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1. 发明专利

TW201812760A 鐵電記憶體單元审中-公开
简体标题：铁电内存单元
公开(公告)号：TW201812760A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106128403
申请日：2017-08-22
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：德奈史考特 J , DERNER, SCOTT J. , 川村克里斯多福 J , KAWAMURA, CHRISTOPHER J.
IPC分类号： G11C11/22 , G11C11/24 , H01L21/8239
CPC分类号： G11C11/221 , G11C11/2253 , G11C11/2257 , G11C11/2259 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C11/2293 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/11514 , H01L28/55 , H01L28/90
摘要：本發明揭示包含鐵電記憶體單元之裝置及方法。一例示性鐵電記憶體單元包含兩個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含三個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含四個電晶體及兩個電容器。
简体摘要：本发明揭示包含铁电内存单元之设备及方法。一例示性铁电内存单元包含两个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含三个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含四个晶体管及两个电容器。

2. 发明专利

TWI622050B 記憶體單元板之間的電荷共享有权
简体标题：内存单元板之间的电荷共享
公开(公告)号：TWI622050B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW106113080
申请日：2017-04-19
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡曼埃里克 S , CARMAN, ERIC S.
IPC分类号： G11C11/22 , G11C11/40 , G11C8/14
CPC分类号： G11C11/225 , G11C8/08 , G11C11/22 , G11C11/221 , G11C11/2253 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C11/2293 , G11C11/5657 , G11C13/047

3. 发明专利

TW201740379A 記憶體單元板之間的電荷共享审中-公开
简体标题：内存单元板之间的电荷共享
公开(公告)号：TW201740379A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106113080
申请日：2017-04-19
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡曼埃里克 S , CARMAN, ERIC S.
IPC分类号： G11C11/22 , G11C11/40 , G11C8/14
CPC分类号： G11C11/225 , G11C8/08 , G11C11/22 , G11C11/221 , G11C11/2253 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C11/2293 , G11C11/5657 , G11C13/047
摘要：描述用於操作一或若干鐵電記憶體單元之方法、系統、技術及裝置。一第一鐵電記憶體單元可被用以藉由將電荷自第一鐵電記憶體單元之一板轉移至一第二鐵電記憶體單元之一板而給該第二鐵電記憶體單元充電。在一些實例中，於電荷之該轉移之前，可選擇該第一鐵電記憶體單元用於一第一操作，其中該第一鐵電記憶體單元自一充電狀態轉變至一放電狀態，且可選擇該第二鐵電記憶體單元用於一第二操作，在此期間，該第二鐵電記憶體單元自一放電狀態轉變至一充電狀態。該第一鐵電記憶體單元之該放電可被用以幫助給該第二鐵電記憶體單元充電。
简体摘要：描述用于操作一或若干铁电内存单元之方法、系统、技术及设备。一第一铁电内存单元可被用以借由将电荷自第一铁电内存单元之一板转移至一第二铁电内存单元之一板而给该第二铁电内存单元充电。在一些实例中，于电荷之该转移之前，可选择该第一铁电内存单元用于一第一操作，其中该第一铁电内存单元自一充电状态转变至一放电状态，且可选择该第二铁电内存单元用于一第二操作，在此期间，该第二铁电内存单元自一放电状态转变至一充电状态。该第一铁电内存单元之该放电可被用以帮助给该第二铁电内存单元充电。

4. 发明专利

TWI603326B 虛擬接地感測電路及相關裝置、系統及方法有权
简体标题：虚拟接地传感电路及相关设备、系统及方法
公开(公告)号：TWI603326B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105115583
申请日：2016-05-19
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瑪洛塔吉里歐吉塞普 , MAROTTA, GIULIO GIUSEPPE , 提伯西馬可多曼尼可 , TIBURZI, MARCO DOMENICO
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/2273 , G11C11/221 , G11C11/2253 , G11C11/5657 , G11C2213/77

5. 发明专利

TWI613651B 電阻變化型記憶體有权
简体标题：电阻变化型内存
公开(公告)号：TWI613651B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105106196
申请日：2016-03-01
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：片山明 , KATAYAMA, AKIRA , 藤田勝之 , FUJITA, KATSUYUKI
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/22
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1675 , G11C11/2253 , G11C11/2273 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2207/002

6. 发明专利

TW201711033A 電阻變化型記憶體审中-公开
简体标题：电阻变化型内存
公开(公告)号：TW201711033A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105106196
申请日：2016-03-01
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：片山明 , KATAYAMA, AKIRA , 藤田勝之 , FUJITA, KATSUYUKI
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/22
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1675 , G11C11/2253 , G11C11/2273 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2207/002
摘要：根據一項實施例，一種記憶體包含：一位元線，其連接至一記憶體單元；及一讀取電路，其用以執行自該記憶體單元讀取資料。該讀取電路包含：一第一電路，其具有一第一輸入終端且自該記憶體單元偵測一輸出信號；一第一電晶體，其用以基於一第一控制信號控制供應至該記憶體單元之一電流；及一第二電晶體。該第一電晶體之一終端連接至該第一輸入終端，該第一電晶體之另一終端連接至該第二電晶體之一終端，該第二電晶體之另一終端連接至該位元線，且在自該記憶體單元讀取資料之前對該第一電晶體之該一終端及該另一終端充電。
简体摘要：根据一项实施例，一种内存包含：一比特线，其连接至一内存单元；及一读取电路，其用以运行自该内存单元读取数据。该读取电路包含：一第一电路，其具有一第一输入终端且自该内存单元侦测一输出信号；一第一晶体管，其用以基于一第一控制信号控制供应至该内存单元之一电流；及一第二晶体管。该第一晶体管之一终端连接至该第一输入终端，该第一晶体管之另一终端连接至该第二晶体管之一终端，该第二晶体管之另一终端连接至该比特线，且在自该内存单元读取数据之前对该第一晶体管之该一终端及该另一终端充电。

7. 发明专利

TW201706992A 虛擬接地感測電路及相關裝置、系統及方法审中-公开
简体标题：虚拟接地传感电路及相关设备、系统及方法
公开(公告)号：TW201706992A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105115583
申请日：2016-05-19
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瑪洛塔吉里歐吉塞普 , MAROTTA, GIULIO GIUSEPPE , 提伯西馬可多曼尼可 , TIBURZI, MARCO DOMENICO
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/2273 , G11C11/221 , G11C11/2253 , G11C11/5657 , G11C2213/77
摘要：本文揭示虛擬接地感測電路、電系統、運算裝置及相關方法。一虛擬接地感測電路包含：一感測電路，其經組態以將一參考電壓電位與一感測節點電壓電位相比較；及虛擬接地電路，其可操作地耦合至該感測電路。該虛擬接地電路經組態以：將一第一偏壓電壓電位處之一虛擬接地提供至可操作地耦合至一選定鐵電記憶體胞之一導線；且回應於該選定鐵電記憶體胞自一第一極化狀態變為一第二極化狀態而將該導線放電至感測節點。一方法包含：將一第二偏壓電壓電位施加至可操作地耦合至選定之鐵電記憶體胞之另一導線；且將一感測節點電壓電位與一參考電壓電位相比較。電系統及運算裝置包含虛擬接地感測電路。
简体摘要：本文揭示虚拟接地传感电路、电系统、运算设备及相关方法。一虚拟接地传感电路包含：一传感电路，其经组态以将一参考电压电位与一传感节点电压电位相比较；及虚拟接地电路，其可操作地耦合至该传感电路。该虚拟接地电路经组态以：将一第一偏压电压电位处之一虚拟接地提供至可操作地耦合至一选定铁电内存胞之一导线；且回应于该选定铁电内存胞自一第一极化状态变为一第二极化状态而将该导线放电至传感节点。一方法包含：将一第二偏压电压电位施加至可操作地耦合至选定之铁电内存胞之另一导线；且将一传感节点电压电位与一参考电压电位相比较。电系统及运算设备包含虚拟接地传感电路。

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