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1. 发明专利

TWI522307B 複合材料的微機電裝置與其製作方法有权
简体标题：复合材料的微机电设备与其制作方法
公开(公告)号：TWI522307B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102110526
申请日：2013-03-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蘇中源 , SU, CHUNG YUAN , 黃肇達 , HUANG, CHAO TA , 李宗璟 , LEE, TZUNG CHING , 許郁文 , HSU, YU WEN
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81B3/0008 , B81B2201/0271 , G01P15/097 , H03H3/0072

2. 发明专利

TWI475805B 用於微機電系統共振器之方法與裝置失效
简体标题：用于微机电系统共振器之方法与设备
公开(公告)号：TWI475805B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW096146379
申请日：2007-12-05
申请人：米拉迪亞公司 , MIRADIA, INC.
发明人：楊曉 , XIAO YANG , 陳東敏 , DONGMIN CHEN , 王葉 , YE WANG , 賈斯丁佩恩 , JUSTIN PAYNE , 王玉翔 , YUXIANG WANG , 渥克吉 , WOOK JI
IPC分类号： H03H9/24
CPC分类号： H03H3/0072 , H03H3/0073 , H03H9/02244 , H03H9/2463 , H03H2009/02511 , H03H2009/02519

3. 发明专利

TW200629638A 微型共振器及其製造方法、以及電子機器失效
简体标题：微型共振器及其制造方法、以及电子机器
公开(公告)号：TW200629638A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094134827
申请日：2005-10-05
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：多田正裕 TADA, MASAHIRO , 田中均洋 TANAKA, MASAHIRO , 御手洗俊 MITARAI, SHUN , 難波田康治 NANIWADA, KOJI
IPC分类号： H01P
CPC分类号： H03H3/0072 , H03H9/02259 , H03H9/02433 , H03H9/2463 , H03H9/462 , H03H9/525 , H03H2009/02511
摘要：本發明提供一種微型共振器，藉由抑制各共振器元件間產生之相互干擾之影響，可確保頻率特性。其係在跨越數行N而排列之數個共振器元件F之微型共振器構造體10中，排列於N1行之數個共振器元件F1包括相位P1，另外，排列於N2行之數個共振器元件F2包括對相位P1相反相位之相位P2。由於抑制產生於各共振器元件F間之相互干擾之影響，因此頻率特性不易因其相互干擾之影響而惡化。
简体摘要：本发明提供一种微型共振器，借由抑制各共振器组件间产生之相互干扰之影响，可确保频率特性。其系在跨越数行N而排列之数个共振器组件F之微型共振器构造体10中，排列于N1行之数个共振器组件F1包括相位P1，另外，排列于N2行之数个共振器组件F2包括对相位P1相反相位之相位P2。由于抑制产生于各共振器组件F间之相互干扰之影响，因此频率特性不易因其相互干扰之影响而恶化。

4. 发明专利

TWI241981B 微機械製造方法 MICROMACHINE PRODUCTION METHOD 有权
简体标题：微机械制造方法 MICROMACHINE PRODUCTION METHOD
公开(公告)号：TWI241981B
公开(公告)日：2005-10-21
申请号：TW093115978
申请日：2004-06-03
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：山本雄一 YAMAMOTO, YUICHI
IPC分类号： B81C
CPC分类号： B81C1/00611 , B81B2201/0271 , B81C2201/0125 , H03H3/0072
摘要：在一種於第一與第二電極之間具有一空間之微機械的製造方法中，一第一電極形成於一基板上，且接著一擋止膜形成於其表面上。接著，形成一第二絕緣膜，以覆蓋該擋止膜。該第二絕緣膜之厚度比第一電極與擋止膜之總厚度大。接著，研磨第二絕緣膜。藉由此研磨，將該擋止膜曝露於外部且得以平面化。在該擋止膜內形成一開口之後，在該開口內埋入一犧牲膜。使犧牲膜與第二絕緣膜之表面平面化，且於該第二絕緣膜上形成一第二電極，以穿過該犧牲膜。藉由移除該犧牲膜，在該第一與該第二電極之間形成一空間。
简体摘要：在一种于第一与第二电极之间具有一空间之微机械的制造方法中，一第一电极形成于一基板上，且接着一挡止膜形成于其表面上。接着，形成一第二绝缘膜，以覆盖该挡止膜。该第二绝缘膜之厚度比第一电极与挡止膜之总厚度大。接着，研磨第二绝缘膜。借由此研磨，将该挡止膜曝露于外部且得以平面化。在该挡止膜内形成一开口之后，在该开口内埋入一牺牲膜。使牺牲膜与第二绝缘膜之表面平面化，且于该第二绝缘膜上形成一第二电极，以穿过该牺牲膜。借由移除该牺牲膜，在该第一与该第二电极之间形成一空间。

5. 发明专利

TW200505786A 微型機器及其製造方法失效
简体标题：微型机器及其制造方法
公开(公告)号：TW200505786A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：TW092133186
申请日：2003-11-26
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：多田正裕 TADA, MASAHIRO , 木下隆 KINOSHITA, TAKASHI , 御手洗俊 MITARAI, SHUN , 伊藤康幸 ITO, YASUYUKI
IPC分类号： B81B , B81C
CPC分类号： H03H3/0072 , H03H9/2405 , H03H2009/02511
摘要：本發明係Q值高且頻帶更高之高頻濾波器用之微型機器。微型機器1係包含：設於基板5上之輸出電極7；以覆蓋基板5之狀態而設，且包含以輸出電極7為底部之孔圖案9a之層間絕緣膜9；及以孔圖案9a內為空間部A而利用橫跨其上部方式設於層間絕緣膜9上之帶狀之振動器電極11；其特徵在於振動器電極11係沿著孔圖案9a之側壁而在孔圖案9a側設成凹狀。
简体摘要：本发明系Q值高且频带更高之高频滤波器用之微型机器。微型机器1系包含：设于基板5上之输出电极7；以覆盖基板5之状态而设，且包含以输出电极7为底部之孔图案9a之层间绝缘膜9；及以孔图案9a内为空间部A而利用横跨其上部方式设于层间绝缘膜9上之带状之振动器电极11；其特征在于振动器电极11系沿着孔图案9a之侧壁而在孔图案9a侧设成凹状。

6. 发明专利

TW200422251A 微機電系統(MEMS)元件與系統以及其製造方法 MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICE AND SYSTEM AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题：微机电系统(MEMS)组件与系统以及其制造方法 MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS (MEMS) DEVICE AND SYSTEM AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200422251A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW093108756
申请日：2004-03-30
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：巴-薩德伊爾 BAR-SADEH, EYAL , 塔拉利維斯基亞歷山大 TALALYEVSKY, ALEXANDER , 吉斯堡伊爾 GINSBURG, EYAL
IPC分类号： B81B , B81C
CPC分类号： B81B7/0064 , B81C1/00158 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , H03H3/0072 , H03H3/02 , H03H2003/027
摘要：簡短地，本發明係為一例如低耗損薄膜體聲波諧振(FBAR)濾波器或一低耗損FBAR射頻濾波器之減少基材的微機電系統(MEMS)裝置，以及其之製備方法與系統。依據本發明的具體例之一減少基材MEMS裝置可以包含一黏接在封裝部分之間的薄膜。依據本發明的具體例之方法可以包含將一第一封裝部分黏接到一包含有一支持基材的MEMS裝置、移除該支持基材與將一第二封裝部分黏接到該MEMS裝置的步驟。
简体摘要：简短地，本发明系为一例如低耗损薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器或一低耗损FBAR射频滤波器之减少基材的微机电系统(MEMS)设备，以及其之制备方法与系统。依据本发明的具体例之一减少基材MEMS设备可以包含一黏接在封装部分之间的薄膜。依据本发明的具体例之方法可以包含将一第一封装部分黏接到一包含有一支持基材的MEMS设备、移除该支持基材与将一第二封装部分黏接到该MEMS设备的步骤。

7. 发明专利

TW201727732A CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法审中-公开
简体标题： CMOS-MEMS谐振换能器及其制造方法
公开(公告)号：TW201727732A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105103057
申请日：2016-01-30
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李昇憲 , LI, SHENG-SHIAN , 陳昭瑜 , CHEN, CHAO-YU , 李銘晃 , LI, MING-HUANG
IPC分类号： H01L21/306 , B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/02 , B81B3/0086 , B81B2201/0271 , B81C1/00246 , B81C1/00333 , B81C2203/0742 , H03H3/0072 , H03H9/2452 , H03H2009/02314
摘要：本發明提供一種CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法，藉由精確蝕刻的雙端自由樑結構，可以高良率製程提供具有窄間隙(＜500nm)的CMOS-MEMS諧振換能器，此外，透過設置在諧振主體底部的氮化鈦材料層，可有效降低因靜電導致的頻率偏移，本發明還適用於各式尺度之CMOS-MEMS平台製程，提供製程以及結構設計上的靈活性。
简体摘要：本发明提供一种CMOS-MEMS谐振换能器及其制造方法，借由精确蚀刻的双端自由梁结构，可以高良率制程提供具有窄间隙(＜500nm)的CMOS-MEMS谐振换能器，此外，透过设置在谐振主体底部的氮化钛材料层，可有效降低因静电导致的频率偏移，本发明还适用于各式尺度之CMOS-MEMS平台制程，提供制程以及结构设计上的灵活性。

8. 发明专利

TWI562224B CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法有权
简体标题： CMOS-MEMS谐振换能器及其制造方法
公开(公告)号：TWI562224B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW105103057
申请日：2016-01-30
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李昇憲 , LI, SHENG-SHIAN , 陳昭瑜 , CHEN, CHAO-YU , 李銘晃 , LI, MING-HUANG
IPC分类号： H01L21/306 , B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/02 , B81B3/0086 , B81B2201/0271 , B81C1/00246 , B81C1/00333 , B81C2203/0742 , H03H3/0072 , H03H9/2452 , H03H2009/02314

9. 发明专利

TW201429160A 微機電共振裝置审中-公开
简体标题：微机电共振设备
公开(公告)号：TW201429160A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102100004
申请日：2013-01-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蔡俊胤 , TSAI, CHUN YIN , 許豐家 , HSU, FENG CHIA , 黃俊哲 , HUANG, TSUN CHE , 王欽宏 , WANG, CHIN HUNG
IPC分类号： H03H9/46 , H03H9/48
CPC分类号： H03H9/178 , B81B7/02 , H03H3/0072 , H03H3/02 , H03H9/02007 , H03H9/02244 , H03H9/0595 , H03H9/17 , H03H9/205 , H03H2003/021 , H03H2003/027 , H03H2009/02496
摘要：本發明揭示一種微機電共振裝置，上述微機電共振裝置包括單一或複數個共振單元，其中上述的每一個些共振單元包括一基材，其中具有一溝槽；一對第一電極，設置於上述溝槽的一對側壁上；一壓電材料，填充於上述溝槽，且覆蓋上述第一電極；一第二電極，嵌入上述壓電材料且藉由上述壓電材料與上述對第一電極隔開，其中位於上述溝槽中的上述第二電極與上述對第一電極平行。
简体摘要：本发明揭示一种微机电共振设备，上述微机电共振设备包括单一或复数个共振单元，其中上述的每一个些共振单元包括一基材，其中具有一沟槽；一对第一电极，设置于上述沟槽的一对侧壁上；一压电材料，填充于上述沟槽，且覆盖上述第一电极；一第二电极，嵌入上述压电材料且借由上述压电材料与上述对第一电极隔开，其中位于上述沟槽中的上述第二电极与上述对第一电极平行。

10. 发明专利

TWI281315B 電機裝置及其製造方法 ELECTRO-MECHANICAL DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：电机设备及其制造方法 ELECTRO-MECHANICAL DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI281315B
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：TW094106790
申请日：2005-03-07
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：吉斯堡伊爾 GINSBURG, EYAL , 塔拉萊維斯基亞歷山大 TALALAEVSKI, ALEXANDER , 巴-薩德伊爾 BAR-SADEH, EYAL
IPC分类号： H03H , B81B
CPC分类号： H03H3/02 , H03H3/0072 , H03H9/02244 , H03H9/587 , H03H2003/027 , H03H2009/02511 , H03H2009/241
摘要：簡言之，本發明之實施例提供一電機裝置，比方說微電機系統(MEMS)裝置如低損耗薄膜體聲波諧振器(FBAR)過濾器，以及其製造方法。
简体摘要：简言之，本发明之实施例提供一电机设备，比方说微电机系统(MEMS)设备如低损耗薄膜体声波谐振器(FBAR)过滤器，以及其制造方法。

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