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1. 发明专利

TW202008503A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202008503A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108121348
申请日：2019-06-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張博欽 , CHANG, PO CHIN , 林立德 , LIN, LI TE , 林斌彥 , LIN, PINYEN
IPC分类号： H01L21/70 , H01L29/06
摘要：一種方法包括以下步驟。在基板上形成沿第一方向延伸的半導體鰭片。在半導體鰭片上形成源極/汲極區域，在源極/汲極區域上方形成第一層間介電層。形成橫跨半導體鰭片並且在實質上垂直於第一方向的第二方向上延伸的閘極堆疊。在第一層間介電層上形成具有第一開口的圖案化遮罩。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉積速率的沉積製程在第一開口中形成保護層。在形成保護層之後，第一開口在第二方向上延伸。第二開口形成在第一層間介電層中並且在延伸的第一開口下方。在第二開口中形成導電材料。
简体摘要：一种方法包括以下步骤。在基板上形成沿第一方向延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上形成源极/汲极区域，在源极/汲极区域上方形成第一层间介电层。形成横跨半导体鳍片并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上延伸的闸极堆栈。在第一层间介电层上形成具有第一开口的图案化遮罩。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉积速率的沉积制程在第一开口中形成保护层。在形成保护层之后，第一开口在第二方向上延伸。第二开口形成在第一层间介电层中并且在延伸的第一开口下方。在第二开口中形成导电材料。

2. 发明专利

TWI673779B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI673779B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107141938
申请日：2018-11-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：詹易叡 , JHAN, YI RUEI , 陳怡倫 , CHEN, YI LUN , 李芳葦 , LEE, FANG WEI , 林含諭 , LIN, HAN YU , 林立德 , LIN, LI TE , 林斌彥 , LIN, PINYEN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3065

3. 发明专利

TWI595967B 硏磨墊、硏磨墊的製作方法及硏磨方法有权
简体标题：研磨垫、研磨垫的制作方法及研磨方法
公开(公告)号：TWI595967B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105132397
申请日：2016-10-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃志豪 , HUANG, CHI HAO , 劉炫邦 , LIU, HSUAN PANG , 謝元淳 , SIE, YUAN CHUN , 林斌彥 , LIN, PINYEN , 簡正忠 , CHIEN, CHENG CHUNG
IPC分类号： B24B37/20 , B24B37/22 , B24B37/26 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/20

4. 发明专利

TW201720583A 硏磨墊、硏磨墊的製作方法及硏磨方法审中-公开
简体标题：研磨垫、研磨垫的制作方法及研磨方法
公开(公告)号：TW201720583A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105132397
申请日：2016-10-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃志豪 , HUANG, CHI HAO , 劉炫邦 , LIU, HSUAN PANG , 謝元淳 , SIE, YUAN CHUN , 林斌彥 , LIN, PINYEN , 簡正忠 , CHIEN, CHENG CHUNG
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/20 , B24B53/02 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/20
摘要：一種用於化學機械研磨設備的研磨墊，其包含第一支撐層與研磨層。研磨層位於第一支撐層上。研磨層具有頂面與至少一第一空腔。研磨層的頂面背對於第一支撐層。第一空腔至少埋藏於研磨層的頂面下方。
简体摘要：一种用于化学机械研磨设备的研磨垫，其包含第一支撑层与研磨层。研磨层位于第一支撑层上。研磨层具有顶面与至少一第一空腔。研磨层的顶面背对于第一支撑层。第一空腔至少埋藏于研磨层的顶面下方。

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