMA , 小松通郎 , MICHIO KOMATSU
IPC分类号： C09D5/25 , C09D183/04 , C09D183/02 , C01B33/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02126 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02351 , H01L21/3121 , Y10T428/249953

8. 发明专利

TW201808811A 被膜形成用組成物及其製造方法审中-公开
简体标题：被膜形成用组成物及其制造方法
公开(公告)号：TW201808811A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106110879
申请日：2017-03-30
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：加藤拓 , KATO, TAKU , 鈴木正睦 , SUZUKI, MASAYOSHI , 村上奈子美 , MURAKAMI, NATSUMI , 飯島大貴 , IIJIMA, DAIKI , 古川智規 , FURUKAWA, TOMOKI , 小山欣也 , KOYAMA, YOSHINARI
IPC分类号： C01G23/04 , C01G23/047 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D185/00 , G02B1/10 , G02B3/00
CPC分类号： C01G23/04 , C01G23/047 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D185/00 , G02B1/10 , G02B3/00
摘要：本發明的課題為提供一種耐熱性及透明性高，可邊表現高折射率，邊厚膜化，且被膜形成用組成物的保存安定性優異之被膜形成用組成物與其製造方法。本發明的解決手段係藉由被膜形成用組成物所致，其係包含下述之(A)成分與(B)成分，(A)成分：以下述式(1)表示之至少1種水解性矽烷的水解縮合物【化1】R2aSi(OR1)4-a 式(1)(式中，R1為碳原子數1~6之烷基，R2為碳原子數1~18之烷基或碳原子數6~18之芳基，a為0~3之整數)、及(B)成分：將具有2~60nm之一次粒徑的金屬氧化物膠體粒子(B1)作為核心，於將其表面以被覆物(B2)被覆之具有2~100nm之一次粒徑的改質金屬氧化物膠體粒子(B3)的表面，鍵結雙親性(Amphiphilic)之有機矽化合物的無機微粒子，該被覆物(B2)係由具有1~4nm之一次粒徑的金屬氧化物膠體粒子所構成，該雙親性(Amphiphilic)之有機矽化合物係具有作為親水性基之選自聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚氧丁烯基中之1種以上的聚(氧伸烷)基、與作為疏水性基之選自碳原子數1~18之伸烷基或亞乙烯基中之1種以上的基。
简体摘要：本发明的课题为提供一种耐热性及透明性高，可边表现高折射率，边厚膜化，且被膜形成用组成物的保存安定性优异之被膜形成用组成物与其制造方法。本发明的解决手段系借由被膜形成用组成物所致，其系包含下述之(A)成分与(B)成分，(A)成分：以下述式(1)表示之至少1种水解性硅烷的水解缩合物【化1】R2aSi(OR1)4-a 式(1)(式中，R1为碳原子数1~6之烷基，R2为碳原子数1~18之烷基或碳原子数6~18之芳基，a为0~3之整数)、及(B)成分：将具有2~60nm之一次粒径的金属氧化物胶体粒子(B1)作为内核，于将其表面以被覆物(B2)被覆之具有2~100nm之一次粒径的改质金属氧化物胶体粒子(B3)的表面，键结双亲性(Amphiphilic)之有机硅化合物的无机微粒子，该被覆物(B2)系由具有1~4nm之一次粒径的金属氧化物胶体粒子所构成，该双亲性(Amphiphilic)之有机硅化合物系具有作为亲水性基之选自聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚氧丁烯基中之1种以上的聚(氧伸烷)基、与作为疏水性基之选自碳原子数1~18之伸烷基或亚乙烯基中之1种以上的基。

9. 发明专利

TW201625986A 低反射塗層、玻璃板、玻璃基板、及光電轉換裝置审中-公开
简体标题：低反射涂层、玻璃板、玻璃基板、及光电转换设备
公开(公告)号：TW201625986A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104132075
申请日：2015-09-30
申请人：日本板硝子股份有限公司 , NIPPON SHEET GLASS CO., LTD.
发明人：小用瑞穗 , KOYO, MIZUHO , 河津光宏 , KAWAZU, MITSUHIRO
IPC分类号： G02B1/111 , B32B5/16 , B32B9/00 , C03C17/25 , C03C17/34 , C09D7/12 , C09D183/02 , C09D183/04 , G02B1/18 , H01L31/0392
CPC分类号： H01L31/02168 , B32B5/16 , B32B9/00 , C03C17/007 , C03C17/3417 , C03C2217/211 , C03C2217/213 , C03C2217/241 , C03C2217/732 , C03C2217/94 , C03C2218/11 , C03C2218/32 , C09D7/40 , C09D183/02 , C09D183/04 , G02B1/111 , G02B1/18 , H01L31/0392 , H01L31/048
摘要：本發明之低反射塗層可被施加於基板之主表面之至少一面。低反射塗層係將平均粒徑為80~600nm之實心之球狀二氧化矽微粒子藉由含二氧化矽作為主成分且含有疏水基之黏合劑固定而成的具有膜厚80~800nm之多孔質膜。又，以質量%表示，低反射塗層含有：二氧化矽微粒子35~70%、黏合劑中所含之二氧化矽25~64%、及黏合劑中之疏水基0.2~10%。藉由將低反射塗層施加於基板而獲得之透光率增益為1.5%以上。
简体摘要：本发明之低反射涂层可被施加于基板之主表面之至少一面。低反射涂层系将平均粒径为80~600nm之实心之球状二氧化硅微粒子借由含二氧化硅作为主成分且含有疏水基之黏合剂固定而成的具有膜厚80~800nm之多孔质膜。又，以质量%表示，低反射涂层含有：二氧化硅微粒子35~70%、黏合剂中所含之二氧化硅25~64%、及黏合剂中之疏水基0.2~10%。借由将低反射涂层施加于基板而获得之透光率增益为1.5%以上。

10. 发明专利

TW201619242A 含觸媒金屬之矽寡聚物、其製造方法以及含觸媒金屬之矽寡聚物之用途审中-公开
简体标题：含触媒金属之硅寡聚物、其制造方法以及含触媒金属之硅寡聚物之用途
公开(公告)号：TW201619242A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104124915
申请日：2015-07-31
申请人：傑希優股份有限公司 , JCU CORPORATION
发明人：佐土原大祐 , SADOHARA, DAISUKE , 西川賢一 , NISHIKAWA, KENICHI , 根道靖丈 , NEMICHI, YASUTAKE , 下田勝己 , SHIMODA, KATSUMI , 泉谷美代子 , IZUMITANI, MIYOKO
IPC分类号： C08G77/02 , C08G79/00 , C09D183/02 , C09D185/00 , C09D5/00 , C23C18/30
CPC分类号： C07F7/04 , C08G77/08 , C08G77/60 , C08G79/00 , C09D5/24 , C09D183/06 , C09D201/00 , C23C18/18
摘要：本發明之目的係提供一種不管基材種類為何均可鍍敷之新穎技術。該技術係在觸媒金屬存在下，使四烷氧基矽烷與於至少n、n+1位或n、n+2位(惟n為1以上之整數)上鍵結有羥基之多元醇進行縮合反應而獲得之含觸媒金屬之矽寡聚物及利用包含其之塗覆劑之鍍敷方法。
简体摘要：本发明之目的系提供一种不管基材种类为何均可镀敷之新颖技术。该技术系在触媒金属存在下，使四烷氧基硅烷与于至少n、n+1位或n、n+2位(惟n为1以上之整数)上键结有羟基之多元醇进行缩合反应而获得之含触媒金属之硅寡聚物及利用包含其之涂覆剂之镀敷方法。

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