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1. 发明授权

KR102410882B1 주사 전자 현미경 및 패턴 계측 방법 有权
公开(公告)号：KR102410882B1
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：KR1020200066827
申请日：2020-06-03
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/20 , H01J37/10 , H01J37/28 , G01N23/2251
摘要： 본발명은, 반사전자검출기의대전에의한 2차전자검출신호량의변동을저감, 또는회피할수 있고, 신뢰성이높은검사, 계측이가능한주사전자현미경을제공하는것을과제로한다. 이러한과제를해결하기위한수단으로서, 전자원(100)과대물렌즈(109)를포함하는전자광학계와, 시료(114)가재치(載置)되는스테이지(112)와, 대물렌즈보다도전자원측에배치되고, 2차전자(171)를검출하는 2차전자검출기(120)와, 대물렌즈와스테이지사이에배치되고, 반사전자(172)를검출하는반사전자검출기(125)와, 반사전자검출기에전압을인가하는반사전자검출계제어부(138)와, 반사전자검출기에소정의전압을인가한상태에서시료에 1차전자를조사했을때의 2차전자검출기의신호강도에의거하여, 반사전자검출기의대전상태를검출하는장치제어연산장치(150)를갖는다.

2. 发明公开

KR1020220056792A 하전 입자선 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220056792A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：KR1020210134638
申请日：2021-10-12
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/28
摘要： 본발명은, 하전입자선의이축(離軸; off-axis)량이큰 경우여도고정밀도의초점맞춤이가능한하전입자선장치를제공하는것을과제로한다. 이러한과제를해결하기위한수단으로서, 하전입자선을시료에조사함에의해서상기시료의관찰상을생성하는하전입자선장치로서, 상기하전입자선을경사시키는편향부와, 상기하전입자선을집속시키는집속렌즈와, 상기관찰상으로부터산출되는평가값에의거해서상기집속렌즈의렌즈강도를조정하는조정부와, 상기하전입자선이상기집속렌즈의중심으로부터이축하는양인이축량마다, 상기하전입자선이상기시료의위에서이동하는양인시야이동량과상기렌즈강도의관계를기억하는기억부와, 상기하전입자선의경사각도와상기관계에의거해서시야이동량을산출하고, 산출된시야이동량에의거해서상기관찰상에중첩되는화상필터를설정하는필터설정부를구비하고, 상기평가값은, 상기관찰상에상기화상필터가중첩되어얻어지는중첩화상으로부터산출되는것을특징으로한다.

3. 发明授权

KR101605865B1 투사 렌즈 배열체 有权
标题翻译：投影透镜阵列
公开(公告)号：KR101605865B1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：KR1020107025644
申请日：2009-04-15
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 비란트,마르코얀자코 , 반빈,알렉산더,헨드릭,빈센트
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/10
CPC分类号： H01J37/3177 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3007 , H01J2237/0492 , H01J2237/10 , H01J2237/15
摘要： 본발명은복수의비임렛(21)을이용하여타겟(11)을노출하기위한하전입자다중-비임렛시스템에관한것이다. 상기시스템은하전입자소스(1), 통공어레이(4), 비임렛조작기(6), 비임렛블랭커(6), 및투사렌즈시스템의어레이를가진다. 하전입자소스(1)는하전입자비임(20)을발생하도록구성된다. 통공어레이(4)는발생된비임으로부터개별비임렛을형성하도록구성된다. 비임렛조작기는각각의그룹에대해공통수렴지점을향하여비임렛의그룹을수렴하도록구성된다. 비임렛조작기(6)는비임렛의그룹내의비임렛을제어가능하게블랭킹하도록구성된다. 마지막으로, 투사렌즈시스템(10)의어레이는타겟(11)의표면상으로비임렛의그룹의블랭킹되지않은비임렛을투사하도록구성된다. 비임렛조작기는투사렌즈시스템들중 하나에대응하는지점을향하여비임렛의그룹의각각을수렴하도록추가로이루어진다.
摘要翻译：本发明涉及用于使用多个非铸坯（21）来暴露靶（11）的带电粒子多坯系统。该系统具有带电粒子源1，通孔阵列4，光束操纵器6，光束限制器6和投影透镜系统阵列。带电粒子源（1）被配置为生成带电粒子束（20）。孔阵列4被配置为从所产生的光束形成各个小块。非规则操纵器被配置为朝着每个组的共同收敛点收敛该非标准组。非规则操纵器6被配置为可控制地消除一组非圆坯内的非甜菜。最后，投影透镜系统10的阵列被配置成将非坯料组的未冲切坯料投影到目标11的台面上。小波束操纵器进一步被配置为朝向与投影透镜系统之一相对应的点会聚每组非光束。

4. 发明公开

KR1020150140585A 입자 빔 시스템 및 입자 광학 유닛을 동작하는 방법 审中-实审
标题翻译：粒子束系统和操作颗粒光单元的方法
公开(公告)号：KR1020150140585A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：KR1020150079754
申请日：2015-06-05
申请人： 칼 짜이스 마이크로스카피 게엠베하
发明人： 뮐러,잉고 , 벤게쎄,니콜레 , 리데셀,크리스토프 , 케멘,토마스 , 야코비,외르그 , 토마,아르네 , 되링,마르쿠스 , 자이들러,디르크 , 키나스트,위르겐 , 베너,게르트
IPC分类号： H01J37/10 , H01J37/21 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/21 , H01J37/10 , H01J37/28 , H01J2237/0435 , H01J2237/0492 , H01J2237/28 , H01J2237/31764 , H01J2237/31774
摘要： 본발명은, 멀티-빔입자광학유닛을동작하는방법으로서: (1) 입자-광학구성요소의효과의제1 설정을제공하는단계 - 입자-광학이미징이적어도두 개의파라미터에의해특징지어짐 - ; (2) 다음의수학식이유효하도록매트릭스(A)를결정하는단계:이때,, 여기서,는, 제1 설정인경우에구성요소의효과의변화를나타내며,는, 제1 설정인경우에파라미터의변화를나타냄; (3) 다음의수학식이유효하도록매트릭스(S)를결정하는단계:, 여기서, D는대각매트릭스임; (4) 원하는이미징을특징화하는파라미터의값을규정하는단계; (5) 상기입자-광학이미징이규정된값을갖는파라미터에의해특징지어지도록구성요소의효과의제2 설정을제공하는단계로서, 상기제2 설정에필요한효과가다음의수학식에따라결정되며:이때,, 여기서,는, 제2 설정인경우에구성요소의효과를나타내며,는파라미터의규정된값을나타내는, 제2 설정제공단계를포함하는, 방법에관한것이다.
摘要翻译：一种用于操作多光束粒子光学单元的方法包括以下步骤：提供粒子 - 光学部件的效果的第一设置，其中粒子光学成像的特征在于至少两个参数; 确定矩阵A，并确定矩阵S; 定义表征期望成像的参数的值; 并且以这样的方式提供组件的效果的第二设置，使得该粒子光学成像的特征在于具有确定值的参数。

5. 发明公开

KR1020110007199A 투사 렌즈 배열체 有权
标题翻译：投影镜头布置
公开(公告)号：KR1020110007199A
公开(公告)日：2011-01-21
申请号：KR1020107025644
申请日：2009-04-15
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 비란트,마르코얀자코 , 반빈,알렉산더,헨드릭,빈센트
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/10
CPC分类号： H01J37/3177 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3007 , H01J2237/0492 , H01J2237/10 , H01J2237/15 , H01J37/317 , H01J37/10 , H01J37/147
摘要： 본 발명은 다수의 비임렛(21)을 이용하여 타겟(11)을 노출하기 위한 하전 입자 다중-비임렛 시스템에 관한 것이다. 상기 시스템은 하전 입자 소스(1), 통공 어레이(4), 비임렛 조작기(6), 비임렛 블랭커(6), 및 투사 렌즈 시스템의 어레이를 가진다. 하전 입자 소스(1)는 하전 입자 비임(20)을 발생하도록 구성된다. 통공 어레이(4)는 발생된 비임으로부터 개별 비임렛을 형성하도록 구성된다. 비임렛 조작기는 각각의 그룹에 대해 공통 수렴 지점을 향하여 비임렛의 그룹을 수렴하도록 구성된다. 비임렛 조작기(6)는 비임렛의 그룹 내의 비임렛을 제어가능하게 블랭킹하도록 구성된다. 마지막으로, 투사 렌즈 시스템(10)의 어레이는 타겟(11)의 표면 상으로 비임렛의 그룹의 블랭킹되지 않은 비임렛을 투사하도록 구성된다. 비임렛 조작기는 투사 렌즈 시스템들 중 하나에 대응하는 지점을 향하여 비임렛의 그룹의 각각을 수렴하도록 추가로 이루어진다.

6. 发明授权

KR100700408B1 집속 이온 빔 시스템 失效
标题翻译：聚焦离子束系统
公开(公告)号：KR100700408B1
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1019990007439
申请日：1999-03-06
申请人： 가부시키가이샤 히타치 하이테크 사이언스
发明人： 고야마요시히로
IPC分类号： H01J37/10
摘要： 본 발명은, 시료의 표면에 집속 이온 빔을 주사하고 가스를 분사하면서 집속 이온 빔을 인가함으로써 미세한 패턴닝을 수행하는 집속 이온 빔 시스템에 관한 것으로, 이온 소오스로부터 방사되는 이온 빔을 집속하기 위한 집속렌즈와, 상기 집속 이온 빔을 시료 표면의 소정 영역에 주사하면서 상기 시료 표면의 소정 영역에 집속 이온 빔을 인가하기 위한 주사전극과, 상기 집속 이온 빔의 인가에 의해 상기 시료 표면에서 발생되는 이차 하전 입자를 검출하기 위한 이차 하전 입자 검출기와, 상기 이차 하전 입자 검출기로부터 출력된 신호에 근거하여 상기 시료 표면의 이미지를 표시하기 위한 표시장치를 포함하는 집속 이온 빔 시스템으로서, 상기 집속렌즈가 할로겐 계열의 가스에 대하여 내부식성을 가진 재질로 이루어지거나, 또는 상기 집속렌즈와, 상기 집속렌즈에 고 전압을 인가하기 위한 제어전원 사이에, 각각 고 저항값을 가진 저항들이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

7. 发明公开

KR1020070007781A 전자빔장치 有权
标题翻译：电子束装置
公开(公告)号：KR1020070007781A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020067015935
申请日：2004-11-25
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 와타나베겐지 , 사타케도루 , 나카스지마모루 , 무라카미다케시 , 가리마타츠토무 , 노지노부하루 , 도야마게이이치 , 하타케야마마사히로
IPC分类号： H01J37/06 , H01J37/10 , H01J37/073 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/261 , H01J37/28 , H01J2237/06341 , H01J2237/2446 , H01J2237/24592 , H01J2237/2538
摘要： An electron device capable of evaluating a sample at high throughput and high S/N. An electron beam emitted from an electron gun is irradiated, through an electrostatic lens (4-1), an objective lens (11-1), etc., in a diagonal direction on a sample (W) placed on an X-Y-Theta stage (9-1), and secondary electrons or reflected electrons are discharged from the sample (W). The incident angle of the primary electron beam is set to about not less than 35‹ and less than 90‹ by controlling a polarizer (8-1). The electrons discharged from the sample (W) are guided in the vertical direction to form an image on a detector. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：能够以高通量和高S / N评估样品的电子器件。从电子枪发射的电子束通过静电透镜（4-1），物镜（11-1）等沿对角线方向照射在放置在XY台上的样品（W）上（9-1），二次电子或反射电子从样品（W）排出。通过控制偏振器（8-1）将一次电子束的入射角度设定为不小于35°且小于90°。从样品（W）排出的电子在垂直方向上被引导以在检测器上形成图像。 ®KIPO＆WIPO 2007

8. 发明授权

KR100499427B1 하전 입자 빔 장치용 대물렌즈 有权
标题翻译：用于充电颗粒光束装置的目标透镜
公开(公告)号：KR100499427B1
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：KR1020027009697
申请日：2001-01-26
申请人： 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하
发明人： 아다멕,파벨
IPC分类号： H01J37/10
摘要： 본 발명은 개선된 하전 입자 빔 장치용 대물렌즈를 제공한다. 상기 대물렌즈는 하전 입자 빔을 표본상으로 포커싱하기 위한 제1 자기장을 생성하는 자기 렌즈를 포함한다. 더 나아가, 상기 편향기는 하전 입자 빔을 편향시키는데 사용되는 제2 자기장을 생성하는 적어도 하나의 코일 장치를 제공함으로써 자기 렌즈로 통합된다. 이에 의하여, 제2 자기장은 자기 렌즈의 적어도 하나의 극편을 통하여 안내된다. 본 발명은 또한 개선된 대물렌즈를 포함하는 개선된 하전 입자 빔 장치용 컬럼을 제공한다.

9. 发明公开

KR1019990077662A 집속 이온 빔 시스템 失效
标题翻译：聚焦离子束系统
公开(公告)号：KR1019990077662A
公开(公告)日：1999-10-25
申请号：KR1019990007439
申请日：1999-03-06
申请人： 가부시키가이샤 히타치 하이테크 사이언스
发明人： 고야마요시히로
IPC分类号： H01J37/10
摘要： 본 발명은 시료의 표면에 집속 이온 빔을 주사하고 가스를 분사하면서 집속 이온 빔을 인가함으로써 미세한 패턴닝을 수행하는 집속 이온 빔 시스템에 관한 것으로, 이온 소오스로부터 방사된 이온 빔을 집속하기 위한 집속렌즈들과, 시료 표면상의 소정 영역을 집속 이온 빔으로 주사하면서 상기 시료 표면상의 소정 영역상에 집속 이온 빔을 인가하기 위한 주사전극과, 집속 이온 빔을 인가함에 따라 상기 시료 표면에서 발생되는 이차 하전 입자를 검출하기 위한 이차 하전 입자 검출기와, 상기 이차 하전 입자 검출기에서 출력된 신호에 근거하여 상기 시료 표면의 이미지를 표시하기 위한 표시장치를 포함하여 구성된 집속 이온 빔 시스템에 있어서, 상기 집속 렌즈들이 할로겐 계열의 가스에 대하여 내부식성을 가진 재질로 이루어지거나, 또는 상기 집속렌즈들과, 상기 집속렌즈들에 고전압을 인가하기 위한 제어전원 사이에, 고 저항값을 가진 저항이 각각 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

10. 发明授权

KR1019910007805B1 집속 이온빔 시스템의 이온 광학계 失效
标题翻译：离子光束聚焦系统的离子光学系统
公开(公告)号：KR1019910007805B1
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：KR1019880017977
申请日：1988-12-30
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 장원익 , 이용일 , 이종현 , 배남진
IPC分类号： H01J37/10
摘要： The instrument for the ion beam systedm applied to the semiconductor manufacturing, improves the system performance through improving the alignment accuracy in the system and minimizing spherical aberration for electrostatic lens. The instrument comprises a vacuum chamber (105), ion source (101), accelerator (102), and electrostatic lens (103). The whole system is composed of an ion source module assembled with ion source (101) , source holder (108), disk (109) for fixing the source (101), ion extraction electrode (107); an accelerator module assembled with first and second electrodes (111)(112), insert ring (114) for adjusting distance between electrodes; an ion-beam feed tube module with ion-beam feed tube (115) with air hole (115a); process chamber (106) for positioning wafer (104).
摘要翻译：用于离子束系统的仪器适用于半导体制造，通过提高系统中的对准精度并使静电透镜的球面像差最小化来提高系统性能。仪器包括真空室（105），离子源（101），加速器（102）和静电透镜（103）。整个系统由离子源（101），源保持器（108），用于固定源（101）的盘（109），离子提取电极（107））组装的离子源模块组成。与第一和第二电极（111）（112），用于调节电极之间的距离的插入环（114）组装的加速器模块; 具有带有空气孔（115a）的离子束供给管（115）的离子束供给管模块; 处理室（106），用于定位晶片（104）。

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