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1. 发明专利

TW200512155A 微機械製造方法 MICROMACHINE PRODUCTION METHOD 审中-公开
简体标题：微机械制造方法 MICROMACHINE PRODUCTION METHOD
公开(公告)号：TW200512155A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW093115978
申请日：2004-06-03
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：山本雄一 YAMAMOTO, YUICHI
IPC分类号： B81C
CPC分类号： B81C1/00611 , B81B2201/0271 , B81C2201/0125 , H03H3/0072
摘要：在一種於第一與第二電極之間具有一空間之微機械的製造方法中，一第一電極形成於一基板上，且接著一檔止膜形成於其表面上。接著，形成一第二絕緣膜，以覆蓋該擋止膜。該第二絕緣膜之厚度比第一電極與擋止膜之總厚度大。接著，研磨第二絕緣膜。藉由此研磨，將該擋止膜曝露於外部且得以平面化。在該擋止膜內形成一開口之後，在該開口內埋入一犧牲膜。使犧牲膜與第二絕緣膜之表面平面化，且於該第二絕緣膜上形成一第二電極，以穿過該犧牲膜。藉由移除該犧牲膜，在該第一與該第二電極之間形成一空間。
简体摘要：在一种于第一与第二电极之间具有一空间之微机械的制造方法中，一第一电极形成于一基板上，且接着一档止膜形成于其表面上。接着，形成一第二绝缘膜，以覆盖该挡止膜。该第二绝缘膜之厚度比第一电极与挡止膜之总厚度大。接着，研磨第二绝缘膜。借由此研磨，将该挡止膜曝露于外部且得以平面化。在该挡止膜内形成一开口之后，在该开口内埋入一牺牲膜。使牺牲膜与第二绝缘膜之表面平面化，且于该第二绝缘膜上形成一第二电极，以穿过该牺牲膜。借由移除该牺牲膜，在该第一与该第二电极之间形成一空间。

2. 发明专利

TWI251932B 固態影像裝置及製造固態影像裝置之方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE 有权
简体标题：固态影像设备及制造固态影像设备之方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
公开(公告)号：TWI251932B
公开(公告)日：2006-03-21
申请号：TW093135265
申请日：2004-11-17
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：山本雄一 YAMAMOTO, YUICHI , 岩元勇人 IWAMOTO, HAYATO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14627 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14601 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種固態影像裝置1，其具有一背發光型結構，其中一透鏡7係形成於一矽層2之背側上，而一光接收感測器部分PD係形成該矽層上，並且絕緣層13、14係埋入一影像拾取區域20周圍的該矽層2中，該絕緣層14係掩埋在一接觸層12周圍，該接觸層連接一墊部分之一電極層15與表面側之一互連層11。此外，當製造具有該背發光型結構之該固態影像裝置時，各溝渠係分別形成在該影像拾取區域20以及該墊部分之該矽層2周圍；該等絕緣層13、14係埋入該等個別溝渠中；該光接收感測器部分PD係形成於該矽層2上；互連層3、11係形成於該矽層2之該表面側上；導電材料12係埋入已埋入該墊部分之該溝渠中的該絕緣層13中，並與該墊部分之該互連層11連接；而藉由將埋入該影像拾取區域20周圍之該溝渠中的該絕緣層13用作一對準標記，將該透鏡7形成於該矽層2之該背側上。藉由於該背發光型固態影像裝置上形成用以對準該光接收感測器部分之光二極體與該透鏡的對準標記以及墊式接觸，此固態影像裝置可以實現該背發光型固態影像裝置，並且可以提供製造此類固態影像裝置之一方法。
简体摘要：本发明揭示一种固态影像设备1，其具有一背发光型结构，其中一透镜7系形成于一硅层2之背侧上，而一光接收传感器部分PD系形成该硅层上，并且绝缘层13、14系埋入一影像十取区域20周围的该硅层2中，该绝缘层14系掩埋在一接触层12周围，该接触层连接一垫部分之一电极层15与表面侧之一互连层11。此外，当制造具有该背发光型结构之该固态影像设备时，各沟渠系分别形成在该影像十取区域20以及该垫部分之该硅层2周围；该等绝缘层13、14系埋入该等个别沟渠中；该光接收传感器部分PD系形成于该硅层2上；互连层3、11系形成于该硅层2之该表面侧上；导电材料12系埋入已埋入该垫部分之该沟渠中的该绝缘层13中，并与该垫部分之该互连层11连接；而借由将埋入该影像十取区域20周围之该沟渠中的该绝缘层13用作一对准标记，将该透镜7形成于该硅层2之该背侧上。借由于该背发光型固态影像设备上形成用以对准该光接收传感器部分之光二极管与该透镜的对准标记以及垫式接触，此固态影像设备可以实现该背发光型固态影像设备，并且可以提供制造此类固态影像设备之一方法。

3. 发明专利

TWI241981B 微機械製造方法 MICROMACHINE PRODUCTION METHOD 有权
简体标题：微机械制造方法 MICROMACHINE PRODUCTION METHOD
公开(公告)号：TWI241981B
公开(公告)日：2005-10-21
申请号：TW093115978
申请日：2004-06-03
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：山本雄一 YAMAMOTO, YUICHI
IPC分类号： B81C
CPC分类号： B81C1/00611 , B81B2201/0271 , B81C2201/0125 , H03H3/0072
摘要：在一種於第一與第二電極之間具有一空間之微機械的製造方法中，一第一電極形成於一基板上，且接著一擋止膜形成於其表面上。接著，形成一第二絕緣膜，以覆蓋該擋止膜。該第二絕緣膜之厚度比第一電極與擋止膜之總厚度大。接著，研磨第二絕緣膜。藉由此研磨，將該擋止膜曝露於外部且得以平面化。在該擋止膜內形成一開口之後，在該開口內埋入一犧牲膜。使犧牲膜與第二絕緣膜之表面平面化，且於該第二絕緣膜上形成一第二電極，以穿過該犧牲膜。藉由移除該犧牲膜，在該第一與該第二電極之間形成一空間。
简体摘要：在一种于第一与第二电极之间具有一空间之微机械的制造方法中，一第一电极形成于一基板上，且接着一挡止膜形成于其表面上。接着，形成一第二绝缘膜，以覆盖该挡止膜。该第二绝缘膜之厚度比第一电极与挡止膜之总厚度大。接着，研磨第二绝缘膜。借由此研磨，将该挡止膜曝露于外部且得以平面化。在该挡止膜内形成一开口之后，在该开口内埋入一牺牲膜。使牺牲膜与第二绝缘膜之表面平面化，且于该第二绝缘膜上形成一第二电极，以穿过该牺牲膜。借由移除该牺牲膜，在该第一与该第二电极之间形成一空间。

4. 发明专利

TW200837824A 基板拋光方法,半導體裝置及其製造方法 SUBSTRATE POLISHING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：基板抛光方法,半导体设备及其制造方法 SUBSTRATE POLISHING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW200837824A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW097100720
申请日：2008-01-08
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：中村寬子 NAKAMURA, HIROKO , 上月貴晶 KOZUKI, TAKAAKI , 榎本貴幸 ENOMOTO, TAKAYUKI , 山本雄一 YAMAMOTO, YUICHI
IPC分类号： H01L , C09K
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , H01L27/10894
摘要：本發明揭示一種基板拋光方法、一種半導體裝置及一種製造半導體裝置之方法,藉此可達成高度平坦化拋光。在該基板拋光方法中,使用兩種或兩種以上由彼此具有不同BET値之二氧化鈰研磨粒形成之不同漿料對一基板上之一拋光物件氧化物薄膜進行兩個或兩個以上階段的化學-機械拋光加工以使該拋光物件薄膜平整。
简体摘要：本发明揭示一种基板抛光方法、一种半导体设备及一种制造半导体设备之方法,借此可达成高度平坦化抛光。在该基板抛光方法中,使用两种或两种以上由彼此具有不同BET値之二氧化铈研磨粒形成之不同浆料对一基板上之一抛光对象氧化物薄膜进行两个或两个以上阶段的化学-机械抛光加工以使该抛光对象薄膜平整。

5. 发明专利

TW200915569A 半導體裝置的製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200915569A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097127963
申请日：2008-07-23
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：山本雄一 YAMAMOTO, YUICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823456 , H01L29/66545 , H01L29/7843
摘要：在本發明中,提供一種用於製造半導體裝置的方法。該半導體裝置,於一半導體基板上具有第一及第二電晶體群,其分別具有不同的操作電壓。該第一電晶體群具有一第一閘極電極;該第二電晶體群具有一第二閘極電極。該方法包含下列步驟:在將該第一閘極電極的一高度設定為小於形成在一虛擬閘極部中之一虛擬閘極電極的高度之後,形成該矽化物層於該第一電晶體群的第一閘極電極之上;以及,在形成一覆蓋一矽化物層的層間絕緣膜且平面化該層間絕緣膜的一表面之後,藉由去除該虛擬閘極部而形成一閘極形成溝槽。
简体摘要：在本发明中,提供一种用于制造半导体设备的方法。该半导体设备,于一半导体基板上具有第一及第二晶体管群,其分别具有不同的操作电压。该第一晶体管群具有一第一闸极电极;该第二晶体管群具有一第二闸极电极。该方法包含下列步骤:在将该第一闸极电极的一高度设置为小于形成在一虚拟闸极部中之一虚拟闸极电极的高度之后,形成该硅化物层于该第一晶体管群的第一闸极电极之上;以及,在形成一覆盖一硅化物层的层间绝缘膜且平面化该层间绝缘膜的一表面之后,借由去除该虚拟闸极部而形成一闸极形成沟槽。

6. 发明专利

TW200522344A 固態影像裝置及製造固態影像裝置之方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE 审中-公开
简体标题：固态影像设备及制造固态影像设备之方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
公开(公告)号：TW200522344A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093135265
申请日：2004-11-17
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：山本雄一 YAMAMOTO, YUICHI , 岩元勇人 IWAMOTO, HAYATO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14627 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14601 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種固態影像裝置1，其具有一背發光型結構，其中一透鏡7係形成於一矽層2之背側上，而一光接收感測器部分PD係形成該矽層上，並且絕緣層13、14係埋入一影像拾取區域20周圍的該矽層2中，該絕緣層14係掩埋在一接觸層12周圍，該接觸層連接一墊部分之一電極層15與表面側之一互連層11。此外，當製造具有該背發光型結構之該固態影像裝置時，各溝渠係分別形成在該影像拾取區域20以及該墊部分之該矽層2周圍；該等絕緣層13、14係埋入該等個別溝渠中；該光接收感測器部分PD係形成於該矽層2上；互連層3、11係形成於該矽層2之該表面側上；導電材料12係埋入已埋入該墊部分之該溝渠中的該絕緣層13中，並與該墊部分之該互連層11連接；而藉由將埋入該影像拾取區域20周圍之該溝渠中的該絕緣層13用作一對準標記，將該透鏡7形成於該矽層2之該背側上。藉由於該背發光型固態影像裝置上形成用以對準該光接收感測器部分之光二極體與該透鏡的對準標記以及墊式接觸，此固態影像裝置可以實現該背發光型固態影像裝置，並且可以提供製造此類固態影像裝置之一方法。
简体摘要：本发明揭示一种固态影像设备1，其具有一背发光型结构，其中一透镜7系形成于一硅层2之背侧上，而一光接收传感器部分PD系形成该硅层上，并且绝缘层13、14系埋入一影像十取区域20周围的该硅层2中，该绝缘层14系掩埋在一接触层12周围，该接触层连接一垫部分之一电极层15与表面侧之一互连层11。此外，当制造具有该背发光型结构之该固态影像设备时，各沟渠系分别形成在该影像十取区域20以及该垫部分之该硅层2周围；该等绝缘层13、14系埋入该等个别沟渠中；该光接收传感器部分PD系形成于该硅层2上；互连层3、11系形成于该硅层2之该表面侧上；导电材料12系埋入已埋入该垫部分之该沟渠中的该绝缘层13中，并与该垫部分之该互连层11连接；而借由将埋入该影像十取区域20周围之该沟渠中的该绝缘层13用作一对准标记，将该透镜7形成于该硅层2之该背侧上。借由于该背发光型固态影像设备上形成用以对准该光接收传感器部分之光二极管与该透镜的对准标记以及垫式接触，此固态影像设备可以实现该背发光型固态影像设备，并且可以提供制造此类固态影像设备之一方法。

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