专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102446449B1 등구조적 금속-절연체 전이를 갖는 바나듐 디옥사이드 헤테로구조체 有权
公开(公告)号：KR102446449B1
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：KR1020197036393
申请日：2018-03-08
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/786 , H01L29/861 , H01L29/94 , H03K17/687

2. 发明授权

KR102435708B1 낮은 온저항 및 높은 홀딩 전압을 갖는 양방향 정전기 방전 보호소자 有权
公开(公告)号：KR102435708B1
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：KR1020210066868
申请日：2021-05-25
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/73 , H01L29/861
摘要： 낮은온저항및 높은홀딩전압특성을갖는양방향정전기방전보호소자가개시된다. 이는종래의 LTDDSCR 구조에서 P웰및 P+영역을추가하여 ESD 전류유입시, PNP 바이폴라트랜지스터추가형성에따른병렬방전경로를제공함으로써낮은온저항특성을가질수 있다. 또한, P+브릿지영역을 N웰및 P웰에접하도록형성하여바이폴라트랜지스터에의한정궤한동작시 PN 다이오드를통해방전되도록함으로써바이폴라트랜지스터의전류이득을낮춰높은홀딩전압을갖도록할 수있다.

3. 发明授权

KR102418774B1 고조파가 감소된 과도 전압 억제 다이오드 및 이를 제작 및 이용하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102418774B1
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：KR1020210063769
申请日：2021-05-18
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/62 , H01L29/66 , H01L49/02 , H01L29/861 , H01L21/768
摘要： 반도체디바이스는반도체다이를포함한다. 과도전압억제(TVS) 구조가반도체다이내에형성된다. 커패시터는반도체다이위에형성된다. 하나의실시예에서, 커패시터는반도체다이위에제1 전도성층을증착하고, 제1 전도성층 위에절연층을증착하며, 반도체다이위에제2 전도성층을증착함으로써형성된다. 또다른실시예에서, 커패시터는반도체다이내에트렌치를형성하고, 상기트렌치내에절연물질을증착하며, 상기트렌치내에전도성물질을증착함으로써형성된다.

4. 发明授权

KR102414341B1 고속 회로를 위한 이중 기판 측 ESD 다이오드 有权
公开(公告)号：KR102414341B1
公开(公告)日：2022-06-29
申请号：KR1020210053167
申请日：2021-04-23
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/60 , H01L23/528 , H01L23/485 , H01L23/50 , H01L29/861
摘要： ESD 보호디바이스는반도체본체에형성된 PN 다이오드를포함한다. PN 다이오드는반도체본체의전면상의금속구조물에커플링된제1 콘택및 반도체본체의후면상의금속구조물에커플링된제2 콘택을갖는다. 제1 콘택에커플링된금속은반도체본체의두께만큼제2 콘택에커플링된금속으로부터이격된다. 이간격은금속구조물과연관된커패시턴스를크게감소시켜, 이는 ESD 보호디바이스에의해 I/O 채널에추가되는전체커패시턴스를실질적으로줄여, I/O 채널을사용하는고속회로의성능을향상시킬수 있다.

5. 发明授权

KR102372117B1 접합 장벽 쇼트키 정류기 有权
公开(公告)号：KR102372117B1
公开(公告)日：2022-03-07
申请号：KR1020150183158
申请日：2015-12-21
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/861
摘要： 본발명의접합장벽쇼트키정류기에서, 드리프트층 (22A, 22B) 은제 1 드리프트층섹션 (22A) 과제 2 드리프트층섹션 (22B) 을포함하고, 제 1 드리프트층섹션 (22A) 의피크순 도핑농도는제 2 드리프트층섹션 (22B) 의최소순 도핑농도보다적어도 2배더 낮다. 각각의에미터영역 (3) 의경우, 제 1 드리프트층섹션 (22A) 은, 개별에미터영역 (3) 과컨택하여제 1 드리프트층섹션 (22A) 과개별에미터영역 (3) 사이에 pn 접합을형성하는층 섹션을포함하고, 제 1 드리프트층섹션 (22A) 과개별에미터영역 (3) 사이의계면에직교하는방향으로이 층섹션의두께는적어도 0.1 ㎛이다. 본발명의 JBS 정류기는, 정전기력을낮추고그렇지않은경우순방향바이어스조건하에서에미터영역을향한전자의수송을저해시키는것으로인해, 보다낮은순방향바이어스에서단극성으로부터양극성전도모드로의천이를갖는다. 동시에, 2개섹션의드리프트층은공통 JBS 정류기에서보여지는스냅백 현상을최소화할수 있다.

6. 发明授权

KR102311791B1 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102311791B1
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：KR1020150144561
申请日：2015-10-16
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/02 , H01L21/56 , H01L21/324 , H01L21/768
摘要： 본발명은, 기판상부에얼라인키를형성하는단계, 상기얼라인키를통해도판트를주입하는단계, 상기기판및 상기도판트에열처리를하는단계, 상기기판의상부에컨택비아및 전극을형성하는단계를포함하는다이오드제조방법에있어서, 상기기판의상부에컨택비아및 전극을형성하는단계이후에, 전극이배치되지않은영역에아민계폴리머용액을습식코팅하여패시베이션층을형성하는단계를포함하는것을기술적요지로한다. 이에의해용액을이용하여원하는패턴의패시베이션을형성가능하며, 저온에서습식공정을통해패시베이션층을형성하기때문에기판의변형및 특성저하가방지되는효과를얻을수 있다. 또한, 저온에서습식공정을통해패시베이션층을형성하기때문에진공장치가필요하지않으며, 고온및 기체로부터작업자의안전이보장되는효과를얻을수 있다.

7. 发明授权

KR102221385B1 아민계 폴리머를 포함한 실리콘 카바이드 다이오드 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102221385B1
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：KR1020160128370
申请日：2016-10-05
申请人： 한국전기연구원
发明人： 나문경 , 강인호 , 김상철 , 문정현 , 방욱
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/04 , H01L21/324 , H01L29/16 , H01L21/02
摘要： 본발명은, 기판상부에얼라인키를형성하는단계, 상기얼라인키를통해도판트를주입하는단계, 상기기판및 상기도판트에열처리를하는단계, 상기기판의상부에컨택비아및 전극을형성하는단계를포함하는다이오드제조방법에있어서, 상기기판의상부에컨택비아및 전극을형성하는단계이후에, 전극이배치되지않은영역에아민계폴리머용액을습식코팅하여순방향및 역방향특성이향상되는패시베이션층을형성하는단계를포함하는것을기술적요지로한다. 이에의해용액을이용하여원하는패턴의패시베이션층을형성가능하며, 저온에서습식공정을통해패시베이션층을형성하기때문에기판의변형및 순방향과역방향모두에서특성저하가방지된다. 또한, 패시베이션층적용을통해외부환경으로부터소자를보호가능하며, 표면누설전류감소로인해순방향특성이향상되고패시베이션층전계완화효과로역방향특성이향상되어다이오드전체의전기적특성향상효과를얻을수 있다. 뿐만아니라, 저온에서습식공정을통해패시베이션층을형성하기때문에진공장치가필요하지않으며, 고온및 기체로부터작업자의안전이보장된다.

8. 发明授权

KR102216542B1 2차원 물질을 이용한 수평형 다이오드를 포함하는 전자소자 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102216542B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020140061167
申请日：2014-05-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 최민섭 , 유원종 , 곡덕순 , 라창호 , 유효지 , 이승환 , 이지아
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/8605 , H01L21/761 , H01L21/31
摘要： 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자제조방법은기판상에절연막을형성하는단계, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는단계및 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계를포함하고, 상기 N형영역과상기 P형영역은동일한두께로형성한다. 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계는상기 2차원물질층상에이격된제1 및제2 전극을형성하는단계및 상기제1 및제2 전극사이의상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계를포함한다. 상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계는상기 2차원물질층의상기 N형영역에대응하는영역을마스크층으로덮는단계및 상기 2차원물질층의상기 P형영역에대응하는영역을졸-겔층으로덮는단계를포함한다.

9. 发明授权

KR102200785B1 비대칭 과도 전압 억제기 디바이스 및 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102200785B1
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：KR1020180141756
申请日：2018-11-16
申请人： 리텔퓨즈 인코퍼레이티드
发明人： 피터스,제임스앨런
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/861 , H01L23/495 , H01L29/66 , H01L21/02
摘要： 과도전압억제(TVS) 디바이스는기판에형성되는기판기저부 - 상기기판기저부는제 1 전도도유형의반도체를포함함 - 와, 상기기판의제 1 측부상에서, 상기기판기저부상에배치되는에피택셜층을포함하며, 상기에피택셜층은제 2 전도도유형의반도체를포함한다. 상기에피택셜층은, 제 1 층두께를가진제 1 부분과, 상기제 1 층두께보다얇은제 2 층두께를가진제 2 부분을더 포함할수 있고, 상기제 1 부분및 제 2 부분은기판의제 1 측부상에배치되고, 상기제 1 부분은상기제 2 부분으로부터전기적으로단절된다.

10. 发明授权

KR102187243B1 단방향 과도 전압 억제 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102187243B1
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：KR20190077963
申请日：2019-06-28
申请人： KEC KK
发明人： JANG HEE WON , KIM HYUN SIK
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/768 , H01L29/66
摘要： 본발명은격리층의하부에위치한고농도의제2도전형매립층을구비하여내압조절이용이하며, 액티브면적을증가시켜높은최대허용서지전류(Ipp) 특성을구현할수 있는과도전압억제소자및 그제조방법에관한것이다. 일례로, 제1도전형서브스트레이트의상부에형성된제1도전형에피텍셜층; 상기제1도전형에피텍셜층의상면으로부터상기제1도전형서브스트레이트의상부까지형성된제2도전형베이스영역; 상기제1도전형에피텍셜층의상면으로부터내부방향으로형성되며, 상기제2도전형베이스영역의외측에위치하는격리층; 상기격리층의하부에위치하며, 상기제1도전형서브스트레이트의내부에형성된제2도전형매립층; 상기제2도전형베이스영역의상면으로부터내부방향으로형성된제1도전형영역; 상기제2도전형베이스영역의상면으로부터내부방향으로형성되며, 상기제1도전형영역의외측에위치하는제2도전형영역; 및상기제1도전형영역과상기제2도전형영역의상면에형성된상부전극을포함하는것을특징으로하는과도전압억제소자를개시한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式