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1. 发明专利

TW200538775A 晶體光纖之製造方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A CRYSTAL FIBER 失效
简体标题：晶体光纤之制造方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A CRYSTAL FIBER
公开(公告)号：TW200538775A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW093114270
申请日：2004-05-20
申请人：國立中山大學 NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：郭家彰 KUO, CHIA-CHANG , 李立民 LEE, LI-MIN , 卓裕傑 CHO, YU-CHIEH , 黃升龍 HUANG, SHENG-LUNG , 黃勝邦 HUANG, SHENG-BANG
IPC分类号： G02B
CPC分类号： C04B35/62231 , C04B35/495 , C04B35/62268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3284 , C04B2235/5264 , C30B13/00 , C30B13/24 , C30B29/30 , C30B29/32 , C30B29/607 , G02F1/0115 , G02F1/3558 , G02F1/365
摘要：本發明係關於一種晶體光纖之製造方法，係用以生長具有不同極化反轉區域之晶體光纖，該方法包括：(a)提供一原始基材，此基材可為晶體或粉末；(b)將該原始基材置於一製造裝置中；及(c)於該製造裝置中將該原始基材生長成該晶體光纖，該晶體光纖直徑小於500μm，且於生長過程中提供一外加電場，以誘發該晶體光纖之晶體產生微擺動。藉此，可使區域極化向量反轉同時於鐵電性晶體材料之生長過程中完成。
简体摘要：本发明系关于一种晶体光纤之制造方法，系用以生长具有不同极化反转区域之晶体光纤，该方法包括：(a)提供一原始基材，此基材可为晶体或粉末；(b)将该原始基材置于一制造设备中；及(c)于该制造设备中将该原始基材生长成该晶体光纤，该晶体光纤直径小于500μm，且于生长过程中提供一外加电场，以诱发该晶体光纤之晶体产生微摆动。借此，可使区域极化矢量反转同时于铁电性晶体材料之生长过程中完成。

2. 发明专利

TW200616913A 晶體光纖之製造方法及製造裝置 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A CRYSTAL FIBER 审中-公开
简体标题：晶体光纤之制造方法及制造设备 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING A CRYSTAL FIBER
公开(公告)号：TW200616913A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW093135888
申请日：2004-11-22
申请人：國立中山大學 NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：周采璇 CHOU, TSAI-SHUAN , 李立民 LEE, LI-MIN , 郭家彰 KUO, CHIA-CHANG , 黃勝邦 HUANG, SHENG-BANG , 李孝文 LEE, HSIAO-WEN , 黃升龍 HUANG, SHENG LUNG
IPC分类号： C03B
CPC分类号： C30B13/00 , C30B29/30 , C30B29/32
摘要：本發明係關於一種晶體光纖之製造裝置，係用以將一原始基材生長成一具有不同極化反轉區域之晶體光纖，該原始基材與該晶體光纖間為一熔融區，該製造裝置係類似一雷射加熱提拉(laser heated pedestal growth，LHPG)生長裝置，其特徵在於其更包括一第一外加電場產生裝置及一第二外加電場產生裝置，該第一外加電場產生裝置係用以產生一第一外加電場，該第一外加電場係施於該熔融區，以誘發該晶體光纖之晶體產生微擺動，而同步完成該晶體光纖之極化反轉。該第二外加電場產生裝置係用以產生一第二外加電場，該第二外加電場係施於該第一外加電場上方一預設位置處，以控制及維持該微擺動之擺幅。藉此，可精確地控制晶體光纖之生長條件，以製成整齊且均勻極化反轉之週期性結構。
简体摘要：本发明系关于一种晶体光纤之制造设备，系用以将一原始基材生长成一具有不同极化反转区域之晶体光纤，该原始基材与该晶体光纤间为一熔融区，该制造设备系类似一激光加热提拉(laser heated pedestal growth，LHPG)生长设备，其特征在于其更包括一第一外加电场产生设备及一第二外加电场产生设备，该第一外加电场产生设备系用以产生一第一外加电场，该第一外加电场系施于该熔融区，以诱发该晶体光纤之晶体产生微摆动，而同步完成该晶体光纤之极化反转。该第二外加电场产生设备系用以产生一第二外加电场，该第二外加电场系施于该第一外加电场上方一默认位置处，以控制及维持该微摆动之摆幅。借此，可精确地控制晶体光纤之生长条件，以制成整齐且均匀极化反转之周期性结构。

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