专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI429030B 發光二極體基板與發光二極體有权
简体标题：发光二极管基板与发光二极管
公开(公告)号：TWI429030B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW100117040
申请日：2011-05-16
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：吳耀銓 , WU, YEW CHUNG SERMON , 蕭豐慶 , HSIAO, FENG CHING , 陳俞中 , CHEN, YU CHUNG , 曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 林博文 , LIN, BO WEN , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： H01L21/86 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007

2. 发明专利

TWI359885B 磊晶基板及其製造方法以及利用該磊晶基板成長之發光二極體有权
简体标题：磊晶基板及其制造方法以及利用该磊晶基板成长之发光二极管
公开(公告)号：TWI359885B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW096127492
申请日：2007-07-27
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：吳耀銓 , 徐文慶 , 何思樺
IPC分类号： C30B , H01S
摘要：本發明之磊晶基板上係形成有長晶過程中所形成之缺陷，各缺陷經濕式蝕刻後形成粗化表面，可簡化習有圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate；pss)之製程。
简体摘要：本发明之磊晶基板上系形成有长晶过程中所形成之缺陷，各缺陷经湿式蚀刻后形成粗化表面，可简化习有图案化蓝宝石基板(patterned sapphire substrate；pss)之制程。

3. 发明专利

TW201327908A 發光二極體基板及其製造方法與發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管基板及其制造方法与发光二极管
公开(公告)号：TW201327908A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100147464
申请日：2011-12-20
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：吳耀銓 , WU, YEW CHUNG SERMON , 林博文 , LIN, BO WEN , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 牛振儀 , NIU, CHEN YI , 王寶明 , WANG, BAU MING , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： H01L33/22
摘要：一種發光二極體基板及其製造方法與發光二極體，其中的發光二極體基板的一面具有經一第一處理程序形成的多個突起結構，而每一突起結構的表面為經一第二處理程序形成的一缺陷表面。在每個突起結構的橫截面下，缺陷表面的長度在不小於0.5μm的範圍內，缺陷表面之表面高低差大於每一突起結構經第一處理程序的表面高低差。
简体摘要：一种发光二极管基板及其制造方法与发光二极管，其中的发光二极管基板的一面具有经一第一处理进程形成的多个突起结构，而每一突起结构的表面为经一第二处理进程形成的一缺陷表面。在每个突起结构的横截面下，缺陷表面的长度在不小于0.5μm的范围内，缺陷表面之表面高低差大于每一突起结构经第一处理进程的表面高低差。

4. 实用新型

TWM406803U 沉積裝置及其成型之圖案化基板有权
简体标题：沉积设备及其成型之图案化基板
公开(公告)号：TWM406803U
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099223885
申请日：2010-12-09
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：吳耀銓 , 許堉程 , 王寶明 , 林博文 , 徐文慶 , 楊昆霖
IPC分类号： H01L
摘要：本創作之沉積裝置至少包含有：一第一、第二槽體、一過濾泵浦、一管路以及加熱器，可將矽氟酸與矽膠均勻所混合之第一混合液與第一溶液(可為硼酸)均勻混合，而形成含有飽和二氧化矽之第二混合液，當基板浸入該第二槽體並接觸該第二混合液時，其二氧化矽則附著沉積於該基板表面而形成圖案化基板，本創作不僅提供一結構簡單且可快速成型圖案化基板之沉積裝置。
简体摘要：本创作之沉积设备至少包含有：一第一、第二槽体、一过滤泵浦、一管路以及加热器，可将硅氟酸与硅胶均匀所混合之第一混合液与第一溶液(可为硼酸)均匀混合，而形成含有饱和二氧化硅之第二混合液，当基板浸入该第二槽体并接触该第二混合液时，其二氧化硅则附着沉积于该基板表面而形成图案化基板，本创作不仅提供一结构简单且可快速成型图案化基板之沉积设备。

5. 实用新型

TWM383203U 圖案化基板改良及磊晶結構及發光元件有权
简体标题：图案化基板改良及磊晶结构及发光组件
公开(公告)号：TWM383203U
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：TW099202800
申请日：2010-02-10
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：吳耀銓 , 林博文 , 徐文慶 , 何思樺
IPC分类号： H01L
摘要：本創作之磊晶結構係至少包含有一基板以及形成於該基板上之磊晶層，該基板之上表面設有複數與基板材質相異之生長遮塊，各生長遮塊係由基板表面朝遠離表面方向漸縮，藉由該基板進行磊晶形成磊晶層時，各生長遮塊表面無法磊晶，讓未受生長遮塊遮蔽之表面可形成側向磊晶成長於各生長遮塊上，並覆蓋各生長遮塊，令整體磊晶層可具有低缺陷密度排列，並有效提高後續元件製作的良率。
简体摘要：本创作之磊晶结构系至少包含有一基板以及形成于该基板上之磊晶层，该基板之上表面设有复数与基板材质相异之生长遮块，各生长遮块系由基板表面朝远离表面方向渐缩，借由该基板进行磊晶形成磊晶层时，各生长遮块表面无法磊晶，让未受生长遮块屏蔽之表面可形成侧向磊晶成长于各生长遮块上，并覆盖各生长遮块，令整体磊晶层可具有低缺陷密度排列，并有效提高后续组件制作的良率。

6. 发明专利

TW201000697A 針對藍寶石基板之蝕刻方法及圖案化藍寶石基板 ETCHING PROCESS FOR SAPPHIRE SUBSTRATE AND PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：针对蓝宝石基板之蚀刻方法及图案化蓝宝石基板 ETCHING PROCESS FOR SAPPHIRE SUBSTRATE AND PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201000697A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW097123195
申请日：2008-06-20
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , 吳耀銓
发明人：吳耀銓 , 鄭季豪 , 邱偉哲 , 林博文 , 楊昆霖 , 徐文慶 , 何思樺
IPC分类号： C30B , H01L
摘要：本發明揭露一種針對藍寶石基板之蝕刻方法及一種圖案化藍寶石基板。藍寶石基板具有結晶方向為(0001)之上表面，並且複數個完整的三角錐結構自上表面突出。每一個三角錐結構具有一方向為(102)之第一結晶面、一方向為(012)之第二結晶面以及一方向為(102)之第三結晶面。該等完整的三角錐結構之形成係藉由一第一蝕刻液蝕刻上表面上之部份區域以於上表面形成數個平頂的三角錐結構，接著再藉由一第二蝕刻液再度蝕刻該部份區域，致使該等平頂的三角錐結構形成該等完整的三角錐結構。
简体摘要：本发明揭露一种针对蓝宝石基板之蚀刻方法及一种图案化蓝宝石基板。蓝宝石基板具有结晶方向为(0001)之上表面，并且复数个完整的三角锥结构自上表面突出。每一个三角锥结构具有一方向为(102)之第一结晶面、一方向为(012)之第二结晶面以及一方向为(102)之第三结晶面。该等完整的三角锥结构之形成系借由一第一蚀刻液蚀刻上表面上之部份区域以于上表面形成数个平顶的三角锥结构，接着再借由一第二蚀刻液再度蚀刻该部份区域，致使该等平顶的三角锥结构形成该等完整的三角锥结构。

7. 发明专利

TWI440219B 發光二極體基板及其製造方法與發光二極體有权
简体标题：发光二极管基板及其制造方法与发光二极管
公开(公告)号：TWI440219B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW100147464
申请日：2011-12-20
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：吳耀銓 , WU, YEW CHUNG SERMON , 林博文 , LIN, BO WEN , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 牛振儀 , NIU, CHEN YI , 王寶明 , WANG, BAU MING , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： H01L33/22

8. 发明专利

TW201225337A 磊晶基板、使用該磊晶基板之半導體發光元件及其製程 EPITAXIAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE USING SUCH EPITAXIAL SUBSTRATE AND MANUFACTURE THEREOF 审中-公开
简体标题：磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光组件及其制程 EPITAXIAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE USING SUCH EPITAXIAL SUBSTRATE AND MANUFACTURE THEREOF
公开(公告)号：TW201225337A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099142923
申请日：2010-12-09
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：林博文 , 鍾承璋 , 錢奐宇 , 吳耀銓 , 徐文慶 , 楊昆霖
IPC分类号： H01L , C30B
摘要：本發明係揭露一種磊晶基板、使用該磊晶基板之半導體發光元件及其製程。根據本發明之磊晶基板包含一晶體基板。該晶體基板提供一為a-平面、r-平面或m-平面的晶體表面。特別地,該晶體基板之該晶體表面上具有複數個突出結構。
简体摘要：本发明系揭露一种磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光组件及其制程。根据本发明之磊晶基板包含一晶体基板。该晶体基板提供一为a-平面、r-平面或m-平面的晶体表面。特别地,该晶体基板之该晶体表面上具有复数个突出结构。

9. 发明专利

TW201225160A 液相沉積方法审中-公开
简体标题：液相沉积方法
公开(公告)号：TW201225160A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099143001
申请日：2010-12-09
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：吳耀銓 , 許堉程 , 卓昕如 , 牛振儀 , 林博文 , 徐文慶 , 楊昆霖
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之液相沉積方法主要係先於該基板表面形成遮罩圖案,由該遮罩圖案定義出欲成長二氧化矽的區域,再利用液相沉積法成長二氧化矽,最後將遮罩圖案去除,使該基板表面形成圖案化二氧化矽膜,以形成圖案化基板。
简体摘要：本发明之液相沉积方法主要系先于该基板表面形成遮罩图案,由该遮罩图案定义出欲成长二氧化硅的区域,再利用液相沉积法成长二氧化硅,最后将遮罩图案去除,使该基板表面形成图案化二氧化硅膜,以形成图案化基板。

10. 发明专利

TWI416599B 液相沉積方法有权
简体标题：液相沉积方法
公开(公告)号：TWI416599B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099143001
申请日：2010-12-09
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：吳耀銓 , WU, YEWCHUNG SERMON , 許堉程 , 卓昕如 , 牛振儀 , 林博文 , LIN, BO WEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING , 楊昆霖 , YANG, KUN LIN
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/306

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式