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1. 发明专利

TWI618162B 閉路式自動缺陷檢測和分類有权
简体标题：闭路式自动缺陷检测和分类
公开(公告)号：TWI618162B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW103124141
申请日：2014-07-14
申请人：應用材料以色列公司 , APPLIED MATERIALS ISRAEL, LTD.
发明人：葛林伯格嘉迪 , GREENBERG, GADI , 凱薩門亞當 , KAIZERMAN, IDAN , 路哈爾利弗 , ZOHAR, ZEEV
IPC分类号： H01L21/66 , G06K9/62 , G06T7/00
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/45031 , G05B2219/50064 , G06T7/0004 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J37/00 , H01J37/3178 , H01L22/20

2. 发明专利

TW201727359A 以藉由粒子或光子束直寫降低射數的方法审中-公开
简体标题：以借由粒子或光子束直写降低射数的方法
公开(公告)号：TW201727359A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105132429
申请日：2016-10-06
申请人：艾西塔奈米製圖公司 , ASELTA NANOGRAPHICS
发明人：馬汀路克 , MARTIN, LUC , 奎格里歐湯瑪斯 , QUAGLIO, THOMAS , 米爾昆特馬修 , MILLEQUANT, MATTHIEU , 布朗寧克里德 , BROWNING, CLYDE , 曼納利瑟達 , MANAKLI, SERDAR
IPC分类号： G03F1/78 , G03F7/20 , H01J37/30
CPC分类号： G03F1/78 , G03F7/70383 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70491 , G03F7/705 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J37/3178 , H01J2237/3175
摘要：一種以藉由粒子或光子束直寫將分解成基本形狀的破碎圖案(210,310)轉印到基本上的方法，包含認可該破碎的圖案之至少一基本形狀(2000)的步驟，該至少一基本形狀稱為可移除基本形狀，其之移除引起在預設容差包絡內該轉印的圖案之修改；- 從該破碎的圖案移除該可移除的一形狀或多個形狀的步驟，用以獲得經修改破碎的圖案(220,230)；以及- 曝露步驟，包含將該基板曝露到賦形的粒子或光子束之複數個發射，各個發射對應至該經修改破碎的圖案之基本形狀。用於實現所述的方法之電腦程式產品。
简体摘要：一种以借由粒子或光子束直写将分解成基本形状的破碎图案(210,310)转印到基本上的方法，包含认可该破碎的图案之至少一基本形状(2000)的步骤，该至少一基本形状称为可移除基本形状，其之移除引起在默认容差包络内该转印的图案之修改；- 从该破碎的图案移除该可移除的一形状或多个形状的步骤，用以获得经修改破碎的图案(220,230)；以及- 曝露步骤，包含将该基板曝露到赋形的粒子或光子束之复数个发射，各个发射对应至该经修改破碎的图案之基本形状。用于实现所述的方法之电脑进程产品。

3. 发明专利

TWI567774B 用於對基底進行圖案化的系統與方法有权
简体标题：用于对基底进行图案化的系统与方法
公开(公告)号：TWI567774B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103137524
申请日：2014-10-30
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：辛克萊法蘭克 , SINCLAIR, FRANK , 歐爾森約瑟C , OLSON, JOSEPH C.
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/3174 , H01J37/3178 , H01J37/32422

4. 发明专利

TWI518732B 離子束處理方法及離子束處理裝置有权
简体标题：离子束处理方法及离子束处理设备
公开(公告)号：TWI518732B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW103107670
申请日：2014-03-06
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 昆野優太 , KONNO, YUTA
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/243 , H01J37/045 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J37/32422

5. 发明专利

TW201519275A 用於對基底進行圖案化的系統與方法审中-公开
简体标题：用于对基底进行图案化的系统与方法
公开(公告)号：TW201519275A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103137524
申请日：2014-10-30
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：辛克萊法蘭克 , SINCLAIR, FRANK , 歐爾森約瑟C , OLSON, JOSEPH C.
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/3174 , H01J37/3178 , H01J37/32422
摘要：在一個實施例中，一種用於對基底進行圖案化的系統包含：電漿腔室；功率源，用於在所述電漿腔室內產生電漿；以及提取板系統，包括多個孔徑且沿著所述電漿腔室的一側而設置。所述提取板系統經配置以接收相對於所述電漿腔室而對所述提取板系統加偏壓的提取電壓，其中所述多個孔徑經配置以從所述電漿提取多個相應帶電粒子子束。所述系統還包含：投影光學系統，用於將所述多個帶電粒子子束中的至少一者引導到所述基底。
简体摘要：在一个实施例中，一种用于对基底进行图案化的系统包含：等离子腔室；功率源，用于在所述等离子腔室内产生等离子；以及提取板系统，包括多个孔径且沿着所述等离子腔室的一侧而设置。所述提取板系统经配置以接收相对于所述等离子腔室而对所述提取板系统加偏压的提取电压，其中所述多个孔径经配置以从所述等离子提取多个相应带电粒子子束。所述系统还包含：投影光学系统，用于将所述多个带电粒子子束中的至少一者引导到所述基底。

6. 发明专利

TW201421546A 高「高寬比」結構之分析审中-公开
简体标题：高“高宽比”结构之分析
公开(公告)号：TW201421546A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102136150
申请日：2013-10-04
申请人： FEI公司 , FEI COMPANY
发明人：李相勳 , LEE SANG HOON , 史東史黛西 , STONE, STACEY , 布雷克伍德傑佛瑞 , BLACKWOOD, JEFFREY , 西米德特麥可 , SCHMIDT, MICHAEL
IPC分类号： H01L21/263
CPC分类号： H01J37/3053 , C23C14/46 , G01N1/32 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要：藉由減小一保護層與所關注特徵之間的距離來減小高「高寬比」特徵上之幕效應假影(Curtaining artifact)。舉例而言，離子束可以與工件表面之一角度銑削以形成一傾斜表面。一保護層沈積至該傾斜表面上，且該離子束銑削穿過該保護層以曝露該所關注特徵以供分析。傾斜之銑削機接近於該所關注特徵定位該保護層以減小幕效應。
简体摘要：借由减小一保护层与所关注特征之间的距离来减小高“高宽比”特征上之幕效应假影(Curtaining artifact)。举例而言，离子束可以与工件表面之一角度铣削以形成一倾斜表面。一保护层沉积至该倾斜表面上，且该离子束铣削穿过该保护层以曝露该所关注特征以供分析。倾斜之铣削机接近于该所关注特征定位该保护层以减小幕效应。

7. 发明专利

TWI430321B 藉由氣體團簇離子束處理方式修正材料層之方法有权
简体标题：借由气体团簇离子束处理方式修正材料层之方法
公开(公告)号：TWI430321B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW099109971
申请日：2010-03-31
申请人：東京威力科創艾派恩股份有限公司 , TEL EPION INC.
发明人：豪塔拉約翰 , HAUTALA, JOHN , 巴士特那森 , BAXTER, NATHAN
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/317 , H01J27/026 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/3178 , H01J2237/0812 , H01J2237/316 , H01J2237/3165 , H01J2237/31701 , H01J2237/31732

8. 发明专利

TW541348B 成膜方法及成膜裝置失效
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW541348B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW088105311
申请日：1999-04-02
申请人：日新電機股份有限公司
发明人：三上隆司 , 村上浩
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/486 , C23C16/505 , H01J37/3178 , H01J2237/08
摘要：提供一種併用電漿成膜及離子射束照射之成膜方法，該離子射束照射時在離子源之離子射束引出電極系不致產生異常放電，可正常進行膜之形成的成膜方法及小型、構造簡單之成膜裝置。
一種成膜方法，係令被成膜物品曝晒於對成膜原料氣體供給電漿激起用電力而得之成膜用電漿中之同時，併用對該被成膜物品照射離子射束俾於該被成膜物品上形成膜之方法。
在照射該離子射束時，於電漿容器內從離子原料氣體所產生電漿，對由設於該容器之離子射束引出口之4片電極形成之離子射束引出電極系施加電壓，以使用離子射束引出之離子源，離子射束引出時，上述電漿容器，及構成上述引出電極系之4片電極之中最靠近該電漿容器之內側之第1電極設為正電位，該第1電極之鄰接外側之第2電極設為負電位，該第2電極之鄰接外側之第3電極設為正電位，最離開上述電漿容器之外側之第4電極設為接地電位。
简体摘要：提供一种并用等离子成膜及离子射束照射之成膜方法，该离子射束照射时在离子源之离子射束引出电极系不致产生异常放电，可正常进行膜之形成的成膜方法及小型、构造简单之成膜设备。一种成膜方法，系令被成膜物品曝晒于对成膜原料气体供给等离子激起用电力而得之成膜用等离子中之同时，并用对该被成膜物品照射离子射束俾于该被成膜物品上形成膜之方法。在照射该离子射束时，于等离子容器内从离子原料气体所产生等离子，对由设于该容器之离子射束引出口之4片电极形成之离子射束引出电极系施加电压，以使用离子射束引出之离子源，离子射束引出时，上述等离子容器，及构成上述引出电极系之4片电极之中最靠近该等离子容器之内侧之第1电极设为正电位，该第1电极之邻接外侧之第2电极设为负电位，该第2电极之邻接外侧之第3电极设为正电位，最离开上述等离子容器之外侧之第4电极设为接地电位。

9. 发明专利

TW201726951A 具有耐電漿蝕刻的塗層之電漿蝕刻裝置审中-公开
简体标题：具有耐等离子蚀刻的涂层之等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TW201726951A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105124270
申请日：2016-08-01
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：黃麗華李 , HUANG, LIHUA LI , 石洪 , SHIH, HONG , 許臨 , XU, LIN , 道芬堤約翰 , DAUGHERTY, JOHN
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/30 , C23C16/30 , C23C16/44 , H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C14/06 , C23C16/30 , H01J37/3178 , H01J37/32119 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/32642 , H01J37/32715
摘要：本揭露內容提供一種用於電漿處理腔室中的設備。該設備包含部件主體及塗層，該塗層具有不超過30微米的厚度、實質上由其中添加鑭系元素、或III族元素、或IV族元素之氧氟化物組成、並覆蓋該部件主體的表面。
简体摘要：本揭露内容提供一种用于等离子处理腔室中的设备。该设备包含部件主体及涂层，该涂层具有不超过30微米的厚度、实质上由其中添加镧系元素、或III族元素、或IV族元素之氧氟化物组成、并覆盖该部件主体的表面。

10. 发明专利

TW201721700A 離子生成裝置及離子生成裝置的控制方法审中-公开
简体标题：离子生成设备及离子生成设备的控制方法
公开(公告)号：TW201721700A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105132578
申请日：2016-10-07
申请人：住友重機械離子技術有限公司 , SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES ION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：川口宏 , KAWAGUCHI, HIROSHI
IPC分类号： H01J37/04 , H05H1/32 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3244 , B08B9/08 , H01J37/08 , H01J37/3178 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32614 , H01J37/32862 , H01J2237/022 , H01J2237/0492 , H01J2237/055 , H01J2237/3365
摘要：本發明提供一種有助於提高離子照射裝置之生產率之離子生成裝置及其控制方法。本發明的離子生成裝置具備：離子源控制部(102)，構成為按照現離子源條件及現離子源條件之後運用之新離子源條件來控制氣體供給部(70)及電漿激發源(72)；保持時間獲取部(104)，獲取現離子源條件的保持時間；及預處理條件設定部(106)，構成為根據現離子源條件、保持時間、及新離子源條件來設定確定預處理之預處理條件，前述預處理用於在電漿室內壁形成適合於新離子源條件之表層區域。離子源控制部(102)構成為，從現離子源條件變更為新離子源條件時，藉由預處理條件控制氣體供給部(70)及電漿激發源(72)。
简体摘要：本发明提供一种有助于提高离子照射设备之生产率之离子生成设备及其控制方法。本发明的离子生成设备具备：离子源控制部(102)，构成为按照现离子源条件及现离子源条件之后运用之新离子源条件来控制气体供给部(70)及等离子激发源(72)；保持时间获取部(104)，获取现离子源条件的保持时间；及预处理条件设置部(106)，构成为根据现离子源条件、保持时间、及新离子源条件来设置确定预处理之预处理条件，前述预处理用于在等离子室内壁形成适合于新离子源条件之表层区域。离子源控制部(102)构成为，从现离子源条件变更为新离子源条件时，借由预处理条件控制气体供给部(70)及等离子激发源(72)。

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