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1. 发明专利

TW201829670A 使用溶劑取代法之阻劑圖型塗佈用組成物之製造方法审中-公开
简体标题：使用溶剂取代法之阻剂图型涂布用组成物之制造方法
公开(公告)号：TW201829670A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106134159
申请日：2017-10-03
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C09D183/04 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： [課題] 提供用以於溶劑顯影微影術製程中塗佈於經圖型化之阻劑膜上而使圖型反轉之塗佈用組成物之製造方法。　　[解決手段] 一種塗佈於經圖型化之阻劑膜的組成物之製造方法，其包含將水解性矽烷於非醇系親水性溶劑中水解並縮合而得到水解縮合物之步驟(A)、對於該水解縮合物將其非醇系親水性溶劑進行溶劑取代為疏水性溶劑之步驟(B)。一種半導體裝置之製造方法，其包含於基板上塗佈阻劑組成物而形成阻劑膜之步驟(1)、將該阻劑膜曝光與顯影之步驟(2)、於步驟(2)之顯影中或顯影後所得到的經圖型化之阻劑膜塗佈藉由上述之製造方法所得到之組成物，於圖型間形成塗膜之步驟(3)、將經圖型化之阻劑膜蝕刻去除而使圖型反轉之步驟(4)。一種製造方法，其中曝光係使用ArF雷射(波長193nm)或EUV(波長13.5nm)來進行。一種製造方法，其中顯影為以有機溶劑所進行之負型顯影。
简体摘要： [课题] 提供用以于溶剂显影微影术制程中涂布于经图型化之阻剂膜上而使图型反转之涂布用组成物之制造方法。　　[解决手段] 一种涂布于经图型化之阻剂膜的组成物之制造方法，其包含将水解性硅烷于非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而得到水解缩合物之步骤(A)、对于该水解缩合物将其非醇系亲水性溶剂进行溶剂取代为疏水性溶剂之步骤(B)。一种半导体设备之制造方法，其包含于基板上涂布阻剂组成物而形成阻剂膜之步骤(1)、将该阻剂膜曝光与显影之步骤(2)、于步骤(2)之显影中或显影后所得到的经图型化之阻剂膜涂布借由上述之制造方法所得到之组成物，于图型间形成涂膜之步骤(3)、将经图型化之阻剂膜蚀刻去除而使图型反转之步骤(4)。一种制造方法，其中曝光系使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)来进行。一种制造方法，其中显影为以有机溶剂所进行之负型显影。

2. 发明专利

TW201716510A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201716510A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105144248
申请日：2013-02-26
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANG CHING
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/08 , C08K5/5419 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G77/26 , C08G77/388 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/3086 , C08K5/548 , C08K5/5455
摘要：本發明之課題為提供一種阻劑形狀良好的EUV阻劑底層膜形成組成物。本發明之解決手段為一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)之水解縮合物的聚矽氧烷(A)；與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)。一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)之水解縮合物的聚矽氧烷(B)。聚矽氧烷(A)係四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷與芳基三烷氧基矽烷之共水解縮合物。
简体摘要：本发明之课题为提供一种阻剂形状良好的EUV阻剂底层膜形成组成物。本发明之解决手段为一种EUV微影用阻剂底层膜形成组成物，其系含有：含有水解性硅烷(a)之水解缩合物的聚硅氧烷(A)；与具有磺酰胺结构、羧酸酰胺结构、脲结构、或异三聚氰酸结构的水解性硅烷化合物(b)。一种EUV微影用阻剂底层膜形成组成物，其系含有：含有水解性硅烷(a)与具有磺酰胺结构、羧酸酰胺结构、脲结构、或异三聚氰酸结构的水解性硅烷化合物(b)之水解缩合物的聚硅氧烷(B)。聚硅氧烷(A)系四烷氧基硅烷、烷基三烷氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷之共水解缩合物。

3. 发明专利

TW201710325A 光阻圖型塗佈用組成物审中-公开
简体标题：光阻图型涂布用组成物
公开(公告)号：TW201710325A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105116287
申请日：2016-05-25
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08G77/26 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC分类号： G03F7/11 , C08G77/04 , C08G77/26 , C08G77/70 , C09D183/04 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：本發明之課題為提供用以塗佈於光阻圖型，且利用蝕刻速度差來進行圖型之反轉的組成物。其解決手段為一種組成物，其係含有下述(A)成分及(B)成分，且塗佈於光阻圖型之組成物，含有(A)成分：選自由金屬氧化物(a1)、多酸(a2)、多酸鹽(a3)、水解性矽烷(a4)、上述水解性矽烷之水解物(a5)、及上述水解性矽烷之水解縮合物(a6)所成之群的至少1種化合物；與(B)成分：水性溶劑，且上述水解性矽烷(a4)為包含具有胺基之有機基的水解性矽烷(i)、包含具有離子性官能基之有機基的水解性矽烷(ii)、包含具有羥基之有機基的水解性矽烷(iii)、或包含具有可轉換為羥基的官能基之有機基的水解性矽烷(iv)。
简体摘要：本发明之课题为提供用以涂布于光阻图型，且利用蚀刻速度差来进行图型之反转的组成物。其解决手段为一种组成物，其系含有下述(A)成分及(B)成分，且涂布于光阻图型之组成物，含有(A)成分：选自由金属氧化物(a1)、多酸(a2)、多酸盐(a3)、水解性硅烷(a4)、上述水解性硅烷之水解物(a5)、及上述水解性硅烷之水解缩合物(a6)所成之群的至少1种化合物；与(B)成分：水性溶剂，且上述水解性硅烷(a4)为包含具有胺基之有机基的水解性硅烷(i)、包含具有离子性官能基之有机基的水解性硅烷(ii)、包含具有羟基之有机基的水解性硅烷(iii)、或包含具有可转换为羟基的官能基之有机基的水解性硅烷(iv)。

4. 发明专利

TWI547764B 含有鈦及矽的微影用薄膜形成組成物有权
简体标题：含有钛及硅的微影用薄膜形成组成物
公开(公告)号：TWI547764B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101126278
申请日：2012-07-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 菅野裕太 , KANNO, YUTA , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： G03F7/075 , C08K5/56 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/31111 , H01L21/31138

5. 发明专利

TW201544918A 塗佈於光阻圖型之含聚合物塗佈液审中-公开
简体标题：涂布于光阻图型之含聚合物涂布液
公开(公告)号：TW201544918A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104104430
申请日：2015-02-10
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027 , C08G77/14
CPC分类号： G03F7/405 , C08L83/04 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2053 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/3086 , H01L21/31138
摘要：本發明之課題為，提供一種取代以往的清洗液所使用之塗佈於光阻圖型之塗佈液。本發明之解決手段為，一種塗佈於光阻圖型之塗佈液，其係包含：具有以下述式(1)所表示的結構單元之聚合物，與含有水及/或醇類之溶劑， (式中，R1係表示碳原子數1至12之有機基，X係表示以下述式(2)所表示之有機基， (式中，R2及R3係各自獨立表示直鏈狀或分支鏈狀的碳原子數1至3之伸烷基，該R2係與前述式(1)中之氧原子鍵結，R4係表示碳原子數1至4之烷氧基、烯丙氧基或羥基，p係表示0、1或2))。
简体摘要：本发明之课题为，提供一种取代以往的清洗液所使用之涂布于光阻图型之涂布液。本发明之解决手段为，一种涂布于光阻图型之涂布液，其系包含：具有以下述式(1)所表示的结构单元之聚合物，与含有水及/或醇类之溶剂， (式中，R1系表示碳原子数1至12之有机基，X系表示以下述式(2)所表示之有机基， (式中，R2及R3系各自独立表示直链状或分支链状的碳原子数1至3之伸烷基，该R2系与前述式(1)中之氧原子键结，R4系表示碳原子数1至4之烷氧基、烯丙氧基或羟基，p系表示0、1或2))。

6. 发明专利

TW201535056A 含有含氟界面活性劑之膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有含氟界面活性剂之膜形成组成物
公开(公告)号：TW201535056A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104104403
申请日：2015-02-10
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：梅嵜真紀子 , UMEZAKI, MAKIKO , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/027 , H01L21/027
CPC分类号： C09D133/12 , C08F220/14 , C08L33/14 , C08L101/00 , C08L101/04 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30 , H01L21/0276 , C08F212/14
摘要：本發明之課題為，提供一種使會導致即使藉由蝕刻步驟也無法被去除之不需要的殘渣產生之在被膜的周邊部所發生之邊緣堆積有所減低的被膜及其形成方法。本發明之解決手段為，一種於微影步驟中使用的膜形成組成物，其係含有包含具有碳數3至5之全氟烷基部分結構的聚合物及寡聚物之界面活性劑。全氟烷基部分結構的碳數係以4為佳。上述全氟烷基部分結構係可進一步包含烷基部分結構，上述聚合物及寡聚物係以(甲基)丙烯酸酯聚合物及寡聚物為佳。上述界面活性劑的含量係膜形成組成物之全固體成分的0.0001至1.5質量%。膜形成組成物係進一步包含塗膜樹脂，該樹脂係酚醛清漆樹脂、縮合環氧系樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、聚醚系樹脂或含矽樹脂等。所形成的膜係可利用作為阻劑底層膜或阻劑上層膜。
简体摘要：本发明之课题为，提供一种使会导致即使借由蚀刻步骤也无法被去除之不需要的残渣产生之在被膜的周边部所发生之边缘堆积有所减低的被膜及其形成方法。本发明之解决手段为，一种于微影步骤中使用的膜形成组成物，其系含有包含具有碳数3至5之全氟烷基部分结构的聚合物及寡聚物之界面活性剂。全氟烷基部分结构的碳数系以4为佳。上述全氟烷基部分结构系可进一步包含烷基部分结构，上述聚合物及寡聚物系以(甲基)丙烯酸酯聚合物及寡聚物为佳。上述界面活性剂的含量系膜形成组成物之全固体成分的0.0001至1.5质量%。膜形成组成物系进一步包含涂膜树脂，该树脂系酚醛清漆树脂、缩合环氧系树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚醚系树脂或含硅树脂等。所形成的膜系可利用作为阻剂底层膜或阻剂上层膜。

7. 发明专利

TW201522539A 抗蝕圖型所塗佈之塗佈液及反轉圖型之形成方法审中-公开
简体标题：抗蚀图型所涂布之涂布液及反转图型之形成方法
公开(公告)号：TW201522539A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103126594
申请日：2014-08-04
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： C09D183/04 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0752 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/0274
摘要：本發明的課題為提供一種被用來取代以往之清洗液的抗蝕圖型所塗佈之塗佈液。本發明的解決手段在於提供一種抗蝕圖型所塗佈之塗佈液，其係包含具有下述式(1)所示之構造單位及下述式(2)所示之構造單位之重量平均分子量500至3500的聚合物、與將水作為主成分之溶劑。 (式中，R1表示碳原子數1至8之有機基)。
简体摘要：本发明的课题为提供一种被用来取代以往之清洗液的抗蚀图型所涂布之涂布液。本发明的解决手段在于提供一种抗蚀图型所涂布之涂布液，其系包含具有下述式(1)所示之构造单位及下述式(2)所示之构造单位之重量平均分子量500至3500的聚合物、与将水作为主成分之溶剂。 (式中，R1表示碳原子数1至8之有机基)。

8. 发明专利

TWI643906B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI643906B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW105144248
申请日：2013-02-26
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANG CHING
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/08 , C08K5/5419 , G03F7/11 , H01L21/027

9. 发明专利

TWI590002B 含有磺酸鎓鹽的含矽ＥＵＶ阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有磺酸鎓盐的含硅ＥＵＶ阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI590002B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102127258
申请日：2013-07-30
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C08K5/42 , C09D183/04 , G03F7/0045 , G03F7/0752 , G03F7/0755 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , C08K5/092

10. 发明专利

TW201723662A 包含含有乙烯基或（甲基）丙烯醯氧基之聚矽氧烷的阻劑圖型塗佈用組成物审中-公开
简体标题：包含含有乙烯基或（甲基）丙烯酰氧基之聚硅氧烷的阻剂图型涂布用组成物
公开(公告)号：TW201723662A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105129485
申请日：2016-09-10
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU
IPC分类号： G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0274 , C08G77/20 , C09D151/085 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：提供一種用以在溶劑顯影微影流程塗佈於阻劑圖型上使圖型反轉之塗佈組成物。一種包含水解性矽烷經水解縮合而成之聚矽氧烷、與羧酸酯溶劑或醚溶劑之塗佈於阻劑圖型的組成物，該水解性矽烷為包含含乙烯基或(甲基)丙烯醯氧基之水解性矽烷者。水解性矽烷在全水解性矽烷中以20至100莫耳%的比例含有含乙烯基或(甲基)丙烯醯氧基之水解性矽烷。一種包含：於基板上塗佈阻劑的步驟(1)、將阻劑膜曝光接著進行顯影，形成阻劑圖型的步驟(2)、於顯影中或顯影後之阻劑圖型塗佈上述組成物的步驟(3)、藉由蝕刻去除阻劑圖型而使圖型反轉的步驟(4)的半導體裝置之製造方法。
简体摘要：提供一种用以在溶剂显影微影流程涂布于阻剂图型上使图型反转之涂布组成物。一种包含水解性硅烷经水解缩合而成之聚硅氧烷、与羧酸酯溶剂或醚溶剂之涂布于阻剂图型的组成物，该水解性硅烷为包含含乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基之水解性硅烷者。水解性硅烷在全水解性硅烷中以20至100莫耳%的比例含有含乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基之水解性硅烷。一种包含：于基板上涂布阻剂的步骤(1)、将阻剂膜曝光接着进行显影，形成阻剂图型的步骤(2)、于显影中或显影后之阻剂图型涂布上述组成物的步骤(3)、借由蚀刻去除阻剂图型而使图型反转的步骤(4)的半导体设备之制造方法。

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