专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202030891A 凹槽型圖案化基板結構、具高散熱能力的半導體元件、及利用該凹槽型圖案化基板結構製作該具高散熱能力的半導體元件之方法审中-公开
简体标题：凹槽型图案化基板结构、具高散热能力的半导体组件、及利用该凹槽型图案化基板结构制作该具高散热能力的半导体组件之方法
公开(公告)号：TW202030891A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108103984
申请日：2019-02-01
申请人：柯文政 , KE, WEN-CHENG
发明人：柯文政 , KE, WEN-CHENG , 江智詠 , CHIANG, CHIH-YUNG , 凃益儒 , TU, YI-ZU
IPC分类号： H01L33/20
摘要：本發明主要提出一種凹槽型圖案化基板結構，其係可以被應用在一具高散熱能力的半導體元件的製作流程之中。本發明之凹槽型圖案化基板結構包括：一基板、由複數個凹型槽孔組成的一凹槽型圖案、以及至少一層二維材料界面層。特別地，於此凹槽型圖案化基板結構製作半導體元件結構層時，半導體元件結構層的底部磊晶層無法填滿基板上的複數個所述凹型槽孔。同時，基於二維材料的層間鍵結為微弱的凡德瓦力，因此在所述凹槽型圖案化基板結構之上完成半導體元件結構層的製作之後，可以利用治具輕易地將所述半導體元件結構層自該凹槽型圖案化基板結構上分離；進一步地，再將半導體元件結構層轉移至具高散熱效果的基板上，完成所述具高散熱能力的半導體元件製作。
简体摘要：本发明主要提出一种凹槽型图案化基板结构，其系可以被应用在一具高散热能力的半导体组件的制作流程之中。本发明之凹槽型图案化基板结构包括：一基板、由复数个凹型槽孔组成的一凹槽型图案、以及至少一层二维材料界面层。特别地，于此凹槽型图案化基板结构制作半导体组件结构层时，半导体组件结构层的底部磊晶层无法填满基板上的复数个所述凹型槽孔。同时，基于二维材料的层间键结为微弱的凡德瓦力，因此在所述凹槽型图案化基板结构之上完成半导体组件结构层的制作之后，可以利用治具轻易地将所述半导体组件结构层自该凹槽型图案化基板结构上分离；进一步地，再将半导体组件结构层转移至具高散热效果的基板上，完成所述具高散热能力的半导体组件制作。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式