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    • 3. 发明授权
    • 표면 제어 3차원 구조체 형성방법, 이에 의해 형성된 표면 제어 3차원 구조체 그리고 이를 이용한 광전소자
    • KR102468450B1
    • 2022-11-18
    • KR1020200166226
    • 2020-12-02
    • H01L33/00H01L31/18
    • 본발명은표면제어 3차원구조체에관한것으로서, 기재상부에식각저항성이서로다른복수개의표면제어층을형성하는단계와, 노광공정에의해상기표면제어층각각에상기식각저항성에따라크기가서로다른제어패턴을형성하되, 상측제어패턴에비해하측제어패턴은확장컷(Extension-cut)을이루는단계와, 상기제어패턴이형성된복수개의표면제어층을식각마스크로하여상기기재의일부에 1차식각패턴을형성하는단계와, 최상층에서부터순차적으로상기표면제어층을제거하면서, 잔존표면제어층을식각마스크로하여상기기재의일부에상기 1차식각패턴과서로다른형상의식각패턴을중첩형성한표면제어 3차원구조체를형성하는단계를포함하는것을특징으로하는표면제어 3차원구조체형성방법및 이에의해형성된표면제어 3차원구조체그리고이를이용한광전소자를기술적요지로한다. 이에의해기재에표면제어 3차원구조체를형성시켜기재의표면을제어(표면적확장, 표면형상조절, 표면특성조절등)하여그 특성을개선시키는표면제어 3차원구조체를제공하고, 이를이용하여광 추출효율을극대화시킨광전소자를제공하게된다.
    • 8. 发明公开
    • 금속 벌크를 포함하는 발광 소자
    • KR1020220148766A
    • 2022-11-07
    • KR1020220134070
    • 2022-10-18
    • H01L33/62H01L33/40H01L33/44H01L33/20H01L33/60H01L33/00
    • 본발명의일 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층, 제2 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층과활성층을관통하여제1 도전형반도체층을노출시키는복수개의홈부를포함하는발광구조체, 홈부내에위치하며, 제1 도전형반도체층과전기적으로접속하는제1 전극, 제1 전극으로부터절연되고, 제2 도전형반도체층하면에위치하며, 제2 도전형반도체층과전기적으로접속하는제2 전극, 제1 전극의하면과측면및 제2 전극의하면과측면상에위치하며, 제1 전극및 제2 전극을각각노출시키는개구부들을갖는절연층, 절연층의하면및 측면에서로이격되어위치하고, 개구부들을통해제1 전극및 제2 전극에각각전기적으로연결된제1 금속벌크, 제2 금속벌크및 제1 금속벌크의측면및 제2 금속벌크의측면에배치된절연부를포함하는지지구조체를포함할수 있다. 또한, 홈부는제1 홈부를포함하며, 제1 홈부는제1 영역, 제2 영역및 제1 영역과제2 영역을연결하는연결부를포함하며, 제1 영역은제1 금속벌크의상부에위치하며, 제2 영역은제2 금속벌크의상부에위치할수 있다.
    • 9. 发明授权
    • 나노로드 LED의 제조방법
    • KR102463022B1
    • 2022-11-03
    • KR1020210073965
    • 2021-06-08
    • H01L33/00H01L33/06B82Y20/00
    • 본발명의일실시예는나노로드 LED의제조방법을제공한다. 나노로드 LED의제조방법에서, 먼저기판상에제1 도전성을가지는제1 반도체층을형성한다. 이후, 상기제1 반도체층을복수의로드(rod) 형태로식각할수 있는마스크를상기제1 반도체층상에형성한다. 상기마스크를이용하여상기제1 반도체층을식각하여복수의제1 반도체로드를형성한다. 다음으로, 상기식각에의해노출된바닥면으로부터, 상기제1 반도체로드의상단과하단사이의설정된높이까지, 상기복수의제1 반도체로드의사이에지지부를형성한다. 상기지지부로부터노출된각 상기제1 반도체로드의표면에전자와정공의재결합에의해빛을생성하는활성층을형성한다. 상기활성층상에제2 도전성을가지는제2 반도체층을형성한다.