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1. 发明专利

TWI677108B 凹槽型圖案化基板結構、具高散熱能力的半導體元件、及利用該凹槽型圖案化基板結構製作該具高散熱能力的半導體元件之方法有权
简体标题：凹槽型图案化基板结构、具高散热能力的半导体组件、及利用该凹槽型图案化基板结构制作该具高散热能力的半导体组件之方法
公开(公告)号：TWI677108B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW108103984
申请日：2019-02-01
申请人：柯文政 , KE, WEN-CHENG
发明人：柯文政 , KE, WEN-CHENG , 江智詠 , CHIANG, CHIH-YUNG , 凃益儒 , TU, YI-ZU
IPC分类号： H01L33/20

2. 发明专利

TW201247504A 聚光型太陽能保溫杯 CONCENTRATED SOLAR-POWERED THERMAL CUP 审中-公开
简体标题：聚光型太阳能保温杯 CONCENTRATED SOLAR-POWERED THERMAL CUP
公开(公告)号：TW201247504A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100118748
申请日：2011-05-27
申请人：柯文政
发明人：柯文政
IPC分类号： B65D , A47J , F03G
CPC分类号： Y02E10/46
摘要：一種聚光型太陽能保溫杯，包含一杯體、多個太陽能板、多個聚光鏡以及多個支架。杯體具有至少一容置槽，太陽能板設置於容置槽內，聚光鏡位於太陽能板的上方，支架位於杯體與聚光鏡之間，支架佈設於容置槽的外圍，支架的一端連接杯體，另一端連接聚光鏡。藉此，聚光型太陽能保溫杯具有加熱的功能。
简体摘要：一种聚光型太阳能保温杯，包含一杯体、多个太阳能板、多个聚光镜以及多个支架。杯体具有至少一容置槽，太阳能板设置于容置槽内，聚光镜位于太阳能板的上方，支架位于杯体与聚光镜之间，支架布设于容置槽的外围，支架的一端连接杯体，另一端连接聚光镜。借此，聚光型太阳能保温杯具有加热的功能。

3. 发明专利

TW201107529A 電容式電漿與線性微波電漿之混成鍍膜裝置失效
简体标题：电容式等离子与线性微波等离子之混成镀膜设备
公开(公告)号：TW201107529A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW098127660
申请日：2009-08-18
申请人：沈幼敏 , 李碩仁 , 沈和畇 , 李其源 , 柯文政
发明人：沈幼敏 , 李碩仁 , 沈和畇 , 李其源 , 柯文政
IPC分类号： C23C
摘要：本發明係有關一種電容式電漿與線性微波電漿之混成鍍膜裝置，其包括：一容器、一第一板、一第二板、一電容式電漿之控制部、至少兩個線性微波電漿產生部及一第二氣體供應管。該容器係具有一第一空間、一第二空間及一第三空間；以氫氣或氮氣先進入該第一空間中，再進入該第二空間而被分解，分解後之氫原子或氮原子進入該第三空間與矽烷進行電漿增強之化學氣相鍍膜反應，進而在該工件上形成一含矽鍍膜。由於先用電容式電漿將難分解之氫氣或氮氣分解，故，本發明兼具鍍膜速率高及成本低等優點及功效。
简体摘要：本发明系有关一种电容式等离子与线性微波等离子之混成镀膜设备，其包括：一容器、一第一板、一第二板、一电容式等离子之控制部、至少两个线性微波等离子产生部及一第二气体供应管。该容器系具有一第一空间、一第二空间及一第三空间；以氢气或氮气雪铁龙入该第一空间中，再进入该第二空间而被分解，分解后之氢原子或氮原子进入该第三空间与硅烷进行等离子增强之化学气相镀膜反应，进而在该工件上形成一含硅镀膜。由于先用电容式等离子将难分解之氢气或氮气分解，故，本发明兼具镀膜速率高及成本低等优点及功效。

4. 发明专利

TW202030891A 凹槽型圖案化基板結構、具高散熱能力的半導體元件、及利用該凹槽型圖案化基板結構製作該具高散熱能力的半導體元件之方法审中-公开
简体标题：凹槽型图案化基板结构、具高散热能力的半导体组件、及利用该凹槽型图案化基板结构制作该具高散热能力的半导体组件之方法
公开(公告)号：TW202030891A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108103984
申请日：2019-02-01
申请人：柯文政 , KE, WEN-CHENG
发明人：柯文政 , KE, WEN-CHENG , 江智詠 , CHIANG, CHIH-YUNG , 凃益儒 , TU, YI-ZU
IPC分类号： H01L33/20
摘要：本發明主要提出一種凹槽型圖案化基板結構，其係可以被應用在一具高散熱能力的半導體元件的製作流程之中。本發明之凹槽型圖案化基板結構包括：一基板、由複數個凹型槽孔組成的一凹槽型圖案、以及至少一層二維材料界面層。特別地，於此凹槽型圖案化基板結構製作半導體元件結構層時，半導體元件結構層的底部磊晶層無法填滿基板上的複數個所述凹型槽孔。同時，基於二維材料的層間鍵結為微弱的凡德瓦力，因此在所述凹槽型圖案化基板結構之上完成半導體元件結構層的製作之後，可以利用治具輕易地將所述半導體元件結構層自該凹槽型圖案化基板結構上分離；進一步地，再將半導體元件結構層轉移至具高散熱效果的基板上，完成所述具高散熱能力的半導體元件製作。
简体摘要：本发明主要提出一种凹槽型图案化基板结构，其系可以被应用在一具高散热能力的半导体组件的制作流程之中。本发明之凹槽型图案化基板结构包括：一基板、由复数个凹型槽孔组成的一凹槽型图案、以及至少一层二维材料界面层。特别地，于此凹槽型图案化基板结构制作半导体组件结构层时，半导体组件结构层的底部磊晶层无法填满基板上的复数个所述凹型槽孔。同时，基于二维材料的层间键结为微弱的凡德瓦力，因此在所述凹槽型图案化基板结构之上完成半导体组件结构层的制作之后，可以利用治具轻易地将所述半导体组件结构层自该凹槽型图案化基板结构上分离；进一步地，再将半导体组件结构层转移至具高散热效果的基板上，完成所述具高散热能力的半导体组件制作。

5. 发明专利

TWI378154B 電容式電漿與線性微波電漿之混成鍍膜裝置失效
简体标题：电容式等离子与线性微波等离子之混成镀膜设备
公开(公告)号：TWI378154B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW098127660
申请日：2009-08-18
申请人：沈幼敏 , 李碩仁 , 沈和畇 , 李其源 , 柯文政
发明人：沈幼敏 , 李碩仁 , 沈和畇 , 李其源 , 柯文政
IPC分类号： C23C
摘要：本發明係有關一種電容式電漿與線性微波電漿之混成鍍膜裝置，其包括：一容器、一第一板、一第二板、一電容式電漿之控制部、至少兩個線性微波電漿產生部及一第二氣體供應管。該容器係具有一第一空間、一第二空間及一第三空間；以氫氣或氮氣先進入該第一空間中，再進入該第二空間而被分解，分解後之氫原子或氮原子進入該第三空間與矽烷進行電漿增強之化學氣相鍍膜反應，進而在該工件上形成一含矽鍍膜。由於先用電容式電漿將難分解之氫氣或氮氣分解，故，本發明兼具鍍膜速率高及成本低等優點及功效。
简体摘要：本发明系有关一种电容式等离子与线性微波等离子之混成镀膜设备，其包括：一容器、一第一板、一第二板、一电容式等离子之控制部、至少两个线性微波等离子产生部及一第二气体供应管。该容器系具有一第一空间、一第二空间及一第三空间；以氢气或氮气雪铁龙入该第一空间中，再进入该第二空间而被分解，分解后之氢原子或氮原子进入该第三空间与硅烷进行等离子增强之化学气相镀膜反应，进而在该工件上形成一含硅镀膜。由于先用电容式等离子将难分解之氢气或氮气分解，故，本发明兼具镀膜速率高及成本低等优点及功效。

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