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1. 发明专利

TWI233506B 晶體光纖之製造方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A CRYSTAL FIBER 失效
简体标题：晶体光纤之制造方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A CRYSTAL FIBER
公开(公告)号：TWI233506B
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：TW093114270
申请日：2004-05-20
申请人：國立中山大學 NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：郭家彰 KUO, CHIA CHANG , 李立民 LEE, LI MIN , 卓裕傑 CHO, YU CHIEH , 黃升龍 HUANG, SHENG LUNG , 黃勝邦 HUANG, SHENG BANG
IPC分类号： G02B
CPC分类号： C04B35/62231 , C04B35/495 , C04B35/62268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3284 , C04B2235/5264 , C30B13/00 , C30B13/24 , C30B29/30 , C30B29/32 , C30B29/607 , G02F1/0115 , G02F1/3558 , G02F1/365
摘要：本發明係關於一種晶體光纖之製造方法，係用以生長具有不同極化反轉區域之晶體光纖，該方法包括：(a)提供一原始基材，此基材可為晶體或粉末；(b)將該原始基材置於一製造裝置中；及(c)於該製造裝置中將該原始基材生長成該晶體光纖，該晶體光纖直徑小於500μm，且於生長過程中提供一外加電場，以誘發該晶體光纖之晶體產生微擺動。藉此，可使區域極化向量反轉同時於鐵電性晶體材料之生長過程中完成。
简体摘要：本发明系关于一种晶体光纤之制造方法，系用以生长具有不同极化反转区域之晶体光纤，该方法包括：(a)提供一原始基材，此基材可为晶体或粉末；(b)将该原始基材置于一制造设备中；及(c)于该制造设备中将该原始基材生长成该晶体光纤，该晶体光纤直径小于500μm，且于生长过程中提供一外加电场，以诱发该晶体光纤之晶体产生微摆动。借此，可使区域极化矢量反转同时于铁电性晶体材料之生长过程中完成。

2. 发明专利

TWI477833B 雙纖衣晶體光纖及其製作方法有权
简体标题：双纤衣晶体光纤及其制作方法
公开(公告)号：TWI477833B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101133840
申请日：2012-09-14
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：許光裕 , HSU, KUANG YU , 楊牧翰 , YANG, MU HAN , 鄭東祐 , JHENG, DONG YO , 黃升龍 , HUANG, SHENG LUNG
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/036 , H01S3/067
CPC分类号： C30B13/24 , C30B29/20 , C30B29/28 , C30B29/607 , C30B29/62 , C30B33/00 , G02B1/02 , G02B6/036 , G02B6/03622 , H01S3/1636 , H01S3/1643

3. 发明专利

TW201634415A 用於使用雷射加熱基座生長生產薄晶光纖之裝置及方法审中-公开
简体标题：用于使用激光加热基座生长生产薄晶光纤之设备及方法
公开(公告)号：TW201634415A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104125265
申请日：2015-08-04
申请人：夏士達水晶公司 , SHASTA CRYSTALS, INC.
发明人：麥斯威爾吉賽兒 , MAXWELL, GISELE , 普立亭班奈特 , PONTING, BENNETT
IPC分类号： C03B37/03 , C03B37/023
CPC分类号： C30B15/16 , C03B37/011 , C03C13/041 , C30B13/24 , C30B29/24 , C30B29/28 , C30B29/60 , C30B29/607 , G02B6/102 , H01S3/06716 , H01S3/1643
摘要：本發明揭示用於經由光學加熱生長薄晶光纖之裝置及方法。該等裝置可包含且該等方法可採用：一光能源，其用於加熱一源材料以形成熔化源材料之一熔融區；一上部光纖導引器，其用於沿著一經界定平移軸將一生長晶體光纖拉離該熔融區；及一下部饋送導引器，其用於沿著一經界定平移軸將額外源材料推向該熔融區。對於採用其等之某些此等裝置及該等方法，該下部饋送導引器之平移軸及上部光纖導引器之平移軸實質上垂直且軸向對準，從而將該源材料水平定位於自該光能源發射之光能路徑中，在一些情況中，在大約5μm之一水平容限內。
简体摘要：本发明揭示用于经由光学加热生长薄晶光纤之设备及方法。该等设备可包含且该等方法可采用：一光能源，其用于加热一源材料以形成熔化源材料之一熔融区；一上部光纤导引器，其用于沿着一经界定平移轴将一生长晶体光纤拉离该熔融区；及一下部馈送导引器，其用于沿着一经界定平移轴将额外源材料推向该熔融区。对于采用其等之某些此等设备及该等方法，该下部馈送导引器之平移轴及上部光纤导引器之平移轴实质上垂直且轴向对准，从而将该源材料水平定位于自该光能源发射之光能路径中，在一些情况中，在大约5μm之一水平容限内。

4. 发明专利

TW200641191A 粒狀結晶體製造裝置 MANUFACTURING DEVICE OF GRANULAR SINGLE CRYSTAL 审中-公开
简体标题：粒状结晶体制造设备 MANUFACTURING DEVICE OF GRANULAR SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TW200641191A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094132387
申请日：2005-09-20
申请人：京半導體股份有限公司 KYOSEMI CORPORATION
发明人：中田仗祐 NAKATA JOSUKE
IPC分类号： C30B , B22F
CPC分类号： C30B35/00 , C30B29/607
摘要：本發明之粒狀單結晶體製造裝置(1)係讓無機材料之熔液的粒狀液滴一邊自由落下一邊凝固，以製作粒狀之單結晶體的裝置，該裝置(1)係具備有：形成為截面積愈往下愈小的落下管(30)；具備有在落下管(30)上方，將無機材料熔融而成為熔液的坩鍋(11)與形成在該坩鍋(11)底部之多個噴嘴(12a、12b)，而從該等噴嘴(12a、12b)將上述熔液形成液滴而朝落下管(30)內落下的液滴形成機構(10)；在落下管(30)內部，形成從上到下之冷卻用惰性氣體氣流的氣流形成機構(50)；將無機材料製之多數固體粒子(3)朝落下管(30)內部以與液滴(2)的落下方向呈交差狀地放出，而讓固體粒子(3)與大約處於過冷卻狀態之液滴(2)產生接觸的固體粒子放出機構(40)；回轉式球磨機(80)；熱處理爐(84)；及擴散爐(86)等。
简体摘要：本发明之粒状单结晶体制造设备(1)系让无机材料之熔液的粒状液滴一边自由落下一边凝固，以制作粒状之单结晶体的设备，该设备(1)系具备有：形成为截面积愈往下愈小的落下管(30)；具备有在落下管(30)上方，将无机材料熔融而成为熔液的坩锅(11)与形成在该坩锅(11)底部之多个喷嘴(12a、12b)，而从该等喷嘴(12a、12b)将上述熔液形成液滴而朝落下管(30)内落下的液滴形成机构(10)；在落下管(30)内部，形成从上到下之冷却用惰性气体气流的气流形成机构(50)；将无机材料制之多数固体粒子(3)朝落下管(30)内部以与液滴(2)的落下方向呈交差状地放出，而让固体粒子(3)与大约处于过冷却状态之液滴(2)产生接触的固体粒子放出机构(40)；回转式球磨机(80)；热处理炉(84)；及扩散炉(86)等。

5. 发明专利

TW520572B 光發電裝置及大量生產球狀半導體顆粒之大量生產裝置失效
简体标题：光发电设备及大量生产球状半导体颗粒之大量生产设备
公开(公告)号：TW520572B
公开(公告)日：2003-02-11
申请号：TW090129096
申请日：2001-11-23
申请人：珂琳21風險投資股份有限公司
发明人：濱川圭弘 , 室園幹男 , 高倉秀行 , 山口由岐夫 , 山形順 , 安田英典
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/042 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/06 , C30B29/607 , C30B30/06 , H01L31/02008 , H01L31/035281 , H01L31/0512 , H01L31/0547 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H02S40/36 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種光電轉換元件設置在支座的複數個凹槽的每個凹槽中。由凹槽內表面反射的光柬照射在光電轉換元件上。光電轉換元件具有近似的球狀形狀並且具有下述結構。中央部分n-型非晶矽(a-Si)層的外表面被具有比a-Si更寬光學帶隙的P-型非晶體SiC(a-SiC)層覆蓋，從而形成pn接面。支座的第一導體在凹槽的底部或其附近連接至光電轉換元件的P-型a-SiC層。支座的第二導體由一個絕緣體與第一導體絕緣，並且連接至光電轉換元件的n-型a-Si層。
简体摘要：一种光电转换组件设置在支座的复数个凹槽的每个凹槽中。由凹槽内表面反射的光柬照射在光电转换组件上。光电转换组件具有近似的球状形状并且具有下述结构。中央部分n-型非晶硅(a-Si)层的外表面被具有比a-Si更宽光学带隙的P-型非晶体SiC(a-SiC)层覆盖，从而形成pn接面。支座的第一导体在凹槽的底部或其附近连接至光电转换组件的P-型a-SiC层。支座的第二导体由一个绝缘体与第一导体绝缘，并且连接至光电转换组件的n-型a-Si层。

6. 发明专利

TWI558863B 多晶矽棒有权
简体标题：多晶硅棒
公开(公告)号：TWI558863B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW102107434
申请日：2013-03-04
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI , 井村哲也 , IMURA, TETSUYA , 相本恭正 , AIMOTO, KYOUSEI
IPC分类号： C30B28/10
CPC分类号： C30B29/66 , C01B33/035 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/607 , Y10T428/12674

7. 发明专利

TW201411207A 雙纖衣晶體光纖及其製作方法审中-公开
简体标题：双纤衣晶体光纤及其制作方法
公开(公告)号：TW201411207A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW101133840
申请日：2012-09-14
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：許光裕 , HSU, KUANG YU , 楊牧翰 , YANG, MU HAN , 鄭東祐 , JHENG, DONG YO , 黃升龍 , HUANG, SHENG LUNG
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/036 , H01S3/067
CPC分类号： C30B13/24 , C30B29/20 , C30B29/28 , C30B29/607 , C30B29/62 , C30B33/00 , G02B1/02 , G02B6/036 , G02B6/03622 , H01S3/1636 , H01S3/1643
摘要：本發明提供一種雙纖衣晶體光纖及其製作方法，其利用一雷射加熱基座生長法將一石榴石晶體或一藍寶石晶體之單晶棒提拉為一預定直徑之晶體光纖，將晶體光纖置入於一內纖衣玻璃毛細管中，利用雷射加熱基座生長法加熱內纖衣玻璃毛細管以軟化熔融包覆於晶體光纖之外層，而生長成一單纖衣晶體光纖，將單纖衣晶體光纖置入於一外纖衣玻璃毛細管中，利用雷射加熱基座生長法加熱外纖衣玻璃毛細管以軟化熔融包覆於單纖衣晶體光纖之外層，而生長成一雙纖衣晶體光纖，則，本發明應用在高功率雷射時，可以使用纖衣激發方式，讓高功率激發雷射耦合到內纖衣層，可有效改善高功率雷射的散熱以及效率問題。
简体摘要：本发明提供一种双纤衣晶体光纤及其制作方法，其利用一激光加热基座生长法将一石榴石晶体或一蓝宝石晶体之单晶棒提拉为一预定直径之晶体光纤，将晶体光纤置入于一内纤衣玻璃毛细管中，利用激光加热基座生长法加热内纤衣玻璃毛细管以软化熔融包覆于晶体光纤之外层，而生长成一单纤衣晶体光纤，将单纤衣晶体光纤置入于一外纤衣玻璃毛细管中，利用激光加热基座生长法加热外纤衣玻璃毛细管以软化熔融包覆於单纤衣晶体光纤之外层，而生长成一双纤衣晶体光纤，则，本发明应用在高功率激光时，可以使用纤衣激发方式，让高功率激发激光耦合到内纤衣层，可有效改善高功率激光的散热以及效率问题。

8. 发明专利

TW201339379A 多晶矽棒审中-公开
简体标题：多晶硅棒
公开(公告)号：TW201339379A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102107434
申请日：2013-03-04
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：石田晴之 , ISHIDA, HARUYUKI , 井村哲也 , IMURA, TETSUYA , 相本恭正 , AIMOTO, KYOUSEI
IPC分类号： C30B28/10
CPC分类号： C30B29/66 , C01B33/035 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/607 , Y10T428/12674
摘要：本發明是提供一種多晶矽棒，熔解所需的能量少，而在用作單晶矽製造原料或鑄造法矽鑄錠製造之時，可對削減能源成本具有貢獻。本發明之多晶矽棒，是以矽芯線為中心放射狀地析出多晶矽，其特徵在於：將圓柱狀的棒材相對於軸向垂直裁切的裁切面中，在芯線部分以外的面觀察的結晶中，長徑為50μm以上的粗大晶粒的面積比例為20%以上。
简体摘要：本发明是提供一种多晶硅棒，熔解所需的能量少，而在用作单晶硅制造原料或铸造法硅铸锭制造之时，可对削减能源成本具有贡献。本发明之多晶硅棒，是以硅芯线为中心放射状地析出多晶硅，其特征在于：将圆柱状的棒材相对于轴向垂直裁切的裁切面中，在芯线部分以外的面观察的结晶中，长径为50μm以上的粗大晶粒的面积比例为20%以上。

9. 发明专利

TW200538775A 晶體光纖之製造方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A CRYSTAL FIBER 失效
简体标题：晶体光纤之制造方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A CRYSTAL FIBER
公开(公告)号：TW200538775A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW093114270
申请日：2004-05-20
申请人：國立中山大學 NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：郭家彰 KUO, CHIA-CHANG , 李立民 LEE, LI-MIN , 卓裕傑 CHO, YU-CHIEH , 黃升龍 HUANG, SHENG-LUNG , 黃勝邦 HUANG, SHENG-BANG
IPC分类号： G02B
CPC分类号： C04B35/62231 , C04B35/495 , C04B35/62268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3284 , C04B2235/5264 , C30B13/00 , C30B13/24 , C30B29/30 , C30B29/32 , C30B29/607 , G02F1/0115 , G02F1/3558 , G02F1/365
摘要：本發明係關於一種晶體光纖之製造方法，係用以生長具有不同極化反轉區域之晶體光纖，該方法包括：(a)提供一原始基材，此基材可為晶體或粉末；(b)將該原始基材置於一製造裝置中；及(c)於該製造裝置中將該原始基材生長成該晶體光纖，該晶體光纖直徑小於500μm，且於生長過程中提供一外加電場，以誘發該晶體光纖之晶體產生微擺動。藉此，可使區域極化向量反轉同時於鐵電性晶體材料之生長過程中完成。
简体摘要：本发明系关于一种晶体光纤之制造方法，系用以生长具有不同极化反转区域之晶体光纤，该方法包括：(a)提供一原始基材，此基材可为晶体或粉末；(b)将该原始基材置于一制造设备中；及(c)于该制造设备中将该原始基材生长成该晶体光纤，该晶体光纤直径小于500μm，且于生长过程中提供一外加电场，以诱发该晶体光纤之晶体产生微摆动。借此，可使区域极化矢量反转同时于铁电性晶体材料之生长过程中完成。

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