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1. 发明公开

KR20180028497A 난연성 복합 자성체 审中-公开
标题翻译：阻燃复合磁体
公开(公告)号：KR20180028497A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：KR20187003914
申请日：2016-07-06
IPC分类号： H01F1/26 , C08K5/5399 , C08L101/00 , H01F1/44 , H01F10/10 , H01F41/32
CPC分类号： C08K5/5399 , C08L101/00 , H01F1/00 , H01F1/26
摘要： 플레이크형금속연성자성분말을 35% 이상 55% 이하의부피함량으로포함하는복합자성체로서, 하기방정식 (1) 및 (2) 를만족시키도록포스파젠화합물, 바인더수지, 및인-무함유난연보조제를추가로포함하는것을특징으로하는복합자성체가제공된다: 0.17 ≤ P/B ≤ 0.21 (1) 0.89 ≤ (PN+RA)/B ≤ 2.71 (2) (방정식에서, PN 은복합자성체중의포스파젠화합물의질량% 를나타내고, RA 는복합자성체중의난연보조제의질량% 를나타내고, B 는복합자성체중의바인더수지의질량% 를나타내고, P 는복합자성체중의인의질량% 를나타냄). 복합자성체는투자율과같은성능손실없이높은난연성을부여할수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种复合磁性体，其含有35〜55体积％的金属软磁性平坦粒子粉末，其特征在于，复合磁性体还含有磷腈化合物，粘合剂树脂和无磷辅助火焰（1）式和（2）式成立。复合磁体可以赋予高阻燃性而不会损失磁导率等性能。（1）0.17≤P/B≤0.21（1）0.89≤（PN + RA）/B≤2.71（2）（式中，PN表示复合磁体中磷腈化合物的质量百分比，RA表示质量百分比复合磁性体中的辅助阻燃剂，B表示复合磁性体中粘结剂树脂的质量百分比，P表示复合磁性体中磷的质量百分比。）

2. 发明授权

KR101456518B1 결정 및 적층체 有权
标题翻译：水晶和层压板
公开(公告)号：KR101456518B1
公开(公告)日：2014-10-31
申请号：KR1020147008713
申请日：2012-10-03
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 츠카자키아츠시
IPC分类号： H01F10/10 , H01F10/32 , H01L29/82
CPC分类号： H01F10/18 , B82Y25/00 , H01F10/193 , H01F10/265 , H01L43/08 , H01L43/10 , Y10T428/265
摘要： 본 발명은 섬유아연석형구조를 갖는 결정인 하지막(12)과, M을 3d 전이금속 원소, 또한 X의 범위를 0 X M
1-X O막(14)을 구비하는 적층체이다. 또한, 본 발명은 M을 3d 전이금속 원소,또한 X의 범위를 0 X M
1-X O인 것을 특징으로 하는 결정이다.

3. 发明公开

KR1020050110627A 강자성 물질 无效
标题翻译：纤维材料
公开(公告)号：KR1020050110627A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：KR1020057014458
申请日：2004-02-06
申请人： 엔엠 스핀트로닉스 에이비
发明人： 샤르마,파르마난드 , 라오,쿠둠부르벤카트 , 요한슨,뵈르제 , 아후자,라지브
IPC分类号： C04B35/453 , H01F10/10 , B82Y30/00
CPC分类号： H01F41/205 , B82Y25/00 , C04B35/453 , C04B2235/3267 , C04B2235/3284 , C04B2235/9653 , H01F1/0009 , H01F1/0045 , H01F1/401 , H01F1/402 , H01F10/193 , H01F41/0246 , H01F41/18 , H01L41/187 , H01L43/10
摘要： Method for producing a doped dilute ferromagnetic semiconductor material, by doping Zinc Oxide in bulk form with Manganese to a maximum level of 5 atomic percent concentration. The material is preferably sintered at a maximum temperature of 650 °C. The result of this process is a semiconductor material comprising Mn-doped ZnO with a Mn concentration not exceeding 5 at%, wherein said Mn-doped ZnO is ferromagnetic within at least a part of the temperature range from about 218 Kelvin to about 425 Kelvin.
摘要翻译：掺杂稀土铁磁半导体材料的制造方法，通过以锰形式将大量形式的氧化锌掺杂至5原子浓度的最高水平。该材料优选在650℃的最高温度下烧结。该方法的结果是包含Mn浓度不超过5原子％的Mn掺杂ZnO的半导体材料，其中所述Mn掺杂的ZnO在约218开尔文至约425开尔德的温度范围的至少一部分内是铁磁性的。

4. 发明授权

KR102398713B1 난연성 복합 자성체 有权
公开(公告)号：KR102398713B1
公开(公告)日：2022-05-16
申请号：KR1020187003914
申请日：2016-07-06
IPC分类号： H01F1/26 , H01F1/44 , C08K5/5399 , C08L101/00 , H01F10/10 , H01F41/32
摘要： 플레이크형금속연성자성분말을 35% 이상 55% 이하의부피함량으로포함하는복합자성체로서, 하기방정식 (1) 및 (2) 를만족시키도록포스파젠화합물, 바인더수지, 및인-무함유난연보조제를추가로포함하는것을특징으로하는복합자성체가제공된다: 0.17 ≤ P/B ≤ 0.21 (1) 0.89 ≤ (PN+RA)/B ≤ 2.71 (2) (방정식에서, PN 은복합자성체중의포스파젠화합물의질량% 를나타내고, RA 는복합자성체중의난연보조제의질량% 를나타내고, B 는복합자성체중의바인더수지의질량% 를나타내고, P 는복합자성체중의인의질량% 를나타냄). 복합자성체는투자율과같은성능손실없이높은난연성을부여할수 있다.

5. 发明公开

KR1020130036582A 초거대 자기저항 자성박막 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：一种胶卷磁性薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130036582A
公开(公告)日：2013-04-12
申请号：KR1020110100753
申请日：2011-10-04
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 김근우 , 성창훈 , 박근영
IPC分类号： H01F10/10 , G11C11/14
摘要： PURPOSE: A colossal magnetoresistance magnetic thin film and a manufacturing method thereof are provided to improve the properties of a memory by implementing a sufficient magnetoresistance rate under 1 tesla. CONSTITUTION: A colossal magnetoresistance magnetic thin film is formed with the composition of ferrite. The ferrite comprises one among NiFe2O4, CuFe2O4, and CuZnFe4O4. A resistance change magnetic material has applicability at a magneto resistive head and a magnetic sensor. The resistance change magnetic material has the broad applicability at a spin valve magneto resistive memory. A memory device uses the property of the resistance change magnetic material.
摘要翻译：目的：提供一种巨大的磁阻磁性薄膜及其制造方法，以通过在1特斯拉下实现足够的磁阻率来改善存储器的性能。构成：用铁素体组成形成一个巨大的磁阻磁性薄膜。铁氧体包括NiFe2O4，CuFe2O4和CuZnFe4O4中的一种。电阻变化磁性材料在磁阻头和磁传感器上具有适用性。电阻变化磁性材料在自旋阀磁阻存储器中具有广泛的适用性。记忆装置使用电阻变化磁性材料的性质。

6. 发明公开

KR1019990029208A 자석박막및이것을이용한자기디바이스 失效
标题翻译：磁铁薄膜及使用其的磁性装置
公开(公告)号：KR1019990029208A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980019093
申请日：1998-05-26
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 히라모토마사요시 , 마츠카와노조무 , 사카키마히로시
IPC分类号： H01F10/10
摘要： 본 발명은 연자성 박막의 고포화 자속밀도화에 따른 열안정성, 내환경성의 열화 및 기판깨짐을 억제하고, 자기 헤드등 자기 디바이스에 유용한 신뢰성 높은 연자성 박막을 제공하는 것으로써, 대략 기둥상, 대략 침상 또는 이들 조합으로 이루어지는 다갈래형상의 자성결정입자를 모상(母相)으로 하는 자성막을 포함하는 자성박막을, 스패터링법등에 의해 형성한다. 자성결정입자는 대략 침상체, 대략 기둥상체 또는 이들 조합으로 이루어지는 다갈래 형상체로 이루어지고, 50nm를 넘는 평균최대길이를 가진다. 또한, 자성결정입자에 포함되는 대략 침상체 또는 대략 기둥상체의 짧은쪽 방향의 평균 결정 사이즈는 5nm보다 크고 60nm보다 작다.

7. 发明授权

KR101912268B1 무선 충전 부품용 자성체 시트 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101912268B1
公开(公告)日：2018-10-29
申请号：KR1020120115002
申请日：2012-10-16
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 안성용 , 최동혁 , 정창렬 , 박정태 , 류지만 , 한승헌
IPC分类号： H01F41/32 , H01F10/10 , H01F38/14 , H02J50/10
摘要： 본발명은무선충전부품용자성체시트및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른무선충전부품용자성체시트제조방법은자성분말을포함하는페이스트를이용하여복수개의그린시트를마련하는단계; 상기그린시트를적층하여적층체를형성하는단계; 상기적층체를절단하여복수개의자성체세그먼트(segment)를마련하는단계; 상기복수개의자성체세그먼트를트레이(tray) 내부에배열하는단계; 및상기자성체세그먼트의상면또는하면에접착필름을부착하여압착하는단계;를포함한다.

8. 发明授权

KR101341301B1 초거대 자기저항 자성박막 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：巨磁阻膜及其制造方法
公开(公告)号：KR101341301B1
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：KR1020110100753
申请日：2011-10-04
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 구본흔 , 김근우 , 성창훈 , 박근영
IPC分类号： H01F10/10 , G11C11/14
摘要： 본 발명은 초거대 자기저항 자성박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 그 구성은, [La
0.7 (Ca
0.7 Sr
0.3 )
0.3 MnO
3 ]
1-x (페라이트)
X 의 조성으로 구성되면, 상기 페라이트는 NiFe
2 O
4 , CuFe
2 O
4 , CuZnFe
4 O
4 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 한다.

9. 发明授权

KR100309544B1 자석박막및이것을이용한자기디바이스 失效
公开(公告)号：KR100309544B1
公开(公告)日：2002-01-17
申请号：KR1019980019093
申请日：1998-05-26
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 히라모토마사요시 , 마츠카와노조무 , 사카키마히로시
IPC分类号： H01F10/10
摘要： 본 발명은 연자성 박막의 고포화 자속밀도화에 따른 열안정성, 내환경성의 열화 및 기판깨짐을 억제하고, 자기 헤드등 자기 디바이스에 유용한 신뢰성 높은 연자성 박막을 제공하는 것으로써, 대략 기둥상, 대략 침상 또는 이들 조합으로 이루어지는 다갈래형상의 자성결정입자를 모상(母相)으로 하는 자성막을 포함하는 자성박막을, 스패터링법등에 의해 형성한다. 자성결정입자는 대략 침상체, 대략 기둥상체 또는 이들 조합으로 이루어지는 다갈래 형상체로 이루어지고, 50nm를 넘는 평균최대길이를 가진다. 또한, 자성결정입자에 포함되는 대략 침상체 또는 대략 기둥상체의 짧은쪽 방향의 평균 결정 사이즈는 5nm보다 크고 60nm보다 작다.

10. 发明授权

KR102430700B1 강자성체 필름의 제조방법 및 강자성체 필름의 제조장치 有权
公开(公告)号：KR102430700B1
公开(公告)日：2022-08-10
申请号：KR1020210051119
申请日：2021-04-20
IPC分类号： H01F10/10 , C23C14/35 , C23C14/14
摘要： 본발명은 (a) 강자성체타겟, 상기강자성체타겟의증착표면의대향면상에순차적으로구비된단열성금속백플레이트및 전도성금속백플레이트를포함하는스퍼터건을준비하는단계; 및 (b) 상기스퍼터건에전력을인가하여, 상기강자성체타겟의물질을증착시키는단계;를포함하는, 강자성체필름의제조방법및 강자성체필름의제조장치에관한것이다.

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