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1. 发明专利

TW201316572A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201316572A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW100136713
申请日：2011-10-11
申请人：旭麗電子(廣州)有限公司 , SILITEK ELECTRONIC (GUANGZHOU) CO., LTD. , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：許世昌 , HSU, SHIH CHANG , 李琮祺 , LEE, TSUNG CHI , 李柏緯 , LI, PO WEI
IPC分类号： H01L33/64
摘要：一種發光裝置，其包括：一發光單元及一導熱絕緣單元。發光單元包括至少一第一導電支架、至少一鄰近第一導電支架的第二導電支架、一介於第一導電支架與第二導電支架之間的殼體、及至少一設置於第一導電支架上的發光元件，其中第一導電支架具有至少一從殼體裸露的第一導電部及至少一從殼體裸露的導熱部，且第二導電支架具有至少一從殼體裸露的第二導電部。導熱絕緣單元包括至少一設置於導熱部上的導熱絕緣層。因此，本發明可透過“導熱絕緣層設置於導熱部上”的設計，規劃發光元件的導熱路徑和導電路徑，使得發光裝置的散熱效能可以被有效提升。
简体摘要：一种发光设备，其包括：一发光单元及一导热绝缘单元。发光单元包括至少一第一导电支架、至少一邻近第一导电支架的第二导电支架、一介于第一导电支架与第二导电支架之间的壳体、及至少一设置于第一导电支架上的发光组件，其中第一导电支架具有至少一从壳体裸露的第一导电部及至少一从壳体裸露的导热部，且第二导电支架具有至少一从壳体裸露的第二导电部。导热绝缘单元包括至少一设置于导热部上的导热绝缘层。因此，本发明可透过“导热绝缘层设置于导热部上”的设计，规划发光组件的导热路径和导电路径，使得发光设备的散热性能可以被有效提升。

2. 发明专利

TW201731128A 光電半導體裝置审中-公开
简体标题：光电半导体设备
公开(公告)号：TW201731128A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105105864
申请日：2016-02-26
申请人：光寶光電(常州)有限公司 , LITE-ON OPTO TECHNOLOGY (CHANGZHOU) CO., LTD. , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳奕璇 , CHEN, YI HSUAN , 徐世昌 , HSU, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/56
摘要：本發明提供一種光電半導體裝置，其包含基板、發光二極體晶片、波長轉換材料、封裝膠，以及保護層。發光二極體晶片設置於基板上。封裝膠具有高於D50的蕭氏硬度或小於10g/m2▪24hrs的透溼性，且波長轉換材料包含主峰波長在綠色光譜範圍內的第一波長轉換物質及主峰波長在紅色光譜範圍內的第二波長轉換物質，其等為具有≦50奈米的放射光譜半高寬的螢光材料。本發明的光電半導體裝置展現經改良的廣色域(high NTSC)特性及亮度，且同時具有優良的信賴性。
简体摘要：本发明提供一种光电半导体设备，其包含基板、发光二极管芯片、波长转换材料、封装胶，以及保护层。发光二极管芯片设置于基板上。封装胶具有高于D50的萧氏硬度或小于10g/m2▪24hrs的透湿性，且波长转换材料包含主峰波长在绿色光谱范围内的第一波长转换物质及主峰波长在红色光谱范围内的第二波长转换物质，其等为具有≦50奈米的放射光谱半高宽的萤光材料。本发明的光电半导体设备展现经改良的广色域(high NTSC)特性及亮度，且同时具有优良的信赖性。

3. 发明专利

TWI624968B 可提供預定視角的發光二極體封裝結構、發光二極體封裝模組、及其成形方法有权
简体标题：可提供预定视角的发光二极管封装结构、发光二极管封装模块、及其成形方法
公开(公告)号：TWI624968B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW106102156
申请日：2017-01-20
申请人：光寶光電(常州)有限公司 , LITE-ON OPTO TECHNOLOGY (CHANGZHOU) CO., LTD. , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：簡伊辰 , CHIEN, I CHEN , 徐世昌 , HSU, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L33/52 , H01L33/58

4. 发明专利

TWI591844B 發光二極體結構、元件及其製造方法有权
简体标题：发光二极管结构、组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI591844B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW105117572
申请日：2016-06-03
申请人：光寶光電(常州)有限公司 , LITE-ON OPTO TECHNOLOGY (CHANGZHOU) CO., LTD. , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：簡伊辰 , CHIEN, I CHEN , 徐世昌 , HSU, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L33/30

5. 发明专利

TWI563693B 光電半導體裝置有权
简体标题：光电半导体设备
公开(公告)号：TWI563693B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW105105864
申请日：2016-02-26
申请人：光寶光電(常州)有限公司 , LITE-ON OPTO TECHNOLOGY (CHANGZHOU) CO., LTD. , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳奕璇 , CHEN, YI HSUAN , 徐世昌 , HSU, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/56

6. 发明专利

TWI438377B 燈具裝置失效
简体标题：灯具设备
公开(公告)号：TWI438377B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW100101219
申请日：2011-01-13
申请人：光寶電子(廣州)有限公司 , LITE-ON ELECTRONICS (GUANGZHOU) LIMITED , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：李琮祺 , LEE, TSUNG CHI , 許世昌 , HSU, SHIH CHANG
IPC分类号： F21V29/00 , F21Y101/02

7. 发明专利

TWI427238B 發光二極體球型燈泡有权
简体标题：发光二极管球型灯泡
公开(公告)号：TWI427238B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW100114431
申请日：2011-04-26
申请人：光寶電子(廣州)有限公司 , LITE-ON ELECTRONICS (GUANGZHOU) LIMITED , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：李柏緯 , LI, PO WEI , 李琮祺 , LEE, TSUNG CHI , 許世昌 , HSU, SHIH CHANG , 游晶瑩 , YU, CHIN YIN
IPC分类号： F21S6/00 , F21V29/00 , F21V3/00 , F21Y101/02

8. 发明专利

TW201828504A 可提供預定視角的發光二極體封裝結構、發光二極體封裝模組、及其成形方法审中-公开
简体标题：可提供预定视角的发光二极管封装结构、发光二极管封装模块、及其成形方法
公开(公告)号：TW201828504A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106102156
申请日：2017-01-20
申请人：光寶光電(常州)有限公司 , LITE-ON OPTO TECHNOLOGY (CHANGZHOU) CO., LTD. , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：簡伊辰 , CHIEN, I CHEN , 徐世昌 , HSU, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L33/52 , H01L33/58
摘要：一種可提供預定視角的發光二極體封裝結構的成形方法，包括至少下列步驟：放置一覆晶式晶片於一承載基板上；填入底膠於所述覆晶式晶片的電極間的空隙以支撐所述覆晶式晶片；雷射剝離所述覆晶式晶片的一成長基板而形成一薄型化晶片，並且外露出的所述薄型化晶片的一磊晶結構；粗化所述薄型化晶片外露的所述磊晶結構；提供一視角調整結構於所述薄型化晶片；以及選定一預定的視角，依據線性迴歸分析的算式調整所述視角調整結構以達成所述預定的視角。
简体摘要：一种可提供预定视角的发光二极管封装结构的成形方法，包括至少下列步骤：放置一覆晶式芯片于一承载基板上；填入底胶于所述覆晶式芯片的电极间的空隙以支撑所述覆晶式芯片；激光剥离所述覆晶式芯片的一成长基板而形成一薄型化芯片，并且外露出的所述薄型化芯片的一磊晶结构；粗化所述薄型化芯片外露的所述磊晶结构；提供一视角调整结构于所述薄型化芯片；以及选定一预定的视角，依据线性回归分析的算式调整所述视角调整结构以达成所述预定的视角。

9. 发明专利

TW201725759A 發光二極體封裝結構审中-公开
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TW201725759A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100913
申请日：2016-01-13
申请人：光寶光電(常州)有限公司 , LITE-ON OPTO TECHNOLOGY (CHANGZHOU) CO., LTD. , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：簡伊辰 , CHIEN, I CHEN , 徐世昌 , HSU, SHIH CHANG
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光二極體封裝結構包括一導電架組合、一反射殼體、一紫外光LED晶片置於該導電架組合上以及一固晶膠黏固該紫外光LED晶片於該導電架組合。反射殼體包括矽樹脂模塑料及混合於矽樹脂模塑料內的填充材；其中填充材的能隙(energy gap)大於4電子伏特(eV)；本發明之填充材及其能隙可藉由下述公式選擇。當該填充材的折射率與該矽樹脂模塑料的折射率的差異小於或等於0.2時，該填充材的能隙滿足公式：E≧1240(nm‧eV)/(λ-150(nm))當該填充材的折射率與該矽樹脂模塑料的折射率的差異大於0.2時，該填充材的能隙滿足下列公式：E≧1240(nm‧eV)/(λ-50(nm))。
简体摘要：一种发光二极管封装结构包括一导电架组合、一反射壳体、一紫外光LED芯片置于该导电架组合上以及一固晶胶黏固该紫外光LED芯片于该导电架组合。反射壳体包括硅树脂模塑料及混合于硅树脂模塑料内的填充材；其中填充材的能隙(energy gap)大于4电子伏特(eV)；本发明之填充材及其能隙可借由下述公式选择。当该填充材的折射率与该硅树脂模塑料的折射率的差异小于或等于0.2时，该填充材的能隙满足公式：E≧1240(nm‧eV)/(λ-150(nm))当该填充材的折射率与该硅树脂模塑料的折射率的差异大于0.2时，该填充材的能隙满足下列公式：E≧1240(nm‧eV)/(λ-50(nm))。

10. 发明专利

TWI582417B 氣體感測器有权
简体标题：气体传感器
公开(公告)号：TWI582417B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105106886
申请日：2016-03-07
申请人：光寶光電(常州)有限公司 , LITE-ON OPTO TECHNOLOGY (CHANGZHOU) CO., LTD. , 光寶科技股份有限公司 , LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：王秋月 , WANG, CHIOU YUEH , 徐世昌 , HSU, SHIH CHANG
IPC分类号： G01N25/22 , G01N25/20

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